S29CD016G

16兆位（ 512K的×32位）

CMOS 2.5伏只突发模式，双启动，

同时读/写闪存

数据表

特色鲜明

架构优势

同时读/写操作

- 两个银行的体系结构：大银行/中小银行

- 数据可以从银行在执行擦除读/

在其他银行的程序功能

读取和写入操作之间的零延迟

用户定义的X32数据总线

双引导块

- 在同一装置顶部和底部引导扇区

灵活的部门架构

- 8个8字节， 30字节64和8个8字节

扇区

在170纳米制程技术制造

SecSi （担保硅）扇区（256字节）

—

工厂锁定和识别：

16字节的安全，

随机出厂的电子序列号;其余

可以是通过飞索编程客户数据

—

客户可锁定：

可以读取，编程，或者

就像其他行业的擦除。一旦锁定，数据

不能改变

可编程突发接口

- 接口的任何高性能的处理器

- 对突发读操作模式：

—

线性脉冲串：

4双字和8个双字

与周围包裹

程序运行

- 能够进行同步和异步

写突发配置寄存器的操作

独立设置

单电源工作

- 优化的2.5至2.75伏读，擦除和

方案业务

与JEDEC标准兼容（ JC42.4 ）

- 软件与单电源闪存兼容

- 与AMD Am29LV和Am29F向后兼容

和富士通MBM29LV和MBM29F快闪记忆体

超低功耗

- 突发模式读90毫安， 66 MHz的最大，

- 编程/擦除： 50mA以下

- 待机模式： CMOS ： 60 μA（最大值）

每个扇区的典型百万的写入周期

20年数据保留典型

VersatileI / O 控制

- 设备产生的数据的输出电压，并且能够忍耐

数据的输入电压由所述电压测定

在V

IO

针

- 1.65 V至2.75 V兼容的I / O信号

- 3.6 V容限I / O信号

软件特点

持久扇区保护

- 一个命令扇区保护方法来锁定

个别部门和行业团体的组合

防止程序或内擦除操作

部门（只需要V

CC

级别）

密码扇区保护

- 一个成熟的行业保护方法来锁定

个别部门和行业团体的组合

防止程序或内擦除操作

使用用户定义的64位密码界

支持通用闪存接口（ CFI ）

解锁绕道程序命令

- 发行时降低了总体规划的时间

多个程序的命令序列

数据＃查询和翻转位

- 提供了检测程序的软件或方法

擦除操作完成

硬件特性

程序挂起/恢复&擦除挂起/

简历

- 挂起编程或擦除操作，使

读取，编程或擦除在同一家银行

硬件复位（ RESET ＃ ） ，就绪/忙＃ （ RY /

BY ＃ ） ，和写保护（ WP ＃ ）输入

ACC输入

- 加速编程时间为更高的吞吐量

系统在生产过程中

封装选项

- 80引脚PQFP

- 80 - ball加固BGA

性能特点

高性能的读取访问权限

- 初始/随机存取时间快54纳秒

- 突发存取时间快9纳秒的球栅阵列

包

公开号

S29CD016_00

调整

A

修订

4

发行日期

2004年11月5日

本文档的内容如有更改，恕不另行通知。本文档可能包含对一个正在开发的Spansion公司产品由Spansion LLC的信息。 Spansion公司

有限责任公司保留对任何产品的更改或停止工作，恕不另行通知。本文档中的信息提供

μAs

是“不附带任何保证或

作为一种信息的准确性，完整性，可操作性，适合特定目的的适销性，不侵犯第三方权益，或任何其他明示，暗示，或

法定。 Spansion公司不承担因使用本文档中的信息的任何种类的任何损失承担任何责任。

A D V A N权证

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概述

该S29CD016G是16兆， 2.5伏，只有单电源供电突发模式

快闪存储器装置。该装置可被配置为524288双字。

该设备还可以在标准EPROM编程器编程。

为了消除总线争用，每个设备包括独立的芯片使能（ CE ＃ ） ，

写使能（WE ＃ ） ，并且输出使能（OE ＃ ）控制。额外的控制输入

都需要同步突发操作：加载突发地址有效（ ADV ＃ ） ，

和时钟（CLK） 。

只有每个设备都需要

采用2.5或2.6伏电源

（ 2.5 V至2.75

V）的读写功能。 12.0伏V

PP

不需要程序

或擦除操作，虽然加速引脚可用，如果编程速度更快

铭性能是必需的。

该设备完全指令集的兼容

JEDEC单加电

供应闪光的标准。

设置软件命令与的COM兼容

命令集的5 V Am29F和3 V Am29LV闪光的家庭。命令

写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。

寄存器的内容作为输入到一个内部状态机，用于控制

擦除和编程电路。写周期内部也锁存地址和

所需的编程数据和擦除操作。读出数据的

装置是相似的，从其他闪存或EPROM器件读取。

该

解锁绕道

模式只要求有利于更快的编程时间

两个写周期编程数据，而不是四个。

该

同时读/写架构

同时提供操作

通过将存储器空间划分为两个组。该设备可以开始编程

或擦除在一家银行，然后同时从其他银行的阅读，有

零延迟。此从等待完成程序的释放系统

或擦除操作。看

“同时读/写操作概述和再

第14页strictions “ 。

该装置提供了一个256字节的

SecSi （安全硅）行业

与单

一次性可编程（ OTP）的机制。

此外，该器件具有几个级别部门的保护，它可以显示

既能编程和擦除某些部门或行业团体操作：

持久扇区保护

是重新命令扇区保护方法

宿老12 V控制的保护方法;

