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S2N7002KT

公司Bauelemente

N沟道增强型MOSFET

符合RoHS产品

的“-C”后缀指定卤素&无铅

SOT-523

特点

低门电荷的快速切换。

ESD保护门。

应用

电源管理负载开关

便携式应用如手机，媒体播放器，

数码相机，掌上电脑，游戏机，手提电脑等

包装信息

REF 。

A

B

C

D

G

J

毫米

分钟。

马克斯。

1.50

1.70

0.75

0.95

0.60

0.80

0.23

0.33

0.50BSC

0.10

0.20

REF 。

K

M

N

S

毫米

分钟。

马克斯。

0.30

0.50

o

---

10

o

---

10

1.50

1.70

最大额定值

(T

A

= 25 ℃除非另有规定）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

tp≦10μs

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

I

SD

P

D1

T

J

T

英镑

等级

30

±10

154

618

154

300

150

-55~150

单位

V

V

mA

mA

mA

mW

°C

°C

连续源电流（体二极管）

总功耗

工作结温范围

工作存储温度范围

注1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积= 1.127平方英寸[ 1盎司]包括痕迹）。

器件标识

S2N7002KT = T6

09 -APR- 2010版本A

第1页4

S2N7002KT

公司Bauelemente

N沟道增强型MOSFET

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有规定编）

特征

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅源漏

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

＊

符号

V

（ BR ） DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

政府飞行服务队

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

T

D（上）

＊

T

r

T

D（关闭）

＊

T

f

V

SD

民

30

-

-

0.5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值

-

-

-

1.0

1.4

2.3

80

11.5

10

3.5

13

15

98

60

0.77

最大

-

1.0

±25

1.5

7.0

7.5

-

-

-

-

-

-

-

-

0.9

单位

V

μA

μA

V

mS

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 100μA

V

DS

= 30V, V

GS

= 0V

V

GS

= ±10V, V

DS

=0V

V

DS

=V

GS

， ID = 100μA

V

GS

= 4.5V ，我

D

=154mA

V

GS

= 2.5V ，我

D

=154mA

V

DS

= 3V ，我

D

=154mA

开关特性

(Note2)

基本特征（注2 ）

动态特性

pF

V

DS

=5V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

开关特性

nS

V

DS

=5.0V, V

GS

= 4.5V ，我

D

=75mA,

R

G

=10

源极 - 漏极二极管的特性

V

V

GS

= 0V时，我

S

=0.154mA

脉冲测试：脉冲宽度

≦

300μS ，占空比

≦

2％

09 -APR- 2010版本A

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公司Bauelemente

N沟道增强型MOSFET

特性曲线

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特性曲线

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