S29GLxxxN的MirrorBit

TM

快闪族

S29GL512N ， S29GL256N ， S29GL128N

512兆， 256兆和128兆，

3.0伏只页面模式闪存特色

110纳米的MirrorBit制程技术

数据表

ADVANCE

信息

特色鲜明

架构优势

单电源工作

- 3伏读取，擦除和编程操作

增强VersatileI / O 控制

- 所有的输入电平（地址，控制和DQ的输入电平）

和产出是由电压V确定

IO

输入。

V

IO

范围为1.65至V

CC

在110纳米的MirrorBit工艺制造

技术

SecSi （安全硅）扇形区域

- 128字/ 256字节扇区永久的，安全的

通过一个8字/ 16字节的随机identi网络阳离子

电子序列号，通过一个可访问

命令序列

- 可被编程并锁定在工厂或通过

客户

灵活的部门架构

- S29GL512N ：五百年12 64 K字（ 128

千字节）部门

- S29GL256N ：200名56 64 K字（ 128

千字节）部门

- S29GL128N ：一百28 64 K字

（ 128字节）部门

与JEDEC标准兼容

- 提供单引脚排列和软件的兼容性

电源闪光灯，和优越的意外写

保护

每个部门的典型100,000次擦除周期

20年的数据保存典型

软件&硬件功能

软件特点

- 程序暂停&简历：读取其他行业

编程操作完成之前

- 擦除挂起&简历：读/程序等

擦除操作之前，扇区结束

- 数据＃轮询&触发位提供状态

- 解锁绕道程序命令的整体降低

多字或字节编程时间

- CFI （通用闪存接口）兼容：允许主机

系统识别并容纳多个闪光灯

器件

硬件特性

- 高级扇区保护

- WP ＃ / ACC输入加速编程时间

（高施加电压时）更大的吞吐量

在系统的生产。保护第一个或最后一个扇区

不管扇区保护设置

- 硬件复位输入（ RESET ＃ ）复位装置

- 就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）检测程序或

擦除周期结束

性能特点

高性能

- 80 ns访问时间（ S29GL128N ， S29GL256N ）

90 ns访问时间（ S29GL512N ）

- 8字/ 16字节读出页缓冲器

- 25 ns的页读取时间

- 16字/ 32字节的写缓冲整体减少

编程时间多字的更新

低功耗（ 3.0 V典型值， 5

兆赫）

- 40 mA典型有效的读电流;

