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S29GL-N
的MirrorBit 闪存系列
S29GL512N , S29GL256N , S29GL128N
512兆, 256兆和128兆,
3.0伏只页面模式闪存特色
110纳米的MirrorBit 工艺技术
数据表
请注意,以读者:
这份文件指出目前的技术规格
关于本文所描述的飞索产品(S) 。 Spansion公司认为该
产品一直在足够生产量,使得后续
本文档的版本都不会改变。然而,排印
或规范更正或修改的有效组合提供
可能会发生。
公开号
S29GL-N_00
调整
B
修订
3
发行日期
2006年10月13日
D A T A
中文ê (E T)
请注意在数据表牌号
Spansion公司发布的数据表具有超前信息或初步指示来提醒
产品信息在整个产品生命周期的读者或意图规范,在 -
cluding开发,认证,初期生产,满负荷生产。在所有的情况下,但是,
我们鼓励读者以验证它们是否有最新的信息,最终确定自己的DE-前
签收。 Spansion的数据表名称的下面说明在此呈现给高亮
点燃他们的存在和定义。
超前信息
事前信息认证表明Spansion公司正在开发一个或多个
具体的产品,但并没有承诺任何设计到生产。在提交信息
与此指定文件很可能会改变,并且在某些情况下,开发上在本产品
UCT可能会停止。因此, Spansion公司在高级Infor公司则以下列条件
息内容:
“本文件包含有关正在开发中的一个或多个产品的信息,在Spansion公司的
信息旨在帮助您评估该产品。本产品不CON-不要设计
tacting工厂。 Spansion公司保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。 “
初步
预指定表示该产品的开发已取得进展,使得一
致力于生产已经发生。此指定涵盖在本产品的几个方面
UCT生命周期,包括产品合格,初始生产,并在随后的阶段
满负荷生产达到之前发生的制造工艺。更改技术
在初步号文件提出要规范,同时保持这些AS-预期
生产正在考虑pects 。飞索款规定Prelimi-下列条件
进制内容:
“这份文件指出目前的技术规范关于Spansion公司产品(第)描述
在本文中。本文件的初步情况显示,产品合格已经完成,
而且最初的生产已经开始。由于在制造过程中,需要相
保持效率和质量,这个文件可以通过后续的版本或modifica-修改
由于系统蒸发散变化的技术规范“。
组合
有些数据表包含的产品具有不同的名称(组合提前在 -
形成初步或全部生产) 。这种类型的文件将区分这些产品
和它们的名称在必要时,通常在第一页,订货信息
页面,并与DC特性表和AC擦除和编程表页(表
注释) 。在第一页的免责声明是指读者在此页上的通知。
满负荷生产(在文件没有指定)
当产品已经生产了一段时间,使得不改变或仅标称
改变预期,初步指定从数据表中删除。公称
变化可以包括那些影响订货可用的部件号,如数量
另外的一个速度的选择,温度范围,包类型,或V或缺失
IO
范围内。变化
也包括那些需要澄清说明或纠正拼写错误或新断路器
RECT规范。 Spansion公司采用下列条件这一类的文件:
“这份文件指出目前的技术规范关于Spansion公司产品(第)描述
在本文中。 Spansion公司认为该产品已经在足够的生产量,这样子
本文档的序贯版本预计不会改变。但是,印刷或者规格
更正或修改提供可能发生的有效组合。 “
有关这些文件名称的问题,可向当地的销售办事处。
ii
S29GL -N的MirrorBit 闪存系列
2006年S29GL - N_00_B3 10月13日,
S29GL-N
的MirrorBit 闪存系列
S29GL512N , S29GL256N , S29GL128N
512兆, 256兆和128兆,
3.0伏只页面模式闪存特色
110纳米的MirrorBit 工艺技术
数据表
特色鲜明
架构优势
单电源工作
- 3伏读取,擦除和编程操作
增强VersatileI / O 控制
- 所有的输入电平(地址,控制和DQ的输入电平)
和产出是由电压V确定
IO
输入。
V
IO
范围为1.65至V
CC
在110纳米的MirrorBit工艺制造
技术
安全硅行业区域
- 128字/ 256字节扇区永久的,安全的
通过一个8字/ 16字节的随机identi网络阳离子
电子序列号,通过一个可访问
命令序列
- 可被编程并锁定在工厂或通过
客户
灵活的部门架构
- S29GL512N :五百年12 64 K字( 128
千字节)部门
- S29GL256N :200名56 64 K字( 128
千字节)部门
- S29GL128N :一百28 64 K字
( 128字节)部门
与JEDEC标准兼容
- 提供的引脚和软件兼容
单电源闪存,以及优越的疏忽
写保护
每个部门的典型100,000次擦除周期
20年的数据保存典型
512 MB
封装选项
- 56引脚TSOP
- 64 - ball加固BGA
软件&硬件功能
软件特点
- 程序挂起和恢复:读取其他行业
编程操作完成之前
- 擦除挂起和恢复:读/程序等
擦除操作之前,扇区结束
- 数据#投票和切换位提供状态
- 解锁绕道程序命令的整体降低
多字编程时间
- CFI (通用闪存接口)兼容:允许主机
系统识别并容纳多个闪光灯
器件
硬件特性
- 高级扇区保护
- WP # / ACC输入加速编程时间
