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S29GL -M的MirrorBit
TM
快闪族
S29GL256M , S29GL128M , S29GL064M , S29GL032M
256兆, 128兆, 64兆, 32兆,
3.0伏只页面模式闪存特色
0.23微米的MirrorBit工艺技术
数据表
该产品系列已经退休,不建议设计。对于新的和现有的设计, S29GL032A , S29GL064A , S29GL128N和S29GL256N取代S29GL032M ,
S29GL064M , S29GL128M和S29GL256M分别。这些都是工厂推荐的迁移路径。请参考S29GL -A和S29GL -N数据表的规格
和订购信息。可用性本文档的保留仅供参考,历史的目的。
请注意,以读者:
这份文件指出目前的技术规格
关于本文所描述的飞索产品(S) 。 Spansion公司认为该
产品一直在足够生产量,使得后续
本文档的版本都不会改变。然而,排印
或规范更正或修改的有效组合提供
可能会发生。
公开号
S29GL-M_00
调整
B
修订
6
发行日期
2006年10月10日
D A T A
中文ê (E T)
请注意在数据表牌号
Spansion公司发布的数据表具有超前信息或初步指示来提醒
产品信息在整个产品生命周期的读者或意图规范,在 -
cluding开发,认证,初期生产,满负荷生产。在所有的情况下,但是,
我们鼓励读者以验证它们是否有最新的信息,最终确定自己的DE-前
签收。 Spansion的数据表名称的下面说明在此呈现给高亮
点燃他们的存在和定义。
超前信息
事前信息认证表明Spansion公司正在开发一个或多个
具体的产品,但并没有承诺任何设计到生产。在提交信息
与此指定文件很可能会改变,并且在某些情况下,开发上在本产品
UCT可能会停止。因此, Spansion公司在高级Infor公司则以下列条件
息内容:
“本文件包含有关正在开发中的一个或多个产品的信息,在Spansion公司的
信息旨在帮助您评估该产品。本产品不CON-不要设计
tacting工厂。 Spansion公司保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。 “
初步
预指定表示该产品的开发已取得进展,使得一
致力于生产已经发生。此指定涵盖在本产品的几个方面
UCT生命周期,包括产品合格,初始生产,并在随后的阶段
满负荷生产达到之前发生的制造工艺。更改技术
在初步号文件提出要规范,同时保持这些AS-预期
生产正在考虑pects 。飞索款规定Prelimi-下列条件
进制内容:
“这份文件指出目前的技术规范关于Spansion公司产品(第)描述
在本文中。本文件的初步情况显示,产品合格已经完成,
而且最初的生产已经开始。由于在制造过程中,需要相
保持效率和质量,这个文件可以通过后续的版本或modifica-修改
由于系统蒸发散变化的技术规范“。
组合
有些数据表包含的产品具有不同的名称(组合提前在 -
形成初步或全部生产) 。这种类型的文件将区分这些产品
和它们的名称在必要时,通常在第一页,订货信息
页面,并与DC特性表和AC擦除和编程表页(表
注释) 。在第一页的免责声明是指读者在此页上的通知。
满负荷生产(在文件没有指定)
当产品已经生产了一段时间,使得不改变或仅标称
改变预期,初步指定从数据表中删除。公称
变化可以包括那些影响订货可用的部件号,如数量
另外的一个速度的选择,温度范围,包类型,或V或缺失
IO
范围内。变化
也包括那些需要澄清说明或纠正拼写错误或新断路器
RECT规范。 Spansion公司采用下列条件这一类的文件:
“这份文件指出目前的技术规范关于Spansion公司产品(第)描述
在本文中。 Spansion公司认为该产品已经在足够的生产量,这样子
本文档的序贯版本预计不会改变。但是,印刷或者规格
更正或修改提供可能发生的有效组合。 “
有关这些文件名称的问题,可向当地的销售办事处。
ii
S29GL -M的MirrorBit
TM
快闪族
2006年S29GL - M_00_B6 10月10日,
S29GL -M的MirrorBit
TM
快闪族
S29GL256M , S29GL128M , S29GL064M , S29GL032M
256兆, 128兆, 64兆, 32兆,
3.0伏只页面模式闪存特色
0.23微米的MirrorBit工艺技术
数据表
该产品系列已经退休,不建议设计。对于新的和现有的设计, S29GL032A , S29GL064A , S29GL128N ,
