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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1330页 > S29CD032G0JQAI000
S29CD -G系列闪存
S29CD032G , S29CD016G
32兆位( 1M ×32位) , 16兆位( 512K ×32位)
2.5伏只突发模式,双启动,同步读/
写闪存与VersatileI / O 具有170纳米
工艺技术
数据表
初步
请注意,以读者:
这份文件指出目前的技术规格
关于本文所描述的飞索产品(S) 。的初步状态
本文表明产品合格已经完成,并
那最初的生产已经开始。由于在制造的各个阶段
需要保持效率和质量的过程中,这个文件可能是
在随后的版本或修改由于改变技术修改
特定连接的阳离子。
注意:
这份文件将取代数据表信息的S29CD016G修订A4和
S29CD032G修订B0 。该S29CD -G设备的厂家推荐的迁移路径。
请参考规格和订货信息该文档中找到。
公开号
S29CD-G_00
调整
B
修订
0
发行日期
二○○五年十一月十四日
本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。该信息旨在帮助您评估该产品。别
在设计该产品无需联系工厂。 Spansion公司保留对本建议的产品更改或停止工作,恕不另行通知。
P L I M I N A R
请注意在数据表牌号
Spansion公司发布的数据表具有超前信息或初步指示来提醒
产品信息在整个产品生命周期的读者或打算规格, includ-
荷兰国际集团开发,认证,初期生产,满负荷生产。在所有的情况下,但是,
我们鼓励读者以验证它们是否有最新的信息,最终确定自己的DE-前
签收。 Spansion的数据表名称的下面说明在此呈现给
彰显他们的存在和定义。
超前信息
事前信息认证表明Spansion公司正在开发一个或更有针对性
cific产品,但并没有承诺任何设计到生产。在提交信息
与此指定文件很可能会改变,并且在某些情况下,开发上在本产品
UCT可能会停止。因此, Spansion公司在提前放置在下列条件
信息内容:
“本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。该
信息旨在帮助您评估该产品。本产品不CON-不要设计
tacting工厂。 Spansion公司保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。 “
初步
预指定表示该产品的开发已取得进展,使得一
致力于生产已经发生。此指定涵盖了产品的几个方面
生命周期,包括产品合格,初始生产,并在后续阶段
满负荷生产达到之前发生的制造工艺。更改技术
在初步号文件提出要规范,同时保持这些AS-预期
生产正在考虑pects 。飞索放置于以下条件
初步内容:
“这份文件指出目前的技术规范关于Spansion公司产品(第)描述
在本文中。本文件的初步情况显示,产品合格已经完成,
而且最初的生产已经开始。由于在制造过程中,需要相
保持效率和质量,这个文件可以通过后续的版本或modifica-修改
由于系统蒸发散变化的技术规范“。
组合
有些数据表包含的产品具有不同的名称(组合提前在 -
形成初步或全部生产) 。这种类型的文件将区分这些产品
和它们的名称在必要时,通常在第一页,订货信息
页面,并与DC特性表和AC擦除和编程表页(表
注释) 。在第一页的免责声明是指读者在此页上的通知。
满负荷生产(在文件没有指定)
当产品已经生产了一段时间,使得不改变或仅标称
改变预期,初步指定从数据表中删除。公称
变化可以包括那些影响订货可用的部件号,如数量
另外的一个速度的选择,温度范围,包类型,或V或缺失
IO
范围内。变化
也包括那些需要澄清说明或纠正拼写错误或新断路器
RECT规范。 Spansion公司采用下列条件这一类的文件:
“这份文件指出目前的技术规范关于Spansion公司产品(第)描述
在本文中。 Spansion公司认为该产品已经在足够的生产量,这样子
本文档的序贯版本预计不会改变。但是,印刷或者规格
更正或修改提供可能发生的有效组合。 “
有关这些文件名称的问题,可向当地的AMD或富士通
销售网络的CE 。
ii
S29CD -G系列闪存
2005年S29CD - G_00_B0 11月14日,
S29CD -G系列闪存
S29CD032G , S29CD016G
32兆位( 1M ×32位) , 16兆位( 512K ×32位)
2.5伏只突发模式,双启动,同步读/
写闪存与VersatileI / O 具有170纳米
工艺技术
数据表
初步
特色鲜明
架构优势
同时读/写操作
- 从一个银行中读取数据,而执行擦除/
在其他银行的程序功能
读取和写入操作之间的零延迟
- 两个银行的体系结构:大银行/中小银行
75%/25%
用户定义的X32数据总线
双引导块
- 在同一装置顶部和底部引导扇区
灵活的部门架构
- CD032G :八2K双字,有六十二16K
双字,八2K双字部门
- CD016G :八2K双字,三十二个16K
双字,八2K双字部门
安全硅扇区( 256字节)
工厂锁定和识别:
16字节的安全,
随机出厂的电子序列号;也知道
作为电子标识
在170纳米制程技术制造
可编程突发接口
- 接口的任何高性能的处理器
- 线性突发读操作: 2 , 4 , 8双
带或不带绕包字线爆裂
程序运行
- 执行同步和异步写入
突发配置寄存器的设置操作
独立地
单电源工作
- 优化的2.5至2.75伏读,擦除和
方案业务
与JEDEC标准兼容( JC42.4 )
- 软件与单电源闪存兼容
- 与AMD /富士通Am29LV向后兼容/
MBM29LV和Am29F / MBM29F快闪记忆体
- 待机模式: CMOS : 60 μA(最大值)
每个扇区的典型百万的写入周期
20年数据保留典型
VersatileI / O 控制
- 生成数据的输出电压和容忍数据
输入电压为通过对所述电压测定
V
IO
- 1.65 V至3.60 V兼容的I / O信号
软件特点
持久扇区保护
- 个别部门和行业的组合锁
基团,以防止编程或擦除操作
该部门内的(只需要V
CC
级别)
密码扇区保护
- 个别部门和行业的组合锁
基团,以防止编程或擦除操作
使用用户自定义64位的部门
密码
支持通用闪存接口( CFI )
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序的软件或方法
擦除操作完成
硬件特性
程序挂起/恢复&擦除挂起/
简历
- 挂起编程或擦除操作,使
读取,编程或擦除在同一家银行
硬件复位( RESET # ) ,就绪/忙# ( RY /
BY # ) ,和写保护( WP # )输入
ACC输入
- 加速编程时间为更高的吞吐量
系统在生产过程中
封装选项
- 80引脚PQFP
- 80 - ball加固BGA
- 无铅封装也可以选择
- 已知合格芯片
性能特点
高性能的读取访问权限
- 48纳秒( 32 MB)和54初始/随机存取时间
NS ( 16 MB)
- 突发存取的7.5纳秒( 32 MB)或9毫微秒的时间( 16兆)
超低功耗
- 突发模式读90毫安, 75 MHz的最大
- 编程/擦除: 50mA以下
公开号
S29CD-G_00
调整
B
修订
0
发行日期
二○○五年十一月十四日
本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。该信息旨在帮助您评估该产品。别
在设计该产品无需联系工厂。 Spansion公司保留对本建议的产品更改或停止工作,恕不另行通知。
P L I M I N A R
概述
该S29CD -G闪存系列是一个突发模式,双启动, Flash的同步读/写家庭