- 80 mA典型的擦除/编程电流

- 1 μA典型待机模式电流

封装选项

- 56引脚TSOP

- 64 - ball加固BGA

公开号

27631

调整

A

修订

4

发行日期

2004年5月13日

本文件包含有关正在开发的产品在FASL LLC的信息。该信息旨在帮助您评估该产品。 FASL LLC保留

有权对这个提议的产品更改或停止工作，恕不另行通知。

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

概述

该S29GL512 / 256 / 128N系列器件是3.0V单电源闪存

采用110纳米MirrorBit技术制造。该S29GL512N是512兆比特，

组织为33554432字或67108864个字节。该S29GL256N是256

兆比特，组织为16777216字或33554432个字节。该S29GL128N是

128兆比特，作为组织8,388,608字或16777216个字节。该设备具有

一个16位宽的数据总线，还可以通过使用作为一个8位宽的数据总线

该BYTE ＃输入。该设备可以在主机系统或在被编程

标准EPROM编程器。

存取时间快80纳秒（ S29GL128N ， S29GL256N ）或90纳秒（ S29GL512N ）

是可用的。请注意，每个存取时间具有特定的工作电压范围内

(V

CC

）和一个I / O电压范围（Ⅴ

IO

） ，作为在指定

产品选择指南

和

订购信息（ 512 MB）

部分。这些器件在提供56-

引脚TSOP或者64 ball加固BGA封装。每个设备都有独立的芯片使能

（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。

只有每个设备都需要

单3.0伏电源

用于读取和

写功能。除了为V

CC

输入，高电压

加速计划

（ WP ＃ / ACC ）

输入通过提高电流提供了更短的编程时间

租。该功能的目的是系统中便于工厂产能

生产，但也可在该领域需要时可以使用。

这些器件完全指令集的兼容

JEDEC单

电源闪存标准。

命令使用写入设备

标准的微处理器写时序。写周期内部也锁存地址

和所需的编程数据和擦除操作。

该

扇区擦除架构

允许存储扇区被擦除和重现

编程，而不会影响其他部门的数据内容。该装置是完全

从工厂发货时被擦除。

器件编程和擦除是通过命令序列启动。

一旦编程或擦除操作开始时，主机系统只需要轮询

DQ7 （数据＃查询）或DQ6 （切换）

状态位

或监控

就绪/忙＃

（ RY / BY ＃ ）

输出，以确定操作是否已经完成。为了方便

节目中，

解锁绕道

模式减少指令序列的开销

通过要求只有两个写周期编程数据，而不是四个。

该

增强VersatileI / O

(V

IO

）控制允许主机系统设置

电压等级的设备生成并容许所有的输入电平（地址，

芯片控制，和DQ的输入电平），以相同的电压电平被置上

在V

IO

引脚。这使该器件能够在1.8 V或3 V系统运行环境

按要求换货。

硬件数据保护

措施包括低V

CC

探测器automat-

ically在电源转换禁止写操作。

持久性行业

保护

提供系统，指挥功能保护任意组合的

用在V单电源供电部门化

CC

.

密码扇区保护

防止未经授权的写入和部门的任意组合擦除操作

通过用户定义的64位的密码。

该

擦除暂停/删除恢复

功能允许主机系统暂停

擦除操作中的一个给定扇区中读取或编程的任何其他扇区，然后

完成擦除操作。该

程序挂起/恢复计划

为特色的

TURE使主机系统暂停在一个给定的扇区分配给一个程序的操作

阅读任何其他部门，然后完成程序操作。

2

S29GLxxxN MirrorBitTM闪存系列

27631A4 2004年5月13日

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

该

硬件RESET ＃引脚

终止正在进行的任何操作，并复位

装置，在这之后就准备好用于新的操作。在RESET ＃引脚可

绑在系统复位电路。系统复位将因此还重新设置设备，

使主机系统可以从闪存中读出引导固件

装置。

该装置降低了功耗，在

待机模式

当它检测到

特定的电压水平对CE ＃和RESET ＃ ，或者当地址已经稳定

对于在指定的时间周期。

该

SecSi （安全硅）行业

提供了一个128字/ 256字节的区域为

可永久保护代码或数据。一旦这个行业是受保护的，

该部门没有进一步的变化可能发生。

该

写保护（ WP ＃ / ACC ）

功能保护通过AS-的第一个或最后一个扇区

serting逻辑低的WP ＃引脚。

的MirrorBit闪存技术，结合多年的闪存制造expe-

磨练产生的质量，可靠性和成本效益最高的水平。

该设备通过电气热空穴同时擦除一个扇区内的所有位

协助擦除。的数据是使用热电子注入编程。

2004年5月13日27631A4

S29GLxxxN MirrorBitTM闪存系列

3

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

目录

产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.6

S29GL512N ..............................................................................................................6

S29GL256N .............................................................................................................6

S29GL128N ..............................................................................................................6

通用闪存接口（ CFI ） 。 。 。 。 。 。 。 53

表9.系统接口字符串.......................................... 55

命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 57

读阵列数据............................................... ............................................ 58

复位命令................................................ ................................................. 58

自选命令序列............................................... .................... 58

进入SecSi部门/退出SecSi部门命令序列................... 59

Word程序命令序列.............................................. ............ 59

解锁绕道命令序列.............................................. .......... 60

写缓冲区编程............................................... .......................... 60

加快程序................................................ ..................................... 61

图1.写缓冲区编程操作....................... 63

图2.程序运行............................................. .. 64

框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.8

特殊包装处理说明.............................................. .............. 9

逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

S29GL512N ......................................................................................................... 11

S29GL256N ........................................................................................................ 11

S29GL128N ........................................................................................................ 11

订购信息（ 512 MB） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

订购信息（ 256 MB ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

订购信息（ 128 MB） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

表1.设备总线操作........................................... 15

程序挂起/恢复程序命令序列.................... 64

图3.程序挂起/恢复程序........................ 65

字/字节配置.............................................. ................................... 15

VersatileIO

TM

(V

IO

）控制................................................ .............................. 15

对于读阵列数据要求............................................. ............ 16

页面模式读取............................................... ............................................... 16

写命令/命令序列............................................. .... 16

写缓冲器......................................................................................................17

加快程序运行............................................... ................. 17

自选功能................................................ ...................................... 17

待机模式........................................................................................................17

自动休眠模式............................................... ........................................ 17

RESET ＃ ：硬件复位引脚............................................ ............................. 18

输出禁止模式............................................... ......................................... 18

表2扇区地址表， S29GL512N ........................... 18

表3扇区地址表， S29GL256N ........................... 33

表4.扇区地址表， S29GL128N ........................... 40

芯片擦除命令序列.............................................. ..................... 65

扇区擦除命令序列.............................................. .................. 66

图4.擦除操作............................................. ...... 67

擦除暂停/删除恢复命令............................................ ...... 67

锁定寄存器命令集定义............................................. ....... 68

密码保护命令集定义...................................... 68

非易失性扇区保护命令集定义.................. 70

全球挥发性扇区保护冻结命令集...................... 70

挥发性扇区保护命令集............................................. ...... 71

SecSi行业进入命令.............................................. ............................ 71