分别S29GL256N取代S29GL032M , S29GL064M , S29GL128M和S29GL256M 。这些工厂迁移推荐
路径。请参考S29GL -A和S29GL -N数据表的规格和订购信息。可用性此文件被保留
仅供参考,历史的目的。
特色鲜明
架构优势
单电源工作
- 3伏读取,擦除和编程操作
在0.23微米的MirrorBit工艺制造
技术
安全硅行业区域
- 128字/ 256字节扇区永久的,安全的
通过一个8字/ 16字节的随机identi网络阳离子
电子序列号,通过一个可访问
命令序列
- 可被编程并锁定在工厂或通过
客户
灵活的部门架构
- 256 MB : 512 32 - K字( 64字节)部门
- 128兆: 256 32 - K字( 64字节)部门
- 64 MB (统一的行业模型) : 128 32 - K字
( 64字节)部门或128 32K字扇区
- 64 MB (引导扇区型号) : 127 32 - K字
( 64字节)部门+ 8 4Kword ( 8K字节)引导扇区
- 32 MB (统一的行业模型) : 64 32 K字
( 64字节) 64 32 - K字行业部门
- 32 MB (引导扇区型号) : 63 32 K字( 64字节)
行业+ 8的4 K字( 8字节)引导扇区
与JEDEC标准兼容
- 提供单引脚排列和软件的兼容性
电源闪光灯,和优越的意外写
保护
10万次擦写每个扇区的典型
20年的数据保存典型
- 16字/ 32字节的写缓冲整体减少
编程时间多字的更新
低功耗( 3.0 V典型值,
5兆赫)
- 17 mA典型有效的读电流( 64兆, 32兆)
- 40 mA典型有效的读电流( 256 MB , 128 MB)
- 80 mA典型的擦除/编程电流
- 1 μA典型待机模式电流
封装选项
- 40针TSOP
- 48引脚TSOP
- 56引脚TSOP
- 64 - ball加固BGA
- 48球精细间距BGA
- 63球精细间距BGA
软件&硬件功能
软件特点
- 程序暂停&简历:读取其他行业
编程操作完成之前
- 擦除挂起&简历:读/程序等
擦除操作之前,扇区结束
- 数据#轮询&触发位提供状态
- CFI (通用闪存接口)兼容:允许主机
系统识别并容纳多个闪光灯
器件
- 解锁绕道程序命令的整体降低
多字编程时间
硬件特性
- 部门组保护:硬件级别的方法
防止内业组写操作
- 临时机构撤消: V
ID
的-level方法
在锁定行业的收费代码
- WP # / ACC输入加速编程时间
(高施加电压时)更大的吞吐量
在系统的生产。保护第一个或最后一个扇区
无论对统一扇区保护设置
模特界
- 硬件复位输入( RESET # )复位装置
- 就绪/忙#输出( RY / BY # )检测程序或
擦除周期结束
性能特点
高性能
- 90 ns的存取时间( 128兆, 64兆, 32兆) ,
100 ns访问时间( 256 MB )
- 4字/ 8字节读取页面缓冲器
- 25 ns的页面读取次数( 128兆, 64兆, 32兆)
- 30 ns的页读取次数( 256 MB )
- 16字/ 32字节的写缓冲区
公开号
S29GL-M_00
调整
B
修订
6
发行日期
2006年10月10日
D A T A
中文ê (E T)
概述
该S29GL256 / 128 / 064 / 032M系列器件是3.0 V单电源闪存制造
捕获的原始图像采用0.23微米的MirrorBit技术。该S29GL256M是256 兆位,组织为16777216
字或33554432个字节。该S29GL128M是128兆,组织为8,388,608字或
16777216字节。该S29GL064M是64兆比特,作为组织4,194,304字或8,388,608字节。
该S29GL032M是32兆,组织成2,097,152字或4,194,304字节。根据不同的
型号,该设备具有一个8位宽的数据总线仅仅只, 16位宽的数据总线,或者一个16位
宽数据总线,也可以通过使用字节#输入充当一个8位宽的数据总线。该器件
无论是在主机系统或在标准EPROM编程器进行编程。
存取时间快90纳秒( S29GL128M , S29GL064M , S29GL032M )或100纳秒( S29GL256M )是
可用。请注意,每个存取时间具有特定的工作电压范围(Ⅴ
CC
)中所指定
产品选择指南
订购信息
段起于
第16页。
套餐优惠 -
英格斯包括40引脚TSOP ,48引脚TSOP , 56引脚TSOP , 48球细间距BGA , 63球精细间距BGA