内存与VersatileI / O 170纳米工艺技术制造。
该S29CD032G是32兆, 2.6伏只( 2.50 V - 2.75 V)单电源供电突发模式
可以为1,048,576双字被配置闪存装置。
该S29CD016G是16兆, 2.6伏只( 2.50 V - 2.75 V)单电源供电突发模式
可以为524288双字被配置闪存装置。
为了消除总线争用,每个设备都有独立的芯片使能( CE # ) ,写使能( WE# )和
输出使能( OE # )控制。额外的控制输入端都需要同步突发能操作
ations :负载突发地址有效(ADV # )和时钟(CLK) 。
每个设备只需要一个2.6伏只( 2.50 V - 2.75 V)的读取和写入功能
系统蒸发散。 12.0伏V
PP
不需要用于编程或擦除操作,尽管加速度
引脚可如果需要更快的编程性能。
该设备完全命令集与JEDEC单电源闪存标兼容
准。该软件的命令集与5 V Am29F或命令集兼容
MBM29F和3 V Am29LV或MBM29LV闪存系列。命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。寄存器的内容作为输入到IN-
ternal状态机控制的擦除和编程电路。写周期也
内部锁存地址和所需的编程数据和擦除操作。阅读
数据输出设备的是类似于其他Flash或EPROM器件读取。
解锁绕道
模式,要求只有两个写周期有利于更快的编程时间
编程数据,而不是四个。
同时读/写架构
通过将提供同步操作
存储空间分成两个组。该设备可以开始编程或擦除在一家银行,并
然后同时从其他银行的读,零延迟。这种释放系统从
等待完成程序或擦除操作。看
同时读/写操作
系统蒸发散概述。
该装置提供了一个256字节的
安全硅行业
包含电子标识Infor公司
息,便于设备的可追溯性。
此外,该器件具有几个级别部门保护,它可以禁用这两个亲
克和擦除操作在某些部门或行业团体:
持久扇区保护
is
命令扇区保护方法,它取代了旧的12 V控制的保护方法;
密码扇区保护
是,需要一个口令一个高度复杂的保护方法
改变某些部门或行业团体字前允许;
WP #硬件
保护
防止编程或擦除在最外边的两个8字节扇区的大银行。
该设备默认的持久扇区保护模式。客户如果必须,然后选择
标准或密码保护方法是最可取的。在WP #硬件保护
特点是始终可用,独立选择的其他保护方法。
VersatileI / O (V
CCQ
)
功能允许在设备上产生的输出电压,以被去
termined基于在V
IO
的水平。此功能允许器件在1.8 VI / O操作
的环境中,驱动信号和接收信号,并从同一总线上的其它1.8 V设备。
主机系统可以检测是否编程或擦除操作完成时,通过观察
RY / BY #引脚,通过读DQ7 (数据#查询) ,或DQ6 (切换)
状态位。
一个程序后,
或擦除周期完成时,该装置已准备好读取阵列数据或接收到另一个命令。
扇区擦除架构
允许存储扇区进行擦除和重新编程,而不
影响到其他部门的数据内容。从运时,该设备被完全擦除
工厂。
2
S29CD -G系列闪存
2005年S29CD - G_00_B0 11月14日,
P L I M I N A R
硬件数据保护
措施包括低V
CC
探测器可以自动抑制写
在电源转换操作。该
密码和软件部门的保护
特征
禁用这两个方案,并在内存领域的任何组合擦除操作。这可以
在系统在V来实现
CC
的水平。
编程/擦除暂停/删除恢复
功能使用户把擦除搁置
任何一段时间来读取数据,或程序数据,即不选择任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止正在进行的任何操作,并复位内部状态
机读取阵列的数据。
该器件提供两种省电功能。当地址是稳定为指定的量
时间,设备进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗在这两种模式下大大降低。
AMD的闪存技术,结合多年的闪存制造经验,生产
最高级别的质量,可靠性和成本效益。该装置电擦除所有
通过福勒- Nordheim隧穿同时一个行业内的位。的数据被编程
用热电子注入。
二○○五年十一月十四日S29CD , G_00_B0
S29CD -G系列闪存
3
S29CD032G
32兆位( 1一M× 32位)
CMOS 2.5伏只突发模式,双启动,
同时读/写闪存
数据表
ADVANCE
信息
特色鲜明
架构优势
同时读/写操作
- 数据可以从一个银行在执行读取
擦除/在其他银行的程序功能
( -40 ° C至85°C只)
读取和写入操作之间的零延迟
- 两个银行的体系结构: 75 % / 25 %
用户定义的X32数据总线
双引导块
- 在同一装置顶部和底部引导扇区
灵活的部门架构
- 8个8字节, 62字节64和8个8
千字节扇区
在170纳米制程技术制造
SecSi (担保硅)扇区(256字节)
工厂锁定和识别:
16字节的安全,
随机出厂的电子序列号;其余
可客户数据编程,通过AMD
客户可锁定:
可以读取,编程或
就像其他行业的擦除。一旦锁定,数据
不能改变
可编程突发接口
- 接口的任何高性能的处理器
- 对突发读操作模式:
线性脉冲串:
4双字和8个双字
与周围包裹
程序运行
- 能够进行同步和异步
写突发配置寄存器的操作
独立设置
单电源工作
- 优化的2.5至2.75伏读,擦除和
方案业务
与JEDEC标准兼容( JC42.4 )
- 软件与单电源闪存兼容
- 与AMD Am29LV和Am29F向后兼容
闪存
超低功耗
- 突发模式读90毫安, 66 MHz的最高,能
75兆赫(加固BGA只)
- 编程/擦除: 50mA以下
- 待机模式: CMOS : 60 μA(最大值)
每个扇区的典型百万的写入周期
20年数据保留典型
VersatileI / O 控制
- 设备产生的数据的输出电压,并且能够忍耐
数据的输入电压由所述电压测定
在V
IO
- 1.65 V至2.75 V兼容的I / O信号
软件特点
持久扇区保护
- 一个命令扇区保护方法来锁定
个别部门和行业团体的组合
防止程序或内擦除操作
部门(只需要V
CC
级别)
密码扇区保护
- 一个成熟的行业保护方法来锁定
个别部门和行业团体的组合
防止程序或内擦除操作
使用用户定义的64位密码界
支持通用闪存接口( CFI )
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序的软件或方法
擦除操作完成
硬件特性
程序挂起/恢复&擦除挂起/
简历
- 挂起编程或擦除操作,使
读取,编程或擦除在同一家银行
硬件复位( RESET # ) ,就绪/忙# ( RY /
BY # ) ,和写保护( WP # )输入
ACC输入
- 加速编程时间为更高的吞吐量
系统在生产过程中
封装选项
- 80引脚PQFP
- 80 - ball加固BGA
性能特点
高性能的读取访问权限
- 初始/随机存取时间快48纳秒
- 突发存取时间快7.5纳秒的球栅阵列
公开号
30606
调整
B
修订
0
发行日期
2004年3月22日
本文档的内容如有更改,恕不另行通知。本文档可能包含在开发上Spansion公司产品资料
FASL LLC 。 FASL LLC公司保留对任何产品的更改或停止工作,恕不另行通知。本文档中的信息提供
μAs
是“
无担保或任何形式的担保其准确性,完整性,可操作性,适合特定目的的适销性,非侵权
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
概述
该S29CD032G是32兆, 2.5伏,只有单电源供电突发模式
快闪存储器装置。该装置可被配置为1,048,576双字。
该设备还可以在标准EPROM编程器编程。
为了消除总线争用,每个设备都有独立的芯片使能( CE # ),写
使能( WE# )和输出使能( OE # )控制。额外的控制输入为重