(高施加电压时)更大的吞吐量
在系统的生产。保护第一个或最后一个扇区
不管扇区保护设置
- 硬件复位输入( RESET # )复位装置
- 就绪/忙#输出( RY / BY # )检测程序或
擦除周期结束
产品供货表
密度
INIT 。访问
110纳秒
100纳秒
110纳秒
256 MB
100纳秒
90纳秒
110纳秒
128 MB
100纳秒
90纳秒
V
CC
监管
监管
供货情况
NOW
NOW
NOW
NOW
NOW
NOW
NOW
NOW
性能特点
高性能
90 ns访问时间( S29GL128N , S29GL256N )
100纳秒( S29GL512N )
8字/ 16字节的页面读取缓冲区
25 ns的页面读取时间
16字/ 32字节的写缓冲整体减少
编程时间多字的更新
低功耗( 3.0 V典型值, 5
兆赫)
- 40 mA典型有效的读电流;
- 80 mA典型的擦除/编程电流
- 1 μA典型待机模式电流
公开号
S29GL-N_00
调整
B
修订
3
发行日期
2006年10月13日
D A T A
中文ê (E T)
概述
该S29GL512 / 256 / 128N系列器件是3.0V单电源闪存制造
捕获的原始图像采用110纳米MirrorBit技术。该S29GL512N是512兆比特,作为举办
33554432字或67108864个字节。该S29GL256N是256兆比特,作为举办
16777216字或33554432个字节。该S29GL128N是128兆比特,作为举办
8,388,608字或16777216个字节。该器件具有一个16位宽的数据总线,也可以
功能通过使用字节#输入一个8位宽的数据总线。该设备可被编程
无论是在主机系统或标准EPROM编程器。
存取时间快90纳秒( S29GL128N , S29GL256N ) ,为100 ns ( S29GL512N )可供选择。
请注意,每个存取时间具有特定的工作电压范围(Ⅴ
CC
)和一个I / O电压
范围(V
IO
) ,作为在指定
产品选择指南,第6页
订购Infor公司
息,第12页。
该器件采用56引脚TSOP和64 - ball加固BGA
封装。每台设备都有单独的芯片使能( CE # ) ,写使能( WE# )和输出使能
( OE # )控制。
只有每个设备都需要
单3.0伏电源
用于读取和写入功能。
除了为V
CC
输入,高电压
加速计划( WP # / ACC )
输入提供
通过加大电流缩短编程时间。此功能的目的是便于
工厂生产能力系统在生产过程中,但也可在该领域需要时可以使用。
这些器件完全指令集的兼容
JEDEC单电源
闪存标准。
命令使用标准微处理器写入写入器件
时序。写周期内部也锁存地址和所需的编程数据
擦除操作。
扇区擦除架构
允许存储扇区进行擦除和重新编程
在不影响其他部门的数据内容。运时,该设备被完全擦除
从工厂。
器件编程和擦除是通过命令序列启动。一旦一个程序
或擦除操作已经开始,主机系统只需要轮询DQ7 (数据#查询)或DQ6
(切换)
状态位
或监控
就绪/忙# ( RY / BY # )
输出,以确定是否
操作完成。为了方便用户进行编程,一个
解锁绕道
模式减少的COM
命令序列开销只需要两个写周期编程数据,而不是四个。
增强VersatileI / O
(V
IO
)控制允许主机系统设置的电压电平
该装置产生和容忍所有的输入电平(地址,芯片控制,和DQ输入
水平),以相同的电压电平被置位在V
IO
引脚。这使得设备
在1.8 V或3 V系统环境的要求进行操作。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
探测器可以自动抑制
在电源转换写入操作。
持久扇区保护
提供-系
统,扇区的任何组合的使用单电源供电的命令启用保护
在V
CC
.
密码扇区保护
防止未经授权的写入和擦除操作
扇区通过用户定义的64位密码任意组合。
擦除暂停/删除恢复
功能允许主机系统暂停擦除OP-
关合作在给定扇区读或写其他部门,然后完成擦除
操作。该
程序挂起/恢复计划
功能使主机系统
暂停程序运行在一个给定扇区读取任何其他部门,然后完成
程序操作。
硬件RESET #引脚
终止所有运行中的进步和重置设备,
在这之后就准备好了一个新的操作。在RESET #引脚可连接到系统
复位电路。系统复位将因此还重置设备,使主机系统
读取来自闪存设备引导固件。
2
S29GL -N的MirrorBit 闪存系列
2006年S29GL - N_00_B3 10月13日,
D A T A
中文ê (E T)
该装置降低了功耗,在
待机模式
它检测到特定的电压时,
在CE #水平和RESET # ,或者当地址已经稳定在指定的时间段。
安全硅行业
提供了一个128字/ 256字节的区域代码或数据可以
被永久保护。一旦这个行业被保护,行业内没有进一步的变化
可能发生。
写保护( WP # / ACC )
功能通过产生一个逻辑保护的第一个或最后一个扇区
低的WP #引脚。
的MirrorBit闪存技术,结合多年的闪存制造经验,以亲
达斯的质量,可靠性和成本效益最高的水平。该装置电
通过热孔辅助擦除同时擦除一个扇区内的所有位。该数据是亲
编程使用热电子注入。
2006年S29GL - N_00_B3 10月13日,
S29GL -N的MirrorBit 闪存系列
3
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