密码扇区保护

是需要密码之前一个高度复杂的保护方法

改变某些部门或行业团体被允许;

WP ＃硬件亲

tection

防止编程或擦除在最外边的两个8字节的扇区

大型银行。

该设备默认的持久扇区保护模式。客户必须

那么如果选择标准或密码保护方法是最可取的。该

WP ＃硬件保护功能总是可用的，独立于其他

保护方法选择。

该

VersatileI / O （V

CCQ

)

功能允许对所产生的输出电压

基于所述V器件来确定

IO

的水平。此功能允许这台设备

工作在1.8 VI / O环境中，驱动信号和接收信号，并从

其它1.8 V设备在同一总线上。

主机系统可以检测是否编程或擦除操作完成了

观察RY / BY ＃引脚，通过读DQ7 （数据＃查询） ，或DQ6 （切换）

2

S29CD016G

2004年S29CD016_00_A4 11月5日，

A D V A N权证

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状态位。

经过编程或擦除周期完成，设备已准备好

读阵列数据或接受另一个命令。

该

扇区擦除架构

允许存储扇区被擦除和重现

编程，而不会影响其他部门的数据内容。该装置是完全

从工厂发货时被擦除。

硬件数据保护

措施包括低V

CC

探测器automat-

ically在电源转换禁止写操作。该

密码

软件行业保护

功能禁用这两个编程和擦除操作

系统蒸发散在的存储器扇区的任意组合。这可以在系统内可以实现

在V

CC

的水平。

该

编程/擦除暂停/删除恢复

特征使用户能够把

擦除搁置任何一段时间内读取数据，或程序数据，任何

部门未选择删除。因此，真正的背景擦除可

实现的。

该

硬件RESET ＃引脚

终止正在进行的任何操作，并复位

内部状态机来读取阵列数据。

该器件提供两种省电功能。当地址是稳定的

时间指定金额，该器件进入

自动休眠模式。

该

系统还可以将设备插入

待机模式。

功率消耗是

在这两种模式下大大降低。

Spansion闪存技术结合多年的闪存制造EX-

PERIENCE产生的质量，可靠性和成本效益最高的水平。

该装置通过电同时删除一个扇区内的所有位

福勒- Nordheim隧穿。的数据是使用热电子编程

注入。

2004年11月5日S29CD016_00_A4

S29CD016G

3

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

目录

产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.7

框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.8

同时读取的块图/写

电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.9

连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

特殊包装处理说明。 。 。 。 。 。 。 11

引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

表1.设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

扇区保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28

部门与部门团体.............................................. ............................................. 28

持久扇区保护............................................... ........................................ 28

密码扇区保护............................................... ......................................... 28

WP ＃硬件保护.............................................. ........................................... 28

持久扇区保护............................................... ............. 29

持久保护位（ PPB ） ............................................ ...................................... 29

持久保护位锁定（ PPB锁） .......................................... ................... 29

动态保护位（ DYB ） ............................................ ....................................... 29

表11.扇区保护计划。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十

VersatileI / O （V

IO

）控制................................................ .............. 15

对于读阵列数据要求........................................... 16

同时读/写

操作概述和限制.......................................... 16

概观............................................................................................................................16

限制........................................................................................................................16

持久扇区保护模式锁定位........................... 31

密码保护模式............................................... .................. 31

密码和密码模式锁定位................................... 32

64位密码............................................................................................................... 32

表2.银行分配为引导银行

部门设备。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

写保护（ WP ＃ ） ............................................ .............................. 33

SecSi （安全硅）扇区保护.................................. 33

SecSi扇区保护位.............................................. .................. 34

持久保护位锁定.............................................. ............ 34

硬件数据保护............................................... ................. 34

低V

CC

写禁止................................................ .................................................. 34

写脉冲“毛刺”保护............................................ .................................... 34

逻辑禁止................................................................................................................... 35

上电写禁止............................................. .................................................. 35

V

CC

和V

IO

上电和断电排序...................................... 35

同时读/写操作零延迟..... 17

表3.订购选项00 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

表4.订购选项01 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

写命令/命令序列................................... 17

加快编程和擦除操作............................................. ............. 18

自动选择功能......................................................................................................18

对于订购选项00表12扇区地址。 。 。 35

对于订购选项01表13扇区地址。 。 。 37

自动休眠模式（ ASM ） ............................................ ............... 18

待机模式...................................................................................................................18

通用闪存接口（ CFI ） 。 。 。 。 。 。 。 39

表14. CFI查询标识字符串。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39

表15. CFI系统接口字符串。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40

表16.设备几何定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 41

表17. CFI主要供应商特定的扩展查询42

RESET ＃ ：硬件复位引脚............................................ ................ 19

输出禁止模式............................................... ............................ 19

自选模式................................................ ................................... 19