和64 ball加固BGA封装,这取决于型号。每个设备都有独立的芯片使能
( CE # ) ,写使能( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有每个设备都需要
单3.0伏电源
用于读取和写入功能。在
除了为V
CC
输入,高电压
加速计划( ACC )
功能提供了更短的亲
通过对WP # / ACC输入电流增加编程时间。该功能的目的是
促进工厂生产能力系统在生产过程中,但也可在该领域需要时可以使用。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标
准。
命令被写入到使用标准的微处理器写时序的设备。写周期
还在内部锁存地址和所需的编程数据和擦除操作。
扇区擦除架构
允许存储扇区进行擦除和重新编程,而不
影响到其他部门的数据内容。从运时,该设备被完全擦除
工厂。
器件编程和擦除是通过命令序列启动。一旦一个程序或
擦除操作开始时,主机系统只需要轮询DQ7 (数据#查询)或DQ6 (切换)
台站
状态位
或监控
就绪/忙# ( RY / BY # )
输出,以确定该操作是否是
完整的。为了方便用户进行编程,一个
解锁绕道
模式减少指令序列的过
头部只需要两个写周期编程数据,而不是四个。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
探测器可以自动抑制写
在电源转换操作。硬件扇区保护功能禁用这两个节目
和擦除操作中的存储器扇区的任意组合。这可以在系统来实现,或
通过编程设备。
擦除暂停/删除恢复
功能允许主机系统暂停擦除操作
在给定扇区读取或写其他部门,然后完成擦除操作。该
程序挂起/恢复计划
功能使主机系统暂停程序OP-
关合作在给定扇区读取任何其他部门,然后完成程序操作。
硬件RESET #引脚
终止所有运行中的进步和重置设备后,
它是那么准备一个新的操作。在RESET #引脚可以连接到系统复位电路。
系统复位将因此还重置设备,使主机系统读取引导固件
从闪速存储器件。
该装置降低了功耗,在
待机模式
它检测到特定的电压电平,当
在CE #和RESET # ,或当地址是稳定为指定的时间周期。
写保护( WP # )
功能通过产生一个逻辑低电平上保护第一或最后一个扇区
WP # / ACC引脚或WP #引脚,取决于型号。受保护的行业仍然是受保护的,即使
在加速编程。
安全硅行业
提供了一个128字/ 256字节的区域代码或数据,可以是per-
manently保护。一旦该扇区被保护,该扇区内的任何进一步的变化可以发生。
Spansion公司的MirrorBit闪存技术,结合多年的闪存制造经验
产生的质量,可靠性和成本效益最高的水平。该装置电擦除
通过热孔一个扇区内的所有位同时协助擦除。该数据是使用编程
热电子注入。
2
S29GL -M的MirrorBit
TM
快闪族
2006年S29GL - M_00_B6 10月10日,
D A T A
中文ê (E T)
目录
特色鲜明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.5
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.6
对于S29GL064M (型号R0 )仅........................................... ......................... 7
对于S29GL064M (型号R0 )仅........................................... ....................... 10
对于S29GL032M (型号R0 )仅........................................... ....................... 12
解除保护地址表............................................... .. 49
表23. S29GL064M (型号,R1,R2 ,R8,R9 )类别组
保护/ unprotection的地址....................................... 49
表24. S29GL064M (型号R3 )类别组保护/
解除保护地址表............................................... 50 ..
