S29CD016J/S29CL016J

已知合格芯片

16兆位（ 512K ×32位） CMOS 2.6或3.3伏，只

突发模式，双启动，

同时读/写闪存

补充

（高级信息）

概述

Spansion公司S29CD016J和S29CL016J设备制造漂浮在110纳米工艺门产品。

这些突发模式闪存器件能够同时执行读取和写入操作上两个零延迟

另一家银行。这些产品可运行在高达56 MHz和使用一个单一的V

CC

2.5 V至2.75 V（ S29CD -J ）或3.0 V至3.6 V

（ S29CL -J ） ，使它们非常适用于当今要求苛刻的汽车应用。

特色鲜明

单一2.6 V （ S29CD -J ）或3.3 V （ S29CL -J ）的读取/编程/

抹去

110纳米浮动门技术

零延迟同步读/写操作

X32数据总线

双引导扇区结构（顶部和底部）

灵活的部门架构

- CD016J & CL016J ：八2K双字，三十二个16K双

总之，八2K双字部门

自行车耐力：每个扇区100,000次写周期（典型值）

命令集兼容JECEC （ 42.4 ）标准

支持通用闪存接口（ CFI ）

高级行业持续和密码的方法

保护

解锁绕道程序命令，以减少编程

时间

写操作状态位指示编程和擦除

操作完成

在硬件（ WP ＃ ）保护最外面的两个部门

大型银行

就绪/忙（ RY / BY ＃ ）输出指示提供给数据

系统

暂停和恢复的编程和擦除命令

手术

VersatileI / O 控制（ 1.65 V到V

CC

)

可编程突发接口

- 线性2 ， 4 ， 8和双字突发带或不带绕包

安全硅部门，可以是工厂或客户

锁定

20年数据保留（典型值）

性能特点

读取访问时间

速度选项（兆赫）

最大Asynch 。访问时间， NS （T

加

)

最大同步。延迟， NS （T

IACC

)

最大同步。突发访问， NS （T

BACC

)

最大CE＃访问时间， NS （T

CE

)

最大OE ＃访问时间， NS （T

OE

)

56

64

64

10

69

22

40

67

67

17

71

22

典型的编程和擦除时间

双字编程

扇区擦除

18 s

1.0 s

消耗电流（最大值）

连续的突发读取@ 56兆赫

节目

抹去

待机模式

90毫安

50毫安

50毫安

150 A

公开号

S29CD016J-CL016J_KGD_SP

调整

A

修订

2

发行日期

2006年9月20日

本文件包含有关正在开发中的一个或多个产品在Spansion公司的信息旨在帮助您评估该产品的信息。请不要在设计

该产品无需联系工厂。 Spansion公司保留对本建议的产品更改或停止工作，恕不另行通知。

补充

（提前

我n对于息）

目录

概述

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

特色鲜明

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

性能特点

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

目录

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2

S29CD / CL016J特点。

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

1.

2.

3.

4.

5.

死亡照片。

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

DIE焊盘位置

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

PAD说明

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

订购信息

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

4.1

有效组合。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

包装信息

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

5.1

Surftape包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

5.2

华夫饼包包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

产品测试流程。

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

绝对最大额定值

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

工作范围

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

物理规格

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

制造业信息化

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

特殊处理的说明。

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

11.1处理。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

11.2存储。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

DC特性KGD设备在145℃ 。

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

销售条款与Spansion的非易失性存储芯片的条件。

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

修订概要

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

6.

7.

8.

9.

10.

11.

12.

13.

14.

