Am29DS320G

数据表

-XO \\ ????

7KH IROORZLQJ GRFXPHQW VSHFLILHV 6SDQVLRQ PHPRU \\ SURGXFWV WKDW DUH QRZ RIIHUHG ê \\ ERWK $ GYDQFHG

0LFUR设备SNMP DQG ） XMLWVX ？ $ OWKRXJK WKH GRFXPHQW LV PDUNHG ZLWK WKH QDPH RI WKH FRPSDQ \\ WKDW RULJ ？

LQDOO \\ GHYHORSHG WKH VSHFLILFDWLRQ ？ WKHVH SURGXFWV ZLOO EH RIIHUHG WR FXVWRPHUV RI ERWK 0美元“ DQG

） XMLWVX ？

规格连续性

7KHUH LV QR FKDQJH WR WKLV GDWDVKHHW DV UHVXOW RI RIIHULQJ WKH GHYLFH DV 6SDQVLRQ SURGXFW ？ $ Q \\

FKDQJHV WKDW KDYH EHHQ PDGH DUH WKH UHVXOW RI QRUPDO GDWDVKHHW LPSURYHPHQW DQG DUH QRWHG LQ WKH

GRFXPHQW UHYLVLRQ VXPPDU \\ ？ ZKHUH VXSSRUWHG ？ ） XWXUH URXWLQH UHYLVLRQV ZLOO RFFXU ZKHQ DSSURSULDWH ？

DQG FKDQJHV ZLOO EH QRWHG LQ UHYLVLRQ VXPPDU \\ ？

订购零件编号的连续性

0美元“ DQG ） XMLWVX FRQWLQXH WR VXSSRUW H [ LVWLQJ SDUW QXPEHUV EHJLQQLQJ ZLWK $ P' DQG 0 ％ 0' ？ 7R RUGHU

WKHVH SURGXFWV ？ SOHDVH XVH RQO \\ WKH 2UGHULQJ 3DUW 1XPEHUV OLVWHG LQ WKLV GRFXPHQW ？

欲了解更多信息

3OHDVH FRQWDFW \\ RXU ORFDO 0美元“ RU ） XMLWVX VDOHV RIILFH IRU DGGLWLRQDO LQIRUPDWLRQ DERXW 6SDQVLRQ

PHPRU \\ VROXWLRQV ？

公开号

26492

调整

A

修订

+1

发行日期

2003年1月27日

超前信息

Am29DS320G

32兆位（ 4米×8位/ 2的M× 16位）

CMOS 1.8伏只，同时操作闪存

特色鲜明

架构优势

■

同时读/写操作

- 数据可以不断地从一家银行，而读

执行擦除/编程功能的其他银行

读取和写入操作之间的零延迟

■

灵活的银行

TM

架构

- 读取可能发生在任何三个银行不是

写或擦除。

- 四家银行可以通过客户进行分组，以实现

所需的银行部门。

■

256字节SecSi （安全硅）行业

—

工厂锁定和识别：

适用于16字节

安全的，随机的工厂电子序列号;