表5. S29CD016G自选代码（高压甲

OD） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20

异步读取操作（非连拍） ............................... 20

图1.异步读取操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21

同步（突发）读操作............................................ 21

线性突发读操作.............................................. ............. 21

表6. 32位线性和突发数据订单。 。 。 。 。 。 。 22

CE＃控制在平板模式............................................ .......................................... 23

ADV ＃控制在平板模式............................................ ...................................... 23

在平板模式RESET ＃控制............................................ ................................... 23

OE ＃控制在平板模式............................................ ......................................... 23

IND / WAIT ＃运行在平板模式.......................................... ....................... 23

命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44

在读的非突发模式阵列数据...................................... 44

阅读连拍模式阵列数据............................................ .... 44

读/复位命令.............................................. ........................... 45

自选命令................................................ .......................... 45

程序命令序列............................................... ............ 45

加快程序命令............................................... ...... 46

解锁绕道命令序列.............................................. 46

图4.程序操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 47

解锁绕道进入命令.............................................. ................................... 47

解锁绕道程序命令.............................................. ............................ 48

解锁绕道芯片擦除命令............................................. ......................... 48

解锁绕道CFI命令.............................................. ...................................... 48

解锁绕道复位命令.............................................. .................................. 48

表7.有效配置寄存器位定义为IND /

WAIT ＃ 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23

图2.最终连拍指示（ IND / WAIT ＃ ）时序的

线性四双字突发操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24

突发访问时序控制.............................................. ........................................ 24

最初的突发存取延迟控制............................................. ............................... 24

芯片擦除命令............................................... .......................... 48

扇区擦除命令............................................... ...................... 49

图5.擦除操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50

表8.突发初始接入时延。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24

图3.突发访问时序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25

突发CLK EDGE数据传送............................................. ...................................... 25

突发数据保持控制.............................................. ............................................... 25

断言RESET＃在突发访问........................................... ................... 25

扇区擦除和编程挂起命令.......................... 50

扇区擦除和编程暂停运行机制....... 51

表18.允许执行的操作在擦除/编程可持

挂起。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 51

配置寄存器................................................ ........................ 25

表9.配置寄存器的定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 26

表10.配置寄存器后器件复位。 。 28

初始接入时延配置.............................................. .... 28

4

扇区擦除和编程恢复命令............................ 52

配置寄存器读命令........................................ 52

配置寄存器写入命令...................................... 52

通用闪存接口（ CFI ）命令.................................... 52

SecSi行业进入命令.............................................. .............. 53

2004年S29CD016_00_A4 11月5日，

S29CD016G

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

密码程序命令............................................... ........... 54

密码验证命令............................................... ................ 54

密码保护模式锁定位程序命令。 55

持久扇区保护模式锁定位程序的COM

普通话......................................................................................................... 55

SecSi扇区保护位程序命令........................ 55

PPB锁定位设置命令............................................. ................. 55

DYB写命令............................................... ......................... 56

密码解锁指令............................................... .............. 56

PPB程序命令............................................... ...................... 56

所有PPB擦除命令.............................................. ...................... 57

DYB写................................................ .............................................. 57

PPB锁定位设置.............................................. ...................................... 57

DYB状态................................................ .............................................. 57

PPB状态................................................ ............................................... 57

PPB锁定位状态.............................................. ................................ 57

非易失性保护位编程和擦除流程............. 58

测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70

马蒂奇休眠电流） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 69

图11.典型I

CC1

与频率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 69

图12.测试设置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70

表23.测试规范。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70

关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70

开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70

图13.输入波形和测量水平

70

交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.71

图14. V

CC

和V

IO

电时图。 。 。 。 。 。 。 。 。 71

表24.异步读取操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 72

图15.传统的读操作时序。 。 。 72

表25.突发模式读取。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73

图16.突发模式读取（ X32模式） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 74

图17.异步命令写时序。 。 。 。 75

图18.同步命令读/写时序75

表26.硬件复位（ RESET ＃ ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 76

图19. RESET ＃时序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 76

图20. WP ＃时序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 77

表27.擦除/编程操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 78

图21.程序操作时序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 79

图22.芯片/扇区擦除操作时序。 。 。 。 。 80

图23.返回到后周期时序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80

图24.数据＃投票计时

（在嵌入式算法） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 81

图25.触发位计时

（在嵌入式算法） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 81

图26. DQ2与DQ6擦除/擦除暂停运营

82

图27.同步数据轮询定时/触发位时序

英格斯。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 82

图28.部门保护/撤消时序图。 83

表28.备用CE ＃控制的擦除/编程操作

系统蒸发散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 84

图29.备用CE ＃控制的写操作时序

英格斯。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 85

表29.擦除和编程性能。 。 。 。 。 86

表30. PQFP和加固BGA引脚电容。 。 。 。 86

表19.内存阵列命令定义（ X32模式）

59

表20.扇区保护命令定义（ X32

模式）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60

写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 61

DQ7 ：数据＃投票............................................. .................................. 61

图6.数据＃投票算法。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 62

RY / BY ＃ ：就绪/忙＃ ......................................... ................................ 63

DQ6 ：切换位I ............................................. ..................................... 63

DQ2 ：触发位II ............................................. ................................... 64

阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ............ 64

图7.切换位算法。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 65

DQ5 ：超过时序限制............................................. ............. 66

DQ3 ：扇区擦除定时器............................................. ..................... 66