表26. S29GL064M (型号R5 )类别组保护/
解除保护地址................................................ ...... 51
表27. S29GL064M (型号R6 , R7 )类别组保护/
解除保护地址................................................ ......... 51
表28. S29GL128M类别组保护/ unprotection的
地址................................................. ........................ 51
表29. S29GL256M类别组保护/ unprotection的
地址................................................. ........................ 52
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
S29GL064M (型号,R1,R2 ,R8,R9 ) ....................................... ..................... 14
S29GL064M (型号R3 , R4 ) ........................................... ............................... 14
S29GL064M (型号R5 ) ............................................. ........................................ 15
S29GL064M (型号R6,R7 ) ........................................... .................................. 15
S29GL128M .............................................................................................................15
临时机构集团撤消.............................................. ............ 53
图1.临时机构集团撤消操作.......... 53
图2.在系统部门的保护组/部门小组撤消
算法................................................. ....................... 54
订购信息: S29GL032M 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
S29GL032M标准产品............................................... ....................... 16
................................. 17表1. S29GL032M订购选项
订购信息: S29GL064M 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
S29GL064M标准产品............................................... ....................... 18
................................. 19表2. S29GL064M订购选项
订购信息: S29GL128M 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.20
................................. 20表3. S29GL128M订购选项
安全硅扇区闪存地区........................................... 55
写保护( WP # ) ............................................ ........................................... 56
硬件数据保护............................................... .............................. 56
低VCC写禁止.............................................. .................................. 56
写脉冲“毛刺”保护............................................ ................... 56
逻辑禁止................................................ .................................................. 。 56
上电写禁止............................................. .................................. 56
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 57
表30. CFI查询标识字符串.............................. 57
表31.系统接口字符串........................................ 57
表32.设备几何定义................................... 58
表33.主要供应商特定的扩展查询................ 59
订购信息: S29GL256M 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
................................. 21表4. S29GL256M订购选项
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
表5.设备总线操作........................................... 22
字/字节配置.............................................. ................................. 22
对于读阵列数据要求............................................. ........... 22
页面模式读取............................................... .................................................. 0.23
写命令/命令序列............................................. .... 23
写缓冲器.....................................................................................................23
加快程序运行............................................... ................ 23
自选功能................................................ ..................................... 23
待机模式...................................................................................................... 24
自动休眠模式............................................... ...................................... 24
RESET # :硬件复位引脚............................................ ............................ 24
输出禁止模式............................................... ........................................ 24
表6. S29GL032M (型号R0 )扇区地址................ 25
表7. S29GL032M (机型R1 , R2 )扇区地址......... 26
表8. S29GL032M (型号R3 )
热门引导扇区地址.............................................. ... 27
表9. S29GL032M (型号R4 )
底部启动扇区地址............................................ 28
表11. S29GL064M (型号,R1,R2 ,R8,R9 )
扇区地址................................................ .............. 30
表14. S29GL064M (型号R5,R6, R7),扇区地址... 37
表16. S29GL256M扇区地址表......................... 41
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60
读阵列数据............................................... ............................................ 60
复位命令................................................ ................................................. 60
自选命令序列............................................... ...................... 61
进入/退出安全硅扇区命令序列.......................... 61
Word程序命令序列.............................................. ......... 61
解锁绕道命令序列.............................................. .......... 62
写缓冲区编程............................................... ........................... 62
加快程序................................................ .................................... 63
图3.写缓冲区编程操作...................... 64
图4.程序运行............................................. 65 ..
程序挂起/恢复程序命令序列.................... 65
图5.程序挂起/恢复程序........................ 66
芯片擦除命令序列.............................................. ..................... 66
扇区擦除命令序列.............................................. .................. 66
图6.擦除操作............................................. ...... 67
擦除暂停/删除恢复命令............................................ ...... 68
命令定义................................................ ....................................... 69
写操作状态............................................... ..................................... 71
DQ7 :数据#投票............................................. ................................................ 71
表34.命令定义( x16模式, BYTE # = V
IH
) ...... 69
表35.命令定义( x8模式, BYTE # = V
IL
) ........ 70
自选模式................................................ ................................................. 47
表17.自动选择码, (高压法) ............... 47
表18. S29GL032M (型号R0 )类别组保护/
解除保护地址................................................ ...... 48
表19. S29GL032M (机型R1 , R2 )类别组保护/
解除保护地址................................................ ...... 48
表20. S29GL032M (型号R3 )类别组保护/
解除保护地址表............................................... 。 48
表21. S29GL032M (型号R4 )类别组保护/
解除保护地址表............................................... 49
表22. S29GL064M (型号00 )类别组保护/
图7.数据#投票算法........................................ 72
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... .............................................. 72
DQ6 :切换位I ............................................. .................................................. 72
图8.切换位算法............................................ 。 74
DQ2 :触发位II ............................................. ................................................. 74
DQ5 :超过时序限制............................................. ........................... 75
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. ................................... 75
DQ1 :写入到缓冲区中止.......................................... ................................. 75
表36.写操作状态......................................... 76
2006年10月10日S29GL - M_00_B6
S29GL -M的MirrorBit
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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