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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第545页 > S2G
S2A~S2M
表面贴装整流器
电压
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O
对于表面安装应用程序
薄型封装
内置应变救灾
易于取放
玻璃钝化iunction
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
50到1000伏特
当前
2.0安培
机械数据
案例： JEDEC DO- 214AA模压塑料
码头：焊接镀，每MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：由阴极频带指示
标准包装：12毫米磁带（ EIA- 481 ）
重量：0.003盎司， 0.092克
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
PA RA M E TE
米喜米庵 - [R EC乌尔重新NT P EAK 已经RSE V oltage
米喜米庵 - [R M传V L T A G é
米喜米嗯D C B升摄氏度K I NG V L T A G é
米喜米庵一个已经风靡F orward C-UR重新NT在T
L
= 11 0
O
C
P·E A K F R W A R S UR克式C乌尔鄂西北： 8 。 3米S S小我NG L E公顷升F小号我NE - W A已经
s上行erimposedonratedload （ JEDEC浩会见四）
米喜米庵F R W A R D V L T A G E A吨2 。 0
米喜米庵 C R ê已经R 5式C乌尔鄂西北一吨牛逼
J
= 2 5
O
C
R A T E D D C B升摄氏度K I NG武L T A G （E T）
J
= 1 2 5
O
C
米喜米庵 UNC tioncapacita NC E（N OTE 1 ）
泰皮卡尔恩膏 esistance （N OTE 2 ）
操作摄像 unctionand S torage特mperature 法兰
S YM B○升
V
RRM
V
RMS
V
D C
I
F（ A V ）
I
F S M
V
F
I
R
C
J
R
θ
1 J L
T
J
, T
S T摹
S2A
50
35
50
S2B
100
70
100
S2D
200
140
200
S2G
400
280
400
2 .0
60
1 .1
1 .0
125
30
16
S2J
600
420
600
S2K
800
560
800
S2M
1000
700
1000
加利它s
V
V
V
A
A
V
A
pF
O
C / W
O
-5 5 1 5 0
C
注意事项：
1.Measured在1.0 MHz和应用Vr为4.0伏。
2.8.0mm
2
（ 0.013毫米厚）土地面积。
STAD-FEB.27.2009
1
PAGE 。 1
S2A~S2M
额定值和特性曲线
正向平均整流
当前，安培
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
50
100
O
峰值正向浪涌电流，
安培
60
50
40
30
单相半波60HZ
负载电阻或电感
P.C.B安装在0.3× 0.3"
（ 8.0× 8.0毫米）铜焊盘区
20
10
150
0
1
2
6
10
20
40
60
100
焊接温度，C
NO 。个周期为60Hz
图1正向电流降额曲线
100
图2最大非重复性峰值浪涌电流
瞬时反向电流
m
A
T
J
= 125 C
o
10
T
J
= 100 C
o
瞬时正向电流，
安培
10
1.0
1.0
0.1
T
A
= 25 C
O
T
J
= 25 C
o
0.1
0.01
0.01
20
40
60
80
100
120
140
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
百分比峰值反向电压， ％
正向电压，伏
图3 - 典型的反向特性
图2典型正向特性
100
结电容， pF的
50
20
10
5
2
1
0.1
T
J
=25 C
f=1.0MHz
VSIG = 50米VP.P
1.0
1
0
O
100
反向电压，伏
图5典型结电容
STAD-FEB.27.2009
1
PAGE 。 2
S2A~S2M
贴装焊盘布局
订购信息
包装信息
T / R - 每13"塑料卷3K
T / R - 0.5Kper 7 “的塑料卷盘
法律声明
版权所有强茂国际2009年公司
本文件中的信息被认为是准确和可靠。规格和此处信息
如有更改，恕不另行通知。潘日新公司对于是否适合任何担保，声明或保证其
产品针对任何特定用途。潘日新产品未被授权用于生命支持设备或系统使用。潘日新
不转达根据其专利权或他人权利的任何许可。
STAD-FEB.27.2009
1
PAGE 。 3
CREAT的艺术
S2A - S2M
2.0安培表面贴装整流器
SMB/DO-214AA
Pb
RoHS指令
合规
特点
UL认证文件＃ E- 326243
对于表面安装应用程序
玻璃钝化结
低正向压降
高电流能力
方便取放
高浪涌电流能力
采用塑料材料进行包销商
实验室分类94V- 0
高温焊接：
260 ℃ / 10秒码头
对包装后缀"G"绿色复合
代码&的日期代码前缀"G"
机械数据
案例：模压塑料
终端：纯锡电镀，无铅
极性：由阴极频带指示
包装：每EIA STD RS - 481 12毫米带
重量： 0.093 GRAMS
尺寸以英寸（毫米）
标记图
S2X
G
Y
M
=具体设备守则
=绿色复合
=年
=工作月
最大额定值和电气特性
等级25