图列表

图6.1

图7.1

图7.2

Spansion公司KGD产品测试流程。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

最大负过冲波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

最大正过冲波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

表格清单

表3.1

表12.1

垫相对于模具中心。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.6

直流特性， CMOS兼容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.13

2

S29CD016J / S29CL016J已知合格芯片

修订版A2 2006年9月20日

补充

（ Advan CE

信息R M ATIO N）

S29CD / CL016J特点

该S29CD016J & S29CL016J闪存设备突发模式，双启动，同步读/写闪存

回忆与VersatileI / O 110纳米工艺技术制造。

该S29CD016J是16兆， 2.6伏只，单电源，突发模式闪存设备

可以被配置为524288双字。该S29CL016J是3.3伏，只版本的设备。两

设备可以在标准EPROM编程器进行编程。

为了消除总线争用，每个设备都有独立的芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）和输出

启用（ OE ＃ ）控制。额外的控制输入端都需要同步突发操作：负载突变

地址有效（ADV ＃ ）和时钟（CLK） 。

每个设备只需要一个2.6伏只（ 2.50 V - 2.75 V）或3.3伏只（ 3.00 V - 3.60 V）为

读取和写入功能。 12.0伏V

PP

不需要用于编程或擦除操作，尽管一个

加速引脚可如果需要更快的编程性能。

该设备完全命令集与JEDEC单电源闪存标准兼容。该

软件指令集与5 V Am29F的命令集和3 V Am29LV闪存兼容

家庭。命令是用标准的微处理器写时序写入到命令寄存器。

寄存器的内容作为输入到内部状态机控制的擦除和编程

电路。写周期也在内部锁存器所需的编程地址和数据擦除

操作。读出的数据的设备类似于从其他Flash或EPROM器件读取。

该

解锁绕道

模式，要求只有两个写周期编程有利于更快的编程时间

数据而不是四个。

该

同时读/写架构

通过将所述存储器空间可同时提供操作

到两家银行。该设备可以开始编程或擦除在一家银行，然后同时读取

从其他银行，零延迟。此从等待完成程序的释放系统或

擦除操作。

该装置提供了一个256字节的

安全硅行业

具有一次性可编程（OTP）的机制。

此外，该器件具有几个级别部门保护，它可以禁用这两个程序和

擦除某些部门或行业团体操作：

持久扇区保护

是命令扇区

保护方法，它取代了旧的12 V控制的保护方法;

密码扇区保护

是

强烈要求改变某些部门或行业之前复杂的密码保护方法

允许组;

WP ＃硬件保护

防止编程或擦除在最外边的两个8字节

较大的银行部门。

该设备默认的持久扇区保护模式。那么客户必须当选择

标准或密码保护方法是最可取的。在WP ＃硬件保护功能始终

可独立选择的其他保护方法。

该

VersatileI / O （V

CCQ

)

功能允许在设备上产生的输出电压，以基于确定

在V

IO

的水平。此功能允许器件在1.8 VI / O环境下运作，激励和接收

信号并从同一总线上的其它1.8 V设备。

主机系统可以检测到一个节目是否擦除操作完成，通过观察RY / BY＃引脚

通过阅读DQ7 （数据＃查询） ，或DQ6 （切换）

状态位。

经过编程或擦除周期已

完成后，设备已准备好读取阵列数据或接受另一个命令。

该

扇区擦除架构

允许存储扇区进行擦除和重新编程，而不影响

其他部门的数据内容。从工厂发货时，该设备被完全擦除。

硬件数据保护

措施包括低V

CC

探测器可以自动抑制写操作

在上电期间的过渡。该

密码和软件部门的保护

功能禁用这两个方案，并

中的存储器扇区的任意组合擦除操作。这可以在系统在V来实现

CC

的水平。

该

编程/擦除暂停/删除恢复

功能允许用户将擦除搁置任何时期

时间来读取数据，或程序数据，即不选择擦除的任何扇区。真正的背景擦除

因此，可以实现的。

该

硬件RESET ＃引脚

终止正在进行的任何操作和内部状态机复位到

读阵列数据。

2006年9月20日A2版

S29CD016J / S29CL016J已知合格芯片

3

补充

（提前

我n对于息）

该器件提供两种省电功能。当地址已稳定为指定的量

时，器件进入

自动休眠模式。

该系统还可以将设备插入

待机

模式。

功率消耗在这两种模式下大大降低。

Spansion闪存技术结合多年的闪存制造经验，生产的

最高级别的质量，可靠性和成本效益。该装置电擦除一个扇区内的所有位

同时，通过福勒- Nordheim隧穿。的数据是使用热电子注入编程。

1.模具照片

4

S29CD016J / S29CL016J已知合格芯片

修订版A2 2006年9月20日

补充

（ Advan CE

信息R M ATIO N）

2.芯片焊盘位置

30

25

20

15

10

8

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

14

13

12

11

10

9

8

7

30

31

6

31

7

5

32

33

34

35

35

36

Y

4

3

5

2

37

1

74

38

X

1

73

39

74

72

40

40

41

42

71

43

70

44

69

45

45

49

46

47

48

50

51

52

53

54

55

56

57

58

59

60

61

62

63

64

65

66

67

68

70

47

50

55

60

65

69

标志

2006年9月20日A2版

S29CD016J / S29CL016J已知合格芯片

5