通过自动选择可验证的工厂被锁定

功能。 ExpressFlash选项可以让整个部门

可用于工厂数据保护

—

客户可锁定：

一次性可编程的。一旦

锁定时，数据不能被改变。

■

零功耗工作

- 先进的电源管理电路减少

在非活动期间到近功率消耗

零

■

封装选项

- 48球FBGA

- 48引脚TSOP

■

顶部或底部启动块

■

在0.17微米制程技术制造的

■

兼容JEDEC标准

- 引脚和软件兼容

单电源闪存标准

性能特点

■

高性能

- 存取时间快70纳秒

- 计划时间： 4微秒/字典型的利用加速

功能

■

超低功耗（典型值）

- 2毫安在1 MHz有源读取电流

- 在5 MHz 10毫安有效的读电流

- 200 nA的待机或自动睡眠模式

■

按最低保证百万次擦写

扇形

■

20年的数据保存在125°C

- 可靠运行的系统的寿命

软件特点

■

数据管理软件（ DMS ）

- AMD公司提供的软件管理数据编程，

使EEPROM仿真

- 简化的历史扇区擦除闪存的局限性

■

支持通用闪存接口（ CFI ）

■

擦除暂停/删除恢复

- 挂起擦除操作，以允许从读

在同一家银行其他部门

■

数据＃查询和翻转位

- 提供了检测的状态的软件的方法

编程或擦除周期

■

解锁绕道程序命令

- 发行时降低了总体规划的时间

多个程序的命令序列

硬件特性

■

任何部门的结合可以被删除

■

就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）

硬件方法检测编程或擦除

周期结束

■

硬件复位引脚（ RESET ＃ ）

硬件复位内部状态的方法

机读方式

■

WP ＃ / ACC输入引脚

- 写保护（ WP ＃ ）功能可保护2

最外层的引导扇区，无论部门保护

状态

- 加速度（ ACC ）功能，加速项目

定时

■

扇区保护

硬件锁定的扇区的方法，无论是

在系统或使用编程设备，以

防止任何程序或内擦除操作

扇形

- 临时机构撤消允许更改数据

在系统保护部门

本文件包含有关正在开发的产品，在Advanced Micro Devices公司的信息。信息

旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作

产品，恕不另行通知。

出版＃

26492

启：

A

修正： +1

发行日期：

2003年1月27日

请参考AMD的网站（ www.amd.com ）了解最新信息。

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

概述

该Am29DS320G是32兆， 1.8伏，只闪光

存储设备，组织成16 2,097,152字

每一比特或4,194,304字节，每字节8位。字

模式数据显示在DQ15 - DQ0 ;字节模式数据

出现在DQ7 - DQ0 。该装置被设计成

在系统编程与标准1.8伏V

CC

供应，并且也可以在标准编程

EPROM编程器。

该设备是可用的以70 ， 90时的访问时间，

或120纳秒。该器件采用48引脚TSOP

和48球FBGA封装。标准控制

引脚芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）和输出

把使能（ OE ＃ ） - 控制正常的读写能操作

ations ，避免总线争用问题。

只有一个设备需要

单1.8伏电源支持

股

用于读取和写入功能。内部gener-

被提供给ated和稳压电压

编程和擦除操作。

部门。

工厂锁定部分提供了几个选项。

该SecSi扇区可存储一个安全的，随机的16字节

ESN （电子序列号） ，客户代码（亲

编程通过AMD的ExpressFlash服务） ，或

两者。

DMS （数据管理软件）

允许系统

删除EEPROM器件。通过简化系统

软件： DMS执行所有必要的功能

修改，而不是使用赎罪数据中的文件结构，

GLE -字节修改。编写或更新特定

一块数据（电话号码或配置数据，

例如）时，用户只需要规定哪一片

的数据是要被更新，并且其中所述更新后的数据

位于系统。这是一个优势的COM

相比于系统中用户编写的软件必须

跟踪的旧数据的位置，状态，顺理成章地

数据的物理转换到闪存

装置（或存储设备） ，等等。使用DMS ，

用户编写的软件不需要与接口

闪存直接。取而代之的是，用户的软件

通过调用只有六分之一的访问闪存

功能。 AMD提供了该软件，以简化系

统的设计和软件的整合工作。

该器件提供了与完整的兼容性

JEDEC单电源闪存命令集

标准。

命令被写入命令

注册使用标准的微处理器写时序。

读出的数据的设备类似于阅读

其他Flash或EPROM器件。

主机系统可以检测是否一个程序或

擦除操作完成，通过使用该设备

台站

状态位：

RY / BY ＃引脚， DQ7 （数据＃投票）和

DQ6 / DQ2 （触发位） 。编程或擦除周期后，

已经完成时，该装置自动返回

为读模式。

该

扇区擦除架构

允许内存节

器进行擦除和重新编程，而不影响

其他部门的数据内容。该装置是完全

从工厂发货时被擦除。

硬件数据保护

措施包括一个低

V

CC

探测器可以自动抑制写操作

在电源转换系统蒸发散。该

硬件部门

保护

功能禁用这两个编程和擦除

在内存的部门的任何组合操作

ORY 。这可以在系统或通过编程来实现

明装。

该器件提供两种省电功能。当

地址已经稳定一段指定的量

时，器件进入

自动休眠模式。

该系统还可以将设备插入

待机模式。

功率消耗是很大的重

duced在这两种模式。

同时读/写操作与

零延迟

同时读/写架构提供

同时操作

通过将所述存储器

空间分割成

四家银行，

2个4 Mb的银行和小

大部门，大部门的两个12 Mb的银行。

扇区地址是固定的，系统软件可

用于形成用户定义的组群。

在擦除/编程操作，任何三个

非繁忙的银行，可以读出。需要注意的是只有两

银行可以同时操作。该装置允许

主机系统编程或擦除在一家银行，然后

立即并同时从另一个读

银行，零延迟。这种释放系统从

等待完成编程或擦除

操作。

该Am29DS320G可以组织，可以是顶部或

底部引导扇区配置。

银行

银行1

2银行

3银行

4银行

兆

4兆

12 MB

12 MB

4兆

扇区大小

8个8字节/ 4千字，

七64千字节/ 32 K字

24个64字节/ 32 K字

24个64字节/ 32 K字

8个64字节/ 32 K字

Am29DS320G特点

该

SecSi

TM

（安全硅）行业

是一个256字节

额外的部门能够被永久锁定

AMD或客户。该

SecSi标志位

（ DQ7 ）是

永久设置为1 ，如果部分是

工厂锁定，

并设置为0，如果

客户可锁定。

通过这种方式，客

Tomer的可锁定的部件不能被用于替换

工厂锁定的一部分。

请注意，某些以前的AMD

32兆位Am29DS32x设备有较大的SecSi

2

Am29DS320G

2003年1月27日

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