℃
环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
类型编号
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
@T
L
=100℃
峰值正向浪涌电流， 8.3ms单一正弦半
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压（注1 ）
@ 2A
最大反向电流@额定VR
T
A
=25
℃
T
A
=125
℃
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
V
F
I
R
TRR
Cj
R
θJA
R
θJL
T
J
T
英镑
S2A
50
35
50
S2B
100
70
100
S2D
200
140
200
S2G
400
280
400
2.0
50
1.15
1
125
1.5
30
53
16
S2J
600
420
600
S2K
800
560
800
S2M
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
A
V
uA
uS
pF
O
最大反向恢复时间（注2 ）
典型结电容（注3 ）
典型热阻（注4 ）
工作温度范围
存储温度范围
注1： PW = 300微秒脉冲测试， 1 ％占空比
C / W
O
O
- 55至+ 150
- 55至+ 150
C
C
注2 ：反向恢复测试条件：我
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ，我
RR
=0.25A
注3 ：测量4.0V DC应用反向电压，在1 MHz和
注4 ：印刷电路板安装在10x10公厘的铜焊盘面积
版本： D11
额定值和特性曲线（ S2A THRU S2M ）
图1正向电流降额曲线
2.5
平均正向电流
(A)
图。 2典型的反向特性
10
2
1.5
1
0.5
0
0
20
40
60
80
100
120
焊接温度（
o
C)
140
160
电阻或
感性负载
瞬时反向电流（ UA）
TA=125℃
1
TA=100℃
0.1
TA=25℃
图。 3最大非重复正向浪涌
当前
100
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
峰值正向浪涌
光凭目前（ A）
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
10
1
1
10
循环次数在60赫兹
100
10
图。 5典型正向CHARACTERISRICS
图。 4典型结电容
100
正向电流（A ）
1
电容（pF）
10
0.1
TA=25℃
脉冲
Width=300us
1 ％占空比
0.01
TA=25℃
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
1
0.1
1
10
反向电压（ V）
100
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
正向电压（ V）
1.6
1.8
版本： D11
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736
玛丽拉
街道查茨沃斯

???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
S2A
THRU
S2M
2 AMP
硅整流
50到1000伏特
DO-214AA
（ HSMB ） （圆
LEAD ）
H
阴极带
特点
无铅涂层/符合RoHS （注1） （ "P"Suffix指定
兼容。参见订购信息）
对于表面贴装应用
低热阻
方便取放
高温焊接： 260 ℃，10秒码头
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
湿度敏感度等级1
最大额定值
工作温度： -55 ° C至+ 150°C
存储温度： -55°C至+ 150°C
最大热阻; 16
° C / W
交界处领导
MCC
目录
数
S2A
S2B
S2D
S2G
S2J
S2K
S2M
设备
记号
S2A
S2B
S2D
S2G
S2J
S2K
S2M
最大
复发
反向峰值
电压
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
最大
RMS
电压
35V
70V
140V
280V
420V
560V
700V
最大
DC
闭塞
电压
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
J
A
C
E
F
G
D
B
尺寸
英寸
民
.078
.075
.002
-----
.035
.065
.205
.160
.130
MM
民
1.98
1.90
.05
-----
.90
1.65
5.21
4.06
3.30
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
I
F（ AV ）
2.0A
T
J
= 75°C
当前
峰值正向浪涌
I
FSM
50A
8.3ms的半正弦波，
当前
T
J
= 150°C
I
FM
= 2.0A;
最大
V
F
1.15V牛逼
J
= 25°C*
瞬时
正向电压
最大直流
反向电流
I
R
10A
T
J
= 25°C
额定DC阻断
50A
T
J
= 125°C
电压
最大反向
T
rr
I
F
= 0.5A ，我
R
=1.0A,
2.0s
恢复时间
I
rr
=0.25A
典型结
C
J
30pF
在测
电容
1.0MHz的，V
R
=4.0V
*脉冲测试：脉冲宽度300
微秒，
占空比2 ％
注意：
1.