表21.写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 66

绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67

图8.最大负过冲波形。 。 67

图9.最大正向过冲波形。 。 。 67

工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.67

工业级（I ）设备...................................................................................................... 67

扩展（ E）设备............................................. .................................................. ..... 67

V

CC

电源电压...................................................................................................... 67

V

IO

电源电压....................................................................................................... 67

物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 87

PRQ080-80引脚塑料四方扁平封装87

LAA080-80 - ball加固球栅阵列（ 13 ×11

mm) 88

直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.68

表22. CMOS兼容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 68

图10.我

CC1

电流与时间（显示主动和自动

修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 89

2004年11月5日S29CD016_00_A4

S29CD016G

5

S29CD -G系列闪存

S29CD032G ， S29CD016G

32兆位（ 1M ×32位） ， 16兆位（ 512K ×32位）

2.5伏只突发模式，双启动，同步读/

写闪存与VersatileI / O 具有170纳米

工艺技术

数据表

初步

请注意，以读者：

这份文件指出目前的技术规格

关于本文所描述的飞索产品（S） 。的初步状态

本文表明产品合格已经完成，并

那最初的生产已经开始。由于在制造的各个阶段

需要保持效率和质量的过程中，这个文件可能是

在随后的版本或修改由于改变技术修改

特定连接的阳离子。

注意：

这份文件将取代数据表信息的S29CD016G修订A4和

S29CD032G修订B0 。该S29CD -G设备的厂家推荐的迁移路径。

请参考规格和订货信息该文档中找到。

公开号

S29CD-G_00

调整

B

修订

0

发行日期

二○○五年十一月十四日

本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。该信息旨在帮助您评估该产品。别

在设计该产品无需联系工厂。 Spansion公司保留对本建议的产品更改或停止工作，恕不另行通知。

P L I M I N A R

请注意在数据表牌号

Spansion公司发布的数据表具有超前信息或初步指示来提醒

产品信息在整个产品生命周期的读者或打算规格， includ-

荷兰国际集团开发，认证，初期生产，满负荷生产。在所有的情况下，但是，

我们鼓励读者以验证它们是否有最新的信息，最终确定自己的DE-前

签收。 Spansion的数据表名称的下面说明在此呈现给

彰显他们的存在和定义。

超前信息

事前信息认证表明Spansion公司正在开发一个或更有针对性

cific产品，但并没有承诺任何设计到生产。在提交信息

与此指定文件很可能会改变，并且在某些情况下，开发上在本产品

UCT可能会停止。因此， Spansion公司在提前放置在下列条件

信息内容：

“本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。该

信息旨在帮助您评估该产品。本产品不CON-不要设计

tacting工厂。 Spansion公司保留对本建议修改权利或停止工作

产品，恕不另行通知。 “

初步

预指定表示该产品的开发已取得进展，使得一

致力于生产已经发生。此指定涵盖了产品的几个方面

生命周期，包括产品合格，初始生产，并在后续阶段

满负荷生产达到之前发生的制造工艺。更改技术

在初步号文件提出要规范，同时保持这些AS-预期

生产正在考虑pects 。飞索放置于以下条件

初步内容：

“这份文件指出目前的技术规范关于Spansion公司产品（第）描述

在本文中。本文件的初步情况显示，产品合格已经完成，

而且最初的生产已经开始。由于在制造过程中，需要相

保持效率和质量，这个文件可以通过后续的版本或modifica-修改

由于系统蒸发散变化的技术规范“。

组合

有些数据表包含的产品具有不同的名称（组合提前在 -

形成初步或全部生产） 。这种类型的文件将区分这些产品

和它们的名称在必要时，通常在第一页，订货信息

页面，并与DC特性表和AC擦除和编程表页（表

注释） 。在第一页的免责声明是指读者在此页上的通知。

满负荷生产（在文件没有指定）

当产品已经生产了一段时间，使得不改变或仅标称

改变预期，初步指定从数据表中删除。公称

变化可以包括那些影响订货可用的部件号，如数量

另外的一个速度的选择，温度范围，包类型，或V或缺失

IO

范围内。变化

也包括那些需要澄清说明或纠正拼写错误或新断路器

RECT规范。 Spansion公司采用下列条件这一类的文件：

“这份文件指出目前的技术规范关于Spansion公司产品（第）描述