SecSi部门退出命令.............................................. ............................. 72

命令定义................................................ ........................................ 73

表12. S29GL512N ， S29GL256N ， S29GL128N命令Defini-

系统蒸发散， X16 ............................................... .......................... 73

表13. S29GL512N ， S29GL256N ， S29GL128N命令Defini-

系统蒸发散， X8 ............................................... ............................ 76

自选模式................................................ ................................................ 44

表5.自动选择码， （高压法） ................ 45

写操作状态............................................... .................................... 78

DQ7 ：数据＃投票............................................. .............................................. 78

图5.数据＃轮询算法........................................ 80

扇区保护................................................ ................................................ 45

持久扇区保护............................................... ........................ 45

密码扇区保护............................................... ......................... 45

WP ＃硬件保护.............................................. ........................... 45

选择一个扇区保护模式............................................. ............ 45

高级扇区保护............................................... ........................... 46

锁定注册....................................................................................................... 46

表6.锁定寄存器............................................. ........... 47

RY / BY ＃ ：就绪/忙＃ ......................................... .............................................. 80

DQ6 ：切换位I ............................................. .................................................. 0.81

图6.切换位算法............................................ 。 82

DQ2 ：触发位II ............................................. ................................................. 82

阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ......................... 83

DQ5 ：超过时序限制............................................. ........................... 83

DQ3 ：扇区擦除定时器............................................. ................................... 83

DQ1 ：写入到缓冲区中止.......................................... ................................. 84

表14.写操作状态......................................... 84

图7.最大负过冲波形................. 85

图8.最大正

过冲波形................................................ .......... 85

持久扇区保护............................................... ............................ 47

动态保护位（ DYB ） ............................................ ....................... 47

持久保护位（ PPB ） ............................................ ..................... 48

持久保护位锁定（ PPB锁定位） ..................................... 49

表7.扇区保护计划..................................... 49

持久保护模式锁定位............................................. ............. 49

密码扇区保护............................................... ............................ 50

密码和密码保护模式锁定位............................... 50

64位密码....................................................................................................51

持久保护位锁定（ PPB锁定位） ......................................... ... 51

SecSi （安全硅）部门闪存区............................... 51

写保护（ WP ＃ ） ............................................ ............................................ 53

硬件数据保护............................................... ............................... 53

低VCC写禁止.............................................. .................................. 53

写脉冲“毛刺”保护............................................ .................... 53

逻辑禁止...................................................................................................53

上电写禁止............................................. ................................... 53

工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 85

直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86

测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 87

图9.测试设置............................................. .............. 87

表15.测试规范............................................. ..87

关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 87

图10.输入波形和

测量级别................................................ ........... 87

交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 88

只读操作， S29GL512N只有........................................... ....... 88

只读操作， S29GL256N只有........................................... ...... 89

只读操作， S29GL128N只有........................................... ....... 90

图11.读操作时序....................................... 91

图12.页读时序............................................ .. 91

2004年5月13日27631A4

S29GLxxxN MirrorBitTM闪存系列

4

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

硬件复位（ RESET ＃ ） ............................................ .................................. 92

图13.复位时序............................................. ........ 92

擦除和编程操作， S29GL512N只有................................... 93

擦除和编程操作， S29GL256N只有................................. 94

擦除和编程操作， S29GL128N只有................................... 95

图14.编程操作时序.................................. 96

图15.加速程序时序图.................... 96

图16.芯片/扇区擦除操作时序..................... 97

图17.数据＃投票计时

（在嵌入式算法） ............................................ 98

图18.触发位计时（在嵌入式算法） .. 99

图19. DQ2与DQ6 ........................................... ........... 99

备用CE ＃控制的擦除和编程操作 -

S29GL256N只有................................................ ................................................ 101

备用CE ＃控制的擦除和编程操作 -

S29GL128N只有................................................ ............................................... 102

图20.备用CE ＃控制的写入（擦除/编程）

操作时序................................................ ............ 103

擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 104

引脚TSOP和BGA封装电容。 。 。 。 104

物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.105

TS056-56针标准薄型小尺寸封装（ TSOP ） ............ 105

LAA064-64 - ball加固球栅阵列（ FBGA ） .............................. 106

备用CE ＃控制的擦除和编程操作 -

S29GL512N只有................................................ ............................................... 100

修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 107

2004年5月13日27631A4

S29GLxxxN MirrorBitTM闪存系列

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