高温焊料豁免应用，见欧盟指令附件7 。
最大
.116
.089
.008
.02
.055
.091
.224
.180
.155
最大
2.95
2.25
.20
.51
1.40
2.32
5.69
4.57
3.94
记
建议焊料
焊盘布局
0.090"
0.085”
0.070”
修改：
A
www.mccsemi.com
1 4
2011/01/01
S2A S2M THRU
图1
典型的正向特性
20
10
6
4
2
安培
1
.6
.4
.2
.1
.06
.04
.02
.01
.4
.6
.8
伏
瞬时正向电流 - 安培
与
正向电压 - 伏特
1.0
1.2
1.4
安培
25°C
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
.8
.6
.4
图2
远期降额曲线
MCC
微型商业组件
TM
单相半波
0.2 60Hz的电阻
0
0
25
50
75
°C
平均正向整流电流 - 安培
与
环境温度 -
°C
100
125
150
科幻gure 3
结电容
100
60
40
20
pF
10
6
4
2
1
.1
.2
.4
1
伏
2
4
10
20
40
100
200
400
1000
结电容 - pF的
与
反向接界电势（应用V + 0.7伏） - 伏
修改：
A
www.mccsemi.com
2 4
2011/01/01
S2A S2M THRU
图4
峰值正向浪涌电流
60
50
40
30
安培
20
10
0
1
2
4
6
8 10
周期
峰值正向浪涌电流 - 安培
与
周期在60Hz数 - 周期
20
40
60 80 100
MCC
微型商业组件
图5
新的SMB组件
TM
轮领先
过程
修改：
A
www.mccsemi.com
3 4
2011/01/01
MCC
TM
微型商业组件
订购信息：
设备
型号-TP
填料
Tape&Reel ：
3Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上，反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修改：
A
4 4
2011/01/01
S2A S2M THRU
威世通用半导体
表面安装玻璃钝化整流
特点
薄型封装
适合自动放置
玻璃钝化结
低正向压降
低漏电流
高正向浪涌能力
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
260℃峰值
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
对于通用整改使用
动力
用品，
逆变器，
转换器
和
续流二极管，用于消费电子，汽车和
电信。
机械数据
案例：
DO- 214AA （ SMB ）
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须测试， HE3后缀为高可靠性等级
（ AEC Q101标准） ，符合JESD 201 2级
晶须测试
极性：
颜色频带端为负极
DO- 214AA （ SMB ）
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
I
R
V
F
T
J
马克斯。
1.5 A
50 V到1000 V.
50 A
1.0 A
1.15 V
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
L
= 100 °C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
工作和存储温度范围
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
, T
英镑
符号
S2A
SA
50
35
50
S2B
SB
100
70
100
S2D
SD
200
140
200
S2G
SG
400
280
400
1.5
50
- 55至+ 150
S2J
SJ
600
420
600
S2K
SK
800
560
800
S2M
SM
1000
700
1000
V
V
V
A
A
°C
单位
文档编号： 88712
修订： 08 -APR- 08
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1
S2A S2M THRU
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大瞬时
正向电压
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型的反向恢复时间
典型结电容
测试条件
1.5 A
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A,
I
rr
= 0.25 A
4.0 V， 1 MHz的
符号
V
F
I
R
t
rr
C
J
S2A
S2B
S2D
S2G
1.15
1.0
125
2.0
16
S2J
S2K
S2M
单位
V
A
s
pF
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
(1)
注意：
（ 1 ）从结点到环境的热阻结点到铅安装在PCB用0.3× 0.3" （ 8.0 ×8.0 MM）铜焊盘区
符号
R
θJA
R
θJL
S2A
S2B
S2D
S2G
53
16
S2J
S2K
S2M
单位
° C / W
订购信息
（例）
首选的P / N
S2J-E3/52T
S2J-E3/5BT
S2JHE3/52T
(1)
S2JHE3/5BT
(1)
注意：
（ 1 ）汽车级AEC Q101标准
单位重量（g ）
0.096
0.096
0.096
0.096
转交的封装编码
52T
5BT
52T
5BT
基地数量
750
3200
750
3200
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
1.75
负载电阻或电感
50
T
L
= 100 °C
8.3
毫秒单一正弦半波
40
平均正向电流（ A）
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0
50
70
90
110
130
150
60赫兹电阻或
感性负载
P.C.B.安装
0.27 X 0.27" （ 7.0× 7.0毫米）
铜焊盘区
峰值正向浪涌电流（ A）
30
20
10
0
1
10
100
铅温度（ ℃）
数
环，在60赫兹的
图1.正向电流降额曲线
图2.最大非重复峰值正向浪涌电流
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2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
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文档编号： 88712