在本文中。 Spansion公司认为该产品已经在足够的生产量，这样子

本文档的序贯版本预计不会改变。但是，印刷或者规格

更正或修改提供可能发生的有效组合。 “

有关这些文件名称的问题，可向当地的AMD或富士通

销售网络的CE 。

ii

S29CD -G系列闪存

2005年S29CD - G_00_B0 11月14日，

S29CD -G系列闪存

S29CD032G ， S29CD016G

32兆位（ 1M ×32位） ， 16兆位（ 512K ×32位）

2.5伏只突发模式，双启动，同步读/

写闪存与VersatileI / O 具有170纳米

工艺技术

数据表

初步

特色鲜明

架构优势

同时读/写操作

- 从一个银行中读取数据，而执行擦除/

在其他银行的程序功能

读取和写入操作之间的零延迟

- 两个银行的体系结构：大银行/中小银行

75%/25%

用户定义的X32数据总线

双引导块

- 在同一装置顶部和底部引导扇区

灵活的部门架构

- CD032G ：八2K双字，有六十二16K

双字，八2K双字部门

- CD016G ：八2K双字，三十二个16K

双字，八2K双字部门

安全硅扇区（ 256字节）

—

工厂锁定和识别：

16字节的安全，

随机出厂的电子序列号;也知道

作为电子标识

在170纳米制程技术制造

可编程突发接口

- 接口的任何高性能的处理器

- 线性突发读操作： 2 ， 4 ， 8双

带或不带绕包字线爆裂

程序运行

- 执行同步和异步写入

突发配置寄存器的设置操作

独立地

单电源工作

- 优化的2.5至2.75伏读，擦除和

方案业务

与JEDEC标准兼容（ JC42.4 ）

- 软件与单电源闪存兼容

- 与AMD /富士通Am29LV向后兼容/

MBM29LV和Am29F / MBM29F快闪记忆体

- 待机模式： CMOS ： 60 μA（最大值）

每个扇区的典型百万的写入周期

20年数据保留典型

VersatileI / O 控制

- 生成数据的输出电压和容忍数据

输入电压为通过对所述电压测定

V

IO

针

- 1.65 V至3.60 V兼容的I / O信号

软件特点

持久扇区保护

- 个别部门和行业的组合锁

基团，以防止编程或擦除操作

该部门内的（只需要V

CC

级别）

密码扇区保护

- 个别部门和行业的组合锁

基团，以防止编程或擦除操作

使用用户自定义64位的部门

密码

支持通用闪存接口（ CFI ）

解锁绕道程序命令

- 发行时降低了总体规划的时间

多个程序的命令序列

数据＃查询和翻转位

- 提供了检测程序的软件或方法

擦除操作完成

硬件特性

程序挂起/恢复&擦除挂起/

简历

- 挂起编程或擦除操作，使

读取，编程或擦除在同一家银行

硬件复位（ RESET ＃ ） ，就绪/忙＃ （ RY /

BY ＃ ） ，和写保护（ WP ＃ ）输入

ACC输入

- 加速编程时间为更高的吞吐量

系统在生产过程中

封装选项

- 80引脚PQFP

- 80 - ball加固BGA

- 无铅封装也可以选择

- 已知合格芯片

性能特点

高性能的读取访问权限

- 48纳秒（ 32 MB）和54初始/随机存取时间

NS （ 16 MB）

- 突发存取的7.5纳秒（ 32 MB）或9毫微秒的时间（ 16兆）

超低功耗

- 突发模式读90毫安， 75 MHz的最大

- 编程/擦除： 50mA以下

公开号

S29CD-G_00

调整

B

修订

0

发行日期

二○○五年十一月十四日

本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。该信息旨在帮助您评估该产品。别

在设计该产品无需联系工厂。 Spansion公司保留对本建议的产品更改或停止工作，恕不另行通知。

P L I M I N A R

概述

该S29CD -G闪存系列是一个突发模式，双启动， Flash的同步读/写家庭

内存与VersatileI / O 170纳米工艺技术制造。

该S29CD032G是32兆， 2.6伏只（ 2.50 V - 2.75 V）单电源供电突发模式

可以为1,048,576双字被配置闪存装置。

该S29CD016G是16兆， 2.6伏只（ 2.50 V - 2.75 V）单电源供电突发模式

可以为524288双字被配置闪存装置。

为了消除总线争用，每个设备都有独立的芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）和

输出使能（ OE ＃ ）控制。额外的控制输入端都需要同步突发能操作

ations ：负载突发地址有效（ADV ＃ ）和时钟（CLK） 。

每个设备只需要一个2.6伏只（ 2.50 V - 2.75 V）的读取和写入功能

系统蒸发散。 12.0伏V

PP

不需要用于编程或擦除操作，尽管加速度

引脚可如果需要更快的编程性能。

该设备完全命令集与JEDEC单电源闪存标兼容

准。该软件的命令集与5 V Am29F或命令集兼容

MBM29F和3 V Am29LV或MBM29LV闪存系列。命令被写入命令

注册使用标准的微处理器写时序。寄存器的内容作为输入到IN-

ternal状态机控制的擦除和编程电路。写周期也

内部锁存地址和所需的编程数据和擦除操作。阅读

数据输出设备的是类似于其他Flash或EPROM器件读取。

该

解锁绕道

模式，要求只有两个写周期有利于更快的编程时间

编程数据，而不是四个。

该

同时读/写架构

通过将提供同步操作

存储空间分成两个组。该设备可以开始编程或擦除在一家银行，并

然后同时从其他银行的读，零延迟。这种释放系统从

等待完成程序或擦除操作。看

同时读/写操作

系统蒸发散概述。

该装置提供了一个256字节的

安全硅行业

包含电子标识Infor公司

息，便于设备的可追溯性。

此外，该器件具有几个级别部门保护，它可以禁用这两个亲

克和擦除操作在某些部门或行业团体：

持久扇区保护

is

命令扇区保护方法，它取代了旧的12 V控制的保护方法;

密码扇区保护

是，需要一个口令一个高度复杂的保护方法

改变某些部门或行业团体字前允许;