目录

产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

特殊包装处理说明.......................................... 5

解锁绕道命令序列........................................... 25

图4.程序运行............................................. ................... 25

引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

表1.设备总线操作............................................ ................. 8

芯片擦除命令序列.............................................. ... 25

扇区擦除命令序列.............................................. 26

擦除暂停/删除恢复命令................................ 26

图5.擦除操作............................................. ....................... 27

表13.命令定义............................................. .............. 28

写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29

DQ7 ：数据＃投票............................................. ......................... 29

图6.数据＃投票算法........................................... .............. 29

字/字节配置.............................................. .................. 8

对于读阵列数据........................................... 8要求

写命令/命令序列.................................... 9

加快程序运行............................................... ...... 9

自选功能................................................ ...................... 9

同时读/写操作

零延迟............................................... ............................ 9

待机模式................................................ ................................ 9

自动休眠模式............................................... .................... 9

RESET ＃ ：硬件复位引脚............................................ ......... 10

输出禁止模式............................................... .................... 10

表2.顶部引导扇区地址........................................... ........ 11

表3.顶部引导SecSi

TM

扇区地址..................................... 12

表4.底部引导扇区地址........................................... .... 13

表5.底部引导SecSi

TM

扇区地址................................ 14

RY / BY ＃ ：就绪/忙＃ ......................................... ........................ 30

DQ6 ：切换位I ............................................. ............................. 30

图7.切换位算法............................................ .................. 30

DQ2 ：触发位II ............................................. ............................ 31

阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ........ 31

DQ5 ：超过时序限制............................................. ......... 31

DQ3 ：扇区擦除定时器............................................. ................ 31

表14.写操作状态............................................ ............. 32

绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33

图8.最大负过冲波形............................. 33

图9.最大正过冲波形.............................. 33

直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34

图10.我

CC1

电流与时间（显示主动和

自动休眠电流） .............................................. ...................... 35

图11.典型I

CC1

与频率............................................... .... 35

自选模式................................................ .......................... 15

表6.自动选择码， （高压法） ............................. 15

测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36

图12.测试设置............................................. ............................. 36