修订： 08 -APR- 08
S2A S2M THRU
威世通用半导体
10
100
T
J
= 150 °C
正向电流（A ）
1
T
J
= 125 °C
结电容（pF ）
1.3
10
T
J
= 25 °C
0.1
0.01
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性
图5.典型结电容
1000
T
J
= 150 °C
100
100
10
T
J
= 125 °C
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
瞬时反向电流（ μA ）
10
1
T
J
= 25 °C
0.1
0.01
0
20
40
60
80
100
1
0.01
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图4.典型的反向特性
图6.典型的瞬态热阻抗
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 214AA （ SMB ）
贴装焊盘布局
阴极带
0.085 （ 2.159 ）最大。
0.086 (2.20)
0.077 (1.95)
0.155 (3.94)
0.130 (3.30)
0.086 （ 2.18 ）最低。
0.180 (4.57)
0.160 (4.06)
0.060 （ 1.52 ）最低。
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.220 REF 。
0.096 (2.44)
0.084 (2.13)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.008 (0.2)
0 (0)
0.220 (5.59)
0.205 (5.21)
文档编号： 88712
修订： 08 -APR- 08
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3
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文档编号： 91000
修订： 11 -MAR- 11
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1
S2A S2M THRU
表面贴装整流器
电压 - 50到1000伏特
特点
l
l
对于表面安装应用程序
高温冶金结合，不
压缩的接触中发现其他
二极管整流器构成
玻璃钝化结
内置应变消除
方便取放
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O
完整的设备潜水温度
260
J
10秒在焊料浴
电流 - 2.0安培
SMB/DO-214AA
l
l
l
l
l
机械数据
案例： JEDEC DO- 214AA模压塑料
码头：焊接镀，每MIL -STD- 750 ，
方法2026
极性：由阴极频带指示
标准包装：12毫米磁带（ EIA- 481 ）
重量：0.003盎司， 0.093克
最大额定值和电气特性
25评分
J
环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
符号
S2A
S2B
S2D
S2G
S2J
S2K
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流，
在T
L
=110
J
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦
叠加在额定负荷（JEDEC的方法）
在2.0A最大正向电压
最大直流反向电流T
A
=25
J
额定阻断电压DC牛逼
A
=125
J
最大反向恢复时间（注1 ）
典型结电容（注2 ）
典型热阻（注3 ）
工作和存储温度范围
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
I
FSM
V
F
I
R
T
RR
C
J
R
K
JL
T
J
,T
英镑
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
2.0
60.0
1.10
5.0
125
600
420
600
800
560
800
单位
1000
伏
700
伏
1000
伏
S2M
安培
安培
伏
g
A
g
S
P
F
J
/W
J
2.5
30.0
16
-55到+150
注意事项：
1.反向恢复测试条件：我
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ， IRR = 0.25A
2.测得1 MHz和应用VR = 4.0伏特
2
3. 8.0毫米（ 0.013毫米厚）土地面积
额定值和特性曲线
S2A S2M THRU
60
平均正向
整流电流，
安培
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
单相半波
60Hz的电阻或
电感的负荷P.C.B
安装在
0.3 × 0.3" （ 8.0 × 8.0毫米）铜
焊盘区
峰值正向浪涌
当前，安培
50
40
30
20
10
0
1.0
TA = 55
J
单正弦波
（ JEDEC的方法）
2.0
4.0
6.0 10
20
40
60
100
焊接温度，
J
循环次数在60Hz
图。 1 ，正向电流降额曲线
图。 2 ，最大非重复峰值正向
浪涌电流
NSTANTANEOUS正向电流，安培
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
.05
.02
.01
0.4
瞬时反向电流，
微安
1,00
10
T
J
= 125
J
1
T
J
= 75
J
T
J
= 25
J
0.1
0.01
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
百分之峰值反向电压， ％
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
正向电压，伏
图。 3 ，典型的反向特性
图。 4 ，典型正向
特征
100
70
热阻抗（ 焦耳/ W）
200
100
50
20
10
5
2
1
0.01
单位安装
2
20in
2
（ 5.4毫米） + 0.5密耳中（ 0.013毫米）
厚铜土地面积
结电容， pF的
1000
500
10
0.1
1
10
100
1
0.1
1
10
100
反向电压，伏
反向电压，伏
图。 5瞬态热阻抗
图。 6 ，典型结电容
上海SUNRISE ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
S2A S2M THRU
表面安装玻璃
钝化整流
电压： 50至1000V电流： 2.0A
特点
适用于表面贴装取
应用场所
薄型封装
内置应变救灾
高浪涌能力
高温焊接保证：
260