需要准备同步突发操作:加载突发地址有效( ADV # ) ,和
时钟(CLK) 。
只有每个设备都需要
采用2.5或2.6伏电源
( 2.5 V至2.75
V)的读写功能。 12.0伏V
PP
不需要程序
或擦除操作,虽然加速引脚可用,如果编程速度更快
铭性能是必需的。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单加电
供应闪光的标准。
设置软件命令与的COM兼容
命令集的5 V Am29F和3 V Am29LV闪光的家庭。命令
写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。
寄存器的内容作为输入到一个内部状态机,用于控制
擦除和编程电路。写周期内部也锁存地址和
所需的编程数据和擦除操作。读出数据的
装置是相似的,从其他闪存或EPROM器件读取。
解锁绕道
模式只要求有利于更快的编程时间
两个写周期编程数据,而不是四个。
同时读/写架构
同时提供操作
通过将存储器空间划分为两个组。该设备可以开始编程
或擦除在一家银行,然后同时从其他银行的阅读,有
零延迟。此从等待完成程序的释放系统
或擦除操作。见同时读/写操作概述和再
strictions第13页。
该装置提供了一个256字节的
SecSi (安全硅)行业
与单
一次性可编程( OTP)的机制。
此外,该器件具有几个级别部门的保护,它可以显示
既能编程和擦除某些部门或行业团体操作:
持久扇区保护
是重新命令扇区保护方法
宿老12 V控制的保护方法;
密码扇区保护
是需要密码之前一个高度复杂的保护方法
改变某些部门或行业团体被允许;
WP #硬件亲
tection
防止编程或擦除在最外边的两个8字节的扇区
大型银行。
该设备默认的持久扇区保护模式。客户必须
那么如果选择标准或密码保护方法是最可取的。该
WP #硬件保护功能总是可用的,独立于其他
保护方法选择。
VersatileI / O (V
CCQ
)
功能允许对所产生的输出电压
基于所述V器件来确定
IO
的水平。此功能允许这台设备
工作在1.8 VI / O环境中,驱动信号和接收信号,并从
其它1.8 V设备在同一总线上。
主机系统可以检测是否编程或擦除操作完成了
观察RY / BY #引脚,通过读DQ7 (数据#查询) ,或DQ6 (切换)
2
S29CD032G
2004年30606B0 3月22日,
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
状态位。
后一个程序或擦除周期已经完成,该装置是
准备读阵列数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构
允许存储扇区被擦除和重现
编程,而不会影响其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
探测器automat-
ically在电源转换禁止写操作。该
密码
软件行业保护
功能禁用这两个编程和擦除操作
系统蒸发散在的存储器扇区的任意组合。这可以在系统内可以实现
在V
CC
的水平。
编程/擦除暂停/删除恢复
特征使用户能够把
擦除搁置任何一段时间内读取数据,或程序数据,任何
部门未选择删除。因此,真正的背景擦除可
实现的。
硬件RESET #引脚
终止正在进行的任何操作,并复位
内部状态机来读取阵列数据。
该器件提供两种省电功能。当地址已经稳定
对于一个指定的时间量,该设备进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗
灰是在这两种模式下大大降低。
AMD的闪存技术,结合多年的闪存制造实验
ENCE产生的质量,可靠性和成本效益最高的水平。
该装置通过电同时删除一个扇区内的所有位
福勒- Nordheim隧穿。的数据是使用热电子编程
注入。
2004年3月22日30606B0
S29CD032G
3
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.6
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
框图
同时读/写电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.8
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.9
特殊包装处理说明............................................. 10
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
X32模式................................................ .................................................. 12
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
表1.设备总线操作............................................ 14
持久扇区保护............................................... ........................................ 27
密码扇区保护............................................... ......................................... 27
WP #硬件保护.............................................. ........................................... 27
持久扇区保护............................................... ............. 28
持久保护位( PPB ) ............................................ ...................................... 28
持久保护位锁定( PPB锁) .......................................... ................... 28
动态保护位( DYB ) ............................................ ....................................... 28
表11.扇区保护计划.................................. 30
持久扇区保护模式锁定位......................... 30
密码保护模式............................................... ................ 30
密码和密码模式锁定位.................................... 31
64位密码................................................................................................................ 31
VersatileI / O (V
IO
)控制................................................ .............. 15
对于读阵列数据要求........................................... 15
同时读/写