WP ＃硬件

保护

防止编程或擦除在最外边的两个8字节扇区的大银行。

该设备默认的持久扇区保护模式。客户如果必须，然后选择

标准或密码保护方法是最可取的。在WP ＃硬件保护

特点是始终可用，独立选择的其他保护方法。

该

VersatileI / O （V

CCQ

)

功能允许在设备上产生的输出电压，以被去

termined基于在V

IO

的水平。此功能允许器件在1.8 VI / O操作

的环境中，驱动信号和接收信号，并从同一总线上的其它1.8 V设备。

主机系统可以检测是否编程或擦除操作完成时，通过观察

RY / BY ＃引脚，通过读DQ7 （数据＃查询） ，或DQ6 （切换）

状态位。

一个程序后，

或擦除周期完成时，该装置已准备好读取阵列数据或接收到另一个命令。

该

扇区擦除架构

允许存储扇区进行擦除和重新编程，而不

影响到其他部门的数据内容。从运时，该设备被完全擦除

工厂。

2

S29CD -G系列闪存

2005年S29CD - G_00_B0 11月14日，

P L I M I N A R

硬件数据保护

措施包括低V

CC

探测器可以自动抑制写

在电源转换操作。该

密码和软件部门的保护

特征

禁用这两个方案，并在内存领域的任何组合擦除操作。这可以

在系统在V来实现

CC

的水平。

该

编程/擦除暂停/删除恢复

功能使用户把擦除搁置

任何一段时间来读取数据，或程序数据，即不选择任何扇区

擦除。真实背景擦除因此可以实现。

该

硬件RESET ＃引脚

终止正在进行的任何操作，并复位内部状态

机读取阵列的数据。

该器件提供两种省电功能。当地址是稳定为指定的量

时间，设备进入

自动休眠模式。

该系统还可以将设备插入

该

待机模式。

功率消耗在这两种模式下大大降低。

AMD的闪存技术，结合多年的闪存制造经验，生产

最高级别的质量，可靠性和成本效益。该装置电擦除所有

通过福勒- Nordheim隧穿同时一个行业内的位。的数据被编程

用热电子注入。

二○○五年十一月十四日S29CD ， G_00_B0

S29CD -G系列闪存

3

S29CD016G

16兆位（ 512K的×32位）

CMOS 2.5伏只突发模式，双启动，

同时读/写闪存

数据表

特色鲜明

架构优势

同时读/写操作

- 两个银行的体系结构：大银行/中小银行

- 数据可以从银行在执行擦除读/

在其他银行的程序功能

读取和写入操作之间的零延迟

用户定义的X32数据总线

双引导块

- 在同一装置顶部和底部引导扇区

灵活的部门架构

- 8个8字节， 30字节64和8个8字节

扇区

在170纳米制程技术制造

SecSi （担保硅）扇区（256字节）

—

工厂锁定和识别：

16字节的安全，

随机出厂的电子序列号;其余

可以是通过飞索编程客户数据

—

客户可锁定：

可以读取，编程，或者

就像其他行业的擦除。一旦锁定，数据

不能改变

可编程突发接口

- 接口的任何高性能的处理器

- 对突发读操作模式：

—

线性脉冲串：

4双字和8个双字

与周围包裹

程序运行

- 能够进行同步和异步

写突发配置寄存器的操作

独立设置

单电源工作

- 优化的2.5至2.75伏读，擦除和

方案业务

与JEDEC标准兼容（ JC42.4 ）

- 软件与单电源闪存兼容

- 与AMD Am29LV和Am29F向后兼容

和富士通MBM29LV和MBM29F快闪记忆体

超低功耗

- 突发模式读90毫安， 66 MHz的最大，

- 编程/擦除： 50mA以下

- 待机模式： CMOS ： 60 μA（最大值）

每个扇区的典型百万的写入周期

20年数据保留典型

VersatileI / O 控制

- 设备产生的数据的输出电压，并且能够忍耐

数据的输入电压由所述电压测定

在V

IO

针

- 1.65 V至2.75 V兼容的I / O信号

- 3.6 V容限I / O信号

软件特点

持久扇区保护

- 一个命令扇区保护方法来锁定

个别部门和行业团体的组合

防止程序或内擦除操作

部门（只需要V

CC

级别）

密码扇区保护

- 一个成熟的行业保护方法来锁定

个别部门和行业团体的组合

防止程序或内擦除操作

使用用户定义的64位密码界

支持通用闪存接口（ CFI ）

解锁绕道程序命令

- 发行时降低了总体规划的时间

多个程序的命令序列

数据＃查询和翻转位

- 提供了检测程序的软件或方法

擦除操作完成

硬件特性

程序挂起/恢复&擦除挂起/

简历

- 挂起编程或擦除操作，使

读取，编程或擦除在同一家银行

硬件复位（ RESET ＃ ） ，就绪/忙＃ （ RY /

BY ＃ ） ，和写保护（ WP ＃ ）输入

ACC输入

- 加速编程时间为更高的吞吐量

系统在生产过程中

封装选项

- 80引脚PQFP

- 80 - ball加固BGA

性能特点

高性能的读取访问权限

- 初始/随机存取时间快54纳秒

- 突发存取时间快9纳秒的球栅阵列

包

公开号

S29CD016_00

调整

A

修订

4

发行日期

2004年11月5日

本文档的内容如有更改，恕不另行通知。本文档可能包含对一个正在开发的Spansion公司产品由Spansion LLC的信息。 Spansion公司

有限责任公司保留对任何产品的更改或停止工作，恕不另行通知。本文档中的信息提供

μAs

是“不附带任何保证或

作为一种信息的准确性，完整性，可操作性，适合特定目的的适销性，不侵犯第三方权益，或任何其他明示，暗示，或

法定。 Spansion公司不承担因使用本文档中的信息的任何种类的任何损失承担任何责任。

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

概述

该S29CD016G是16兆， 2.5伏，只有单电源供电突发模式

快闪存储器装置。该装置可被配置为524288双字。

该设备还可以在标准EPROM编程器编程。

为了消除总线争用，每个设备包括独立的芯片使能（ CE ＃ ） ，

写使能（WE ＃ ） ，并且输出使能（OE ＃ ）控制。额外的控制输入

都需要同步突发操作：加载突发地址有效（ ADV ＃ ） ，

和时钟（CLK） 。

只有每个设备都需要