o
C / 10秒/端子
技术
规范
SMB/DO-214AA
B
A
C
D
F
G
A
B
MAX 。 0.155 （ 3.94 ） 0.180 （ 4.57 ）
MIN 。 0.130 （ 3.30 ） 0.160 （ 4.06 ）
E
F
MAX 。 0.220 （ 5.59 ） 0.096 （ 2.44 ）
MIN 。 0.205 （ 5.21 ） 0.084 （ 2.13 ）
机械数据
终端：每焊镀信息
MIL- STD 202E ，方法208C
案例：模压与UL - 94类别V-0
公认的阻燃环氧树脂
极性：颜色频带为负极
H
C
D
.083(2.11) .012(0.305)
.077(1.96) .006(0.152)
G
H
.008(0.203) .060(1.52)
.004(0.102) .030(0.76)
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
（单相半波，60赫兹，电阻或电感的在25
o
C，除非另有注明外，容性负载，
20％的减免电流）
评级
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
(T
L
=110
o
C)
峰值正向浪涌电流（ 8.3ms单
半正弦波叠加在额定负载）
最大正向电压
（额定电流）
反向电流最大DC
T
a
=25
o
C
（额定阻断电压DC ）
o
T
a
=125 C
符号
S2A S2B S2D S2G S2J S2K S2M
单位
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
V
F
I
R
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
2.0
60
1.1
5.0
200
o
600
420
600
800 1000
560 700
800 1000
V
V
V
A
A
V
A
A
pF
C / W
o
C
30
C
J
典型结电容
（注1 ）
16
典型热阻
（注2）R
θ
（ JA ）
-65到+150
T
英镑
,T
J
存储和工作结温
注意：
1.Measured在1.0 MHz和应用4.0V的电压
dc
结2.Thermal耐终端安装在5 × 5毫米铜焊盘面积
http://www.sse-diode.com
S2A-S2M
分立功率&信号
技术
S2A - S2M
0.185 (4.699)
0.160 (4.064)
特点
方便取放。
低正向压降。
高电流能力。
高浪涌电流能力。
0.083 (2.108)
0.075 (1.905
)
2
1
0.155 (3.937)
0.130 (3.302)
0.220 (5.588)
0.200 (5.080)
SMB/DO-214AA
颜色频带为负极
0.096 (2.438)
0.083 (2.108)
1.5安培玻璃钝化整流器
绝对最大额定值*
符号
I
O
i
F（浪涌）
P
D
R
θJC
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
0.050 (1.270)
0.030 (0.762)
0.008 (0.203)
0.004 (0.102)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
参数
平均整流电流
@ T
A
= 100°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳**
存储温度范围
工作结温
价值
1.5
单位
A
50
2.35
18.8
16
-65到+150
-65到+150
A
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
**
设备安装在FR- 4 PCB 0.013毫米。
电气特性
参数
2A
反向重复峰值电压
最大RMS电压
DC反向电压（额定V
R
)
最大反向电流
T
A
= 25°C
@额定V
R
T
A
= 125°C
最大正向电压@ 1.5 A
最大反向恢复时间
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
rr
= 0.25 A
典型结电容
V
R
= 4.0 V，F = 1.0 MHz的
50
35
50
T
A
= 25 ° C除非另有说明
设备
2B
100
70
100
2D
200
140
200
2G
400
280
400
1.0
125
1.15
2.0
30
2J
600
420
600
2K
800
560
800
2M
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
A
V
S
pF
1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
S2A - S2M ，版本A
S2A-S2M
表面贴装整流器
（续）
典型特征
非重复浪涌电流
峰值正向浪涌电流（ A）
50
正向电流降额曲线
2
正向电流（ A）
1.5
40
30
1
0.5
电阻或
感性负载
P.C.B.安装
8.0× 8.0毫米
铜焊盘区
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度（
C)
175
0
1
2
5
10
20
50
循环次数在60Hz
100
正向特性
10
反向电流（
A)
10
反向特性
T
A
= 125
C
正向电流（ A）
1
1
T
A
= 100
C
0.1
T
A
= 25
C
脉冲宽度= 300μS
2 ％的占空比
0.1
T
A
= 25
C
0.01
0.4
0.01
0.6
0.8
1
1.2
1.4
正向电压（ V）
1.6
0
20
40
60
80
100
120
140
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
结电容
100
50
电容（pF）
20
10
5
2
1
0.1 0.2
0.5 1
2
5 10 20
反向电压（ V）
50 100
S2A - S2M ，版本A
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
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S473-0030-02
SF5G42
SD150N04MSC
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SPMQ461-01
S72WS256PE0JF0HG0
SD-A3DALDE-FREQ
S71WS256NB0BFWAJ2
SI470M80
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SK36C
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