操作概述和限制.......................................... 15
概观............................................................................................................................ 15
限制........................................................................................................................ 15
表2.银行分配为引导银行
行业设备................................................ ................. 16
写保护( WP # ) ............................................ .............................. 32
SecSi (安全硅)扇区保护.................................. 32
SecSi扇区保护位.............................................. .................. 33
持久保护位锁定.............................................. ............ 33
硬件数据保护............................................... ................. 33
低V
CC
写禁止................................................ .................................................. 33
写脉冲“毛刺”保护............................................ .................................... 33
逻辑禁止................................................................................................................... 34
上电写禁止............................................. .................................................. 34
V
CC
和V
IO
上电和断电排序...................................... 34
对于订购选项00 ............... 35表12扇区地址
对于订购选项01 ............... 38表13扇区地址
同时读/写操作零延迟..... 16
表3.订购选项00 ............................................ ... 16
表4.订购选项01 ............................................ ... 16
写命令/命令序列................................... 16
加快编程和擦除操作............................................. ............. 17
自动选择功能...................................................................................................... 17
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 0.41
表14 。
表15 。
表16 。
表17 。
CFI查询标识字符串............................. 41
CFI系统接口字符串................................. 42
设备几何定义................................. 43
CFI主要供应商特定的扩展查询......... 44
自动休眠模式( ASM ) ............................................ ............... 17
待机模式................................................................................................................... 17
RESET # :硬件复位引脚............................................ ................ 18
输出禁止模式............................................... ............................ 18
自选模式................................................ ................................... 18
表5. S29CD032G自选代码(高压法) 19
异步读取操作(非连拍) ................................ 19
图1.异步读取操作............................... 20
同步(突发)读操作............................................ 20
线性突发读操作.............................................. ............ 20
表6. 32位线性和突发数据令........................ 21
CE#控制在平板模式............................................ .......................................... 22
ADV #控制在平板模式............................................ ...................................... 22
在平板模式RESET #控制............................................ ................................... 22
OE #控制在平板模式............................................ ......................................... 22
IND / WAIT #运行在平板模式.......................................... ....................... 22
表7.有效配置寄存器位定义为IND / WAIT #
22
图2.最终连拍指示( IND / WAIT # )时间为8位线性
字突发操作............................................... ......... 23
突发访问时序控制.............................................. ........................................ 23
