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S2N7002DW
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
115毫安， 60V
双N沟道MOSFET
机械数据
SOT-363
案例： SOT- 363 ，模压塑料。
外壳材料，防火等级94V- 0
码头：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
重0.006克数（大约）
器件标识：
702
包装信息
包
SOT-363
MPQ
3K
负责人尺寸
7'寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.00
2.20
2.15
2.45
1.15
1.35
0.90
1.10
1.20
1.40
0.15
0.35
REF 。
G
H
J
K
L
毫米
分钟。
马克斯。
0.100 REF 。
0.525 REF 。
0.08
0.15
8°
0.650典型。
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏 - 源极电压
漏极 - 栅极电压
GS
＝1M
栅 - 源电压
连续漏电流
功耗
最大结点到环境
工作结&存储温度范围
注意：
1.脉冲宽度有限的最高结温。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
P
D
R
θJA
T
J
, T
英镑
等级
60
60
±20
115
380
328
-55~150
单位
V
V
V
mA
mW
C / W
°C
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
19 2011年5月修订版B
第1页3
S2N7002DW
公司Bauelemente
115毫安， 60V
双N沟道MOSFET
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
符号
分钟。
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
60
1
-
-
-
0.5
-
-
80
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2
±1
1
500
-
7.5
13.5
-
V
V
μA
μA
A
ms
V
GS
=0, I
D
=10μA
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250μA
V
DS
=0 , V
GS
= ±20V
V
DS
=60V, V
GS
=0
V
DS
=60V, V
GS
=0
V
GS
=10V, V
DS
=7.5V
V
GS
= 5V ，我
D
=0.05A
V
GS
= 10V ，我
D
=0.5A
V
DS
≧2
V
DS （ ON）
, I
D
= 0.2A
典型值。
马克斯。
单位
乳头条件
体漏二极管额定值
二极管正向导通电压
源电流连续（体二极管）
源电流脉冲
V
SD
I
S
I
SM
-
-
-
-
-
-
-1.5
-115
-800
V
mA
mA
I
S
= 115毫安，V
GS
=0
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
-
-
-
-
-
50
25
5
pF
V
DS
=25V,
V
GS
=0,
f=1MHz
开关特性
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
T
D（上）
T
D（关闭）
-
-
-
-
20
40
nS
V
DD
= 25V ，我
D
=0.5A
R
L
=50,
V
根
= 10V ，R
G
=25
http://www.SeCoSGmbH.com/
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19 2011年5月修订版B
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S2N7002DW
公司Bauelemente
115毫安， 60V
双N沟道MOSFET
特性曲线
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19 2011年5月修订版B
第3页3
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