采用2.5或2.6伏电源

（ 2.5 V至2.75

V）的读写功能。 12.0伏V

PP

不需要程序

或擦除操作，虽然加速引脚可用，如果编程速度更快

铭性能是必需的。

该设备完全指令集的兼容

JEDEC单加电

供应闪光的标准。

设置软件命令与的COM兼容

命令集的5 V Am29F和3 V Am29LV闪光的家庭。命令

写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。

寄存器的内容作为输入到一个内部状态机，用于控制

擦除和编程电路。写周期内部也锁存地址和

所需的编程数据和擦除操作。读出数据的

装置是相似的，从其他闪存或EPROM器件读取。

该

解锁绕道

模式只要求有利于更快的编程时间

两个写周期编程数据，而不是四个。

该

同时读/写架构

同时提供操作

通过将存储器空间划分为两个组。该设备可以开始编程

或擦除在一家银行，然后同时从其他银行的阅读，有

零延迟。此从等待完成程序的释放系统

或擦除操作。看

“同时读/写操作概述和再

第14页strictions “ 。

该装置提供了一个256字节的

SecSi （安全硅）行业

与单

一次性可编程（ OTP）的机制。

此外，该器件具有几个级别部门的保护，它可以显示

既能编程和擦除某些部门或行业团体操作：

持久扇区保护

是重新命令扇区保护方法

宿老12 V控制的保护方法;

密码扇区保护

是需要密码之前一个高度复杂的保护方法

改变某些部门或行业团体被允许;

WP ＃硬件亲

tection

防止编程或擦除在最外边的两个8字节的扇区

大型银行。

该设备默认的持久扇区保护模式。客户必须

那么如果选择标准或密码保护方法是最可取的。该

WP ＃硬件保护功能总是可用的，独立于其他

保护方法选择。

该

VersatileI / O （V

CCQ

)

功能允许对所产生的输出电压

基于所述V器件来确定

IO

的水平。此功能允许这台设备

工作在1.8 VI / O环境中，驱动信号和接收信号，并从

其它1.8 V设备在同一总线上。

主机系统可以检测是否编程或擦除操作完成了

观察RY / BY ＃引脚，通过读DQ7 （数据＃查询） ，或DQ6 （切换）

2

S29CD016G

2004年S29CD016_00_A4 11月5日，

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

状态位。

经过编程或擦除周期完成，设备已准备好

读阵列数据或接受另一个命令。

该

扇区擦除架构

允许存储扇区被擦除和重现

编程，而不会影响其他部门的数据内容。该装置是完全

从工厂发货时被擦除。

硬件数据保护

措施包括低V

CC

探测器automat-

ically在电源转换禁止写操作。该

密码

软件行业保护

功能禁用这两个编程和擦除操作

系统蒸发散在的存储器扇区的任意组合。这可以在系统内可以实现

在V

CC

的水平。

该

编程/擦除暂停/删除恢复

特征使用户能够把

擦除搁置任何一段时间内读取数据，或程序数据，任何

部门未选择删除。因此，真正的背景擦除可

实现的。

该

硬件RESET ＃引脚

终止正在进行的任何操作，并复位

内部状态机来读取阵列数据。

该器件提供两种省电功能。当地址是稳定的

时间指定金额，该器件进入

自动休眠模式。

该

系统还可以将设备插入

待机模式。

功率消耗是

在这两种模式下大大降低。

Spansion闪存技术结合多年的闪存制造EX-

PERIENCE产生的质量，可靠性和成本效益最高的水平。

该装置通过电同时删除一个扇区内的所有位

福勒- Nordheim隧穿。的数据是使用热电子编程

注入。

2004年11月5日S29CD016_00_A4

S29CD016G

3

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

目录

产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.7

框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.8

同时读取的块图/写

电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.9

连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

特殊包装处理说明。 。 。 。 。 。 。 11

引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

表1.设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

扇区保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28

部门与部门团体.............................................. ............................................. 28

持久扇区保护............................................... ........................................ 28

密码扇区保护............................................... ......................................... 28

WP ＃硬件保护.............................................. ........................................... 28

持久扇区保护............................................... ............. 29

持久保护位（ PPB ） ............................................ ...................................... 29