最初的突发存取延迟控制............................................. ............................... 23
表8.突发初始接入时延....................................... 24
图3.初始脉冲串延时控制..................................... 24
突发CLK EDGE数据传送............................................. ...................................... 24
突发数据保持控制.............................................. ............................................... 24
断言RESET#在突发访问........................................... ................... 24
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 46
在读的非突发模式阵列数据...................................... 46
阅读连拍模式阵列数据............................................ .... 46
读/复位命令.............................................. ........................... 47
自选命令................................................ .......................... 47
程序命令序列............................................... ............ 47
加快程序命令............................................... ...... 48
解锁绕道命令序列.............................................. 48
图4.程序运行............................................. 49
解锁绕道进入命令.............................................. ................................... 49
解锁绕道程序命令.............................................. ............................ 50
解锁绕道芯片擦除命令............................................. ......................... 50
解锁绕道CFI命令.............................................. ...................................... 50
解锁绕道复位命令.............................................. .................................. 50
芯片擦除命令............................................... .......................... 50
扇区擦除命令............................................... ........................ 51
图5.擦除操作............................................. ..... 52
扇区擦除和编程挂起命令........................... 52
扇区擦除和编程暂停运行机制...... 53
表18.允许执行的操作在擦除/编程挂起53
配置寄存器................................................ ........................ 25
表9.配置寄存器定义........................... 25
表10.配置寄存器后器件复位............... 27
初始接入时延配置.............................................. .... 27
扇区保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
部门与部门团体.............................................. ............................................. 27
扇区擦除和编程恢复命令............................ 54
配置寄存器读命令........................................ 54
配置寄存器写入命令...................................... 54
通用闪存接口( CFI )命令.................................... 54
SecSi行业进入命令.............................................. .............. 55
密码程序命令............................................... ........... 56
密码验证命令............................................... ................. 56
密码保护模式锁定位程序命令0.56
持久扇区保护模式锁定位程序的COM
2004年30606B0 3月22日,
4
S29CD032G
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
普通话......................................................................................................... 57
SecSi扇区保护位程序命令........................ 57
PPB锁定位设置命令............................................. ................. 57
DYB写命令............................................... ......................... 57
密码解锁指令............................................... .............. 58
PPB程序命令............................................... ...................... 58
所有PPB擦除命令.............................................. ...................... 59
DYB写................................................ .............................................. 59