图13.输入波形和测量水平........................ 36

部门/部门块保护和unprotection的........................ 16

表7.前引导扇区/扇区块地址

为保护/ unprotection的.............................................. ..................... 16

表8.底部引导扇区/扇区块地址

为保护/ unprotection的.............................................. ..................... 16

交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37

图14.读操作时序............................................ .......... 37

图15.复位时序............................................. ......................... 38

写保护（ WP ＃ ） ............................................ ......................... 17

临时机构撤消............................................... ......... 17

图1.临时机构撤消操作................................. 17

图2.在系统扇区保护/

部门unprotection的算法............................................... ............. 18

字/字节配置（ BYTE ＃ ） .......................................... ..... 39

图16. BYTE ＃时序进行读操作.................................. 39

图17. BYTE ＃时序写操作.................................. 39

擦除和编程操作.............................................. ..... 40

图18.程序操作时序............................................ ....

图19.加速程序时序图................................

图20.芯片/扇区擦除操作时序.................................

图21.返回到后端的读/写周期时序.............................

图22.数据＃投票计时（在嵌入式算法） .......

图23.触发位计时（在嵌入式算法） ............

图24. DQ2与DQ6 ........................................... ............................

41

41

42

43

43

44

44

SecSi

TM

（安全硅）行业

闪存地区............................................... ................... 19

工厂锁定： SecSi部门编程并保护在

工厂................................................. ........................................ 19

客户可锁定： SecSi部门没有编写或受到保护

工厂................................................ ................................... 19

图3. SecSi部门保护验证........................................... ......... 20

临时机构撤消............................................... ......... 45

图25.临时机构撤消时序图..................... 45

图26.行业/部门块保护和撤消时序图46

硬件数据保护............................................... ............. 20

低VCC写禁止.............................................. .................... 20

写脉冲“毛刺”保护............................................ ......... 20

逻辑禁止................................................ ............................... 20

上电写禁止............................................. .................... 20

备用CE ＃控制的擦除和编程操作........... 47

图27.备用CE ＃控制的写入（擦除/编程）

操作时序................................................ ................................ 48

通用闪存接口（ CFI ） 。 。 。 。 。 。 。 21

表9. CFI查询标识字符串........................................... .....

表10.系统接口字符串............................................ .............

表11.设备几何定义............................................ ......

表12.主要供应商特定的扩展查询............................

21

22

22

23

擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。

闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

TSOP和SO引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

49

49

49

49

50

命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23

读阵列数据............................................... ....................... 23

复位命令................................................ .......................... 24

自选命令序列............................................... ... 24

进入SecSi

TM

行业/退出SecSi部门

命令序列................................................ ................... 24

字节/字编程命令序列................................... 24

FBD048细间距球栅阵列， 6× 12毫米......................... 50

TS 048 -薄型小尺寸封装.......................................... 51

修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 52

版本A（ 2002年5月14日） .......................................... ................. 52

版本A + 1 （ 2003年1月3日） ........................................ ........... 52

2003年1月27日

Am29DS320G

3

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

产品选择指南

产品型号

速度级别

标准电压范围： V

CC

= 1.8–2.2 V

70

70

70

30

Am29DS320G

90

90

90

40

120

120

120

50

最大访问时间（纳秒）

CE＃访问（ NS ）

OE ＃访问（ NS ）

框图

V

CC

V

SS

OE ＃ BYTE ＃

MUX

A20–A0

银行地址1

银行1

Y型门

X解码器

A20–A0

RY / BY ＃

银行地址2

2银行

X解码器

DQ15–DQ0

A20–A0

RESET＃

WE＃

CE＃

BYTE ＃

WP ＃ / ACC

DQ15–DQ0

A20–A0

X解码器

银行3地址

状态

控制

＆放大器;

命令

注册

状态

DQ15–DQ0

控制

DQ15–DQ0

MUX

3银行

Y型门

X解码器

A20–A0

MUX

4银行地址

4银行

4

Am29DS320G

DQ15–DQ0

DQ15–DQ0

2003年1月27日