PPB锁定位设置.............................................. ...................................... 59
DYB状态................................................ .............................................. 59
PPB状态................................................ ............................................... 59
PPB锁定位状态.............................................. ................................ 59
非易失性保护位编程和擦除流程............. 59
表19.内存阵列命令定义( X32模式) ..... 61
表20.扇区保护命令定义( X32模式) 0.62
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70
图10.我
CC1
电流与时间(显示主动和自动
休眠电流) .............................. ................. 71
图11.典型I
CC1
与频率的关系.................................. 71
图12.测试设置............................................. .......... 72
表22.测试规范............................................. 。 72
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 72
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 72
图13.输入波形和测量水平........... 72
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
图14. V
CC
和V
IO
电调图........................... 73
图15.传统的读操作时序................. 74
图16.突发模式读取( X32模式) .............................. 76
图17.异步命令写时序................. 77
图18.同步命令读/写时序........... 77
图19. RESET #时序............................................ ... 78
图20. WP #时序............................................ ......... 79
图21.编程操作时序................................ 81
图22.芯片/扇区擦除操作时序................... 82
图23.返回到后周期时序................................ 82
图24.数据#投票计时
(在嵌入式算法) .......................................... 83
图25.触发位计时
(在嵌入式算法) .......................................... 83
图26. DQ2与DQ6擦除/擦除挂起操作。 84
图27.同步数据轮询定时/触发位计时84
图28.部门保护/撤消时序图............. 85
图29.备用CE #控制的写操作时序。 87
DQ7 :数据#投票............................................. ................................. 63
图6.数据#投票算法....................................... 64
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ................................ 65
DQ6 :切换位I ............................................. ..................................... 65
DQ2 :触发位II ............................................. ................................... 66
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ............ 66
图7.切换位算法............................................ 67
DQ5 :超过时序限制............................................. ............. 68
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. ..................... 68
表21.写操作状态........................................ 68
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.69
图8.最大负过冲波形................ 69
图9.最大正过冲波形................. 69
工业级(I )设备......................................................................................................69
扩展( E)设备....................................................................................................69
V
CC
电源电压......................................................................................................69
V
IO
电源电压.......................................................................................................69
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 。 88
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 88
PQFP和加固BGA引脚电容。 。 。 。 。 88
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 89
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.91
2004年3月22日30606B0
S29CD032G
5
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