持久保护位锁定（ PPB锁） .......................................... ................... 29

动态保护位（ DYB ） ............................................ ....................................... 29

表11.扇区保护计划。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十

VersatileI / O （V

IO

）控制................................................ .............. 15

对于读阵列数据要求........................................... 16

同时读/写

操作概述和限制.......................................... 16

概观............................................................................................................................16

限制........................................................................................................................16

持久扇区保护模式锁定位........................... 31

密码保护模式............................................... .................. 31

密码和密码模式锁定位................................... 32

64位密码............................................................................................................... 32

表2.银行分配为引导银行

部门设备。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

写保护（ WP ＃ ） ............................................ .............................. 33

SecSi （安全硅）扇区保护.................................. 33

SecSi扇区保护位.............................................. .................. 34

持久保护位锁定.............................................. ............ 34

硬件数据保护............................................... ................. 34

低V

CC

写禁止................................................ .................................................. 34

写脉冲“毛刺”保护............................................ .................................... 34

逻辑禁止................................................................................................................... 35

上电写禁止............................................. .................................................. 35

V

CC

和V

IO

上电和断电排序...................................... 35

同时读/写操作零延迟..... 17

表3.订购选项00 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

表4.订购选项01 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

写命令/命令序列................................... 17

加快编程和擦除操作............................................. ............. 18

自动选择功能......................................................................................................18

对于订购选项00表12扇区地址。 。 。 35

对于订购选项01表13扇区地址。 。 。 37

自动休眠模式（ ASM ） ............................................ ............... 18

待机模式...................................................................................................................18

通用闪存接口（ CFI ） 。 。 。 。 。 。 。 39

表14. CFI查询标识字符串。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39

表15. CFI系统接口字符串。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40

表16.设备几何定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 41

表17. CFI主要供应商特定的扩展查询42

RESET ＃ ：硬件复位引脚............................................ ................ 19

输出禁止模式............................................... ............................ 19

自选模式................................................ ................................... 19

表5. S29CD016G自选代码（高压甲

OD） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20

异步读取操作（非连拍） ............................... 20

图1.异步读取操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21

同步（突发）读操作............................................ 21

线性突发读操作.............................................. ............. 21

表6. 32位线性和突发数据订单。 。 。 。 。 。 。 22

CE＃控制在平板模式............................................ .......................................... 23

ADV ＃控制在平板模式............................................ ...................................... 23

在平板模式RESET ＃控制............................................ ................................... 23

OE ＃控制在平板模式............................................ ......................................... 23

IND / WAIT ＃运行在平板模式.......................................... ....................... 23

命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44

在读的非突发模式阵列数据...................................... 44

阅读连拍模式阵列数据............................................ .... 44

读/复位命令.............................................. ........................... 45

自选命令................................................ .......................... 45

程序命令序列............................................... ............ 45

加快程序命令............................................... ...... 46

解锁绕道命令序列.............................................. 46

图4.程序操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 47

解锁绕道进入命令.............................................. ................................... 47

解锁绕道程序命令.............................................. ............................ 48

解锁绕道芯片擦除命令............................................. ......................... 48

解锁绕道CFI命令.............................................. ...................................... 48

解锁绕道复位命令.............................................. .................................. 48

表7.有效配置寄存器位定义为IND /

WAIT ＃ 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23

图2.最终连拍指示（ IND / WAIT ＃ ）时序的

线性四双字突发操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24

突发访问时序控制.............................................. ........................................ 24

最初的突发存取延迟控制............................................. ............................... 24

芯片擦除命令............................................... .......................... 48

扇区擦除命令............................................... ...................... 49

图5.擦除操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50

表8.突发初始接入时延。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24

图3.突发访问时序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25

突发CLK EDGE数据传送............................................. ...................................... 25

突发数据保持控制.............................................. ............................................... 25

断言RESET＃在突发访问........................................... ................... 25

扇区擦除和编程挂起命令.......................... 50

扇区擦除和编程暂停运行机制....... 51

表18.允许执行的操作在擦除/编程可持

挂起。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 51

配置寄存器................................................ ........................ 25

表9.配置寄存器的定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 26

表10.配置寄存器后器件复位。 。 28

初始接入时延配置.............................................. .... 28

4

扇区擦除和编程恢复命令............................ 52

配置寄存器读命令........................................ 52

配置寄存器写入命令...................................... 52

通用闪存接口（ CFI ）命令.................................... 52

SecSi行业进入命令.............................................. .............. 53

2004年S29CD016_00_A4 11月5日，

S29CD016G

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

密码程序命令............................................... ........... 54

密码验证命令............................................... ................ 54

密码保护模式锁定位程序命令。 55

持久扇区保护模式锁定位程序的COM

普通话......................................................................................................... 55

SecSi扇区保护位程序命令........................ 55

PPB锁定位设置命令............................................. ................. 55

DYB写命令............................................... ......................... 56

密码解锁指令............................................... .............. 56

PPB程序命令............................................... ...................... 56

所有PPB擦除命令.............................................. ...................... 57

DYB写................................................ .............................................. 57

PPB锁定位设置.............................................. ...................................... 57

DYB状态................................................ .............................................. 57

PPB状态................................................ ............................................... 57

PPB锁定位状态.............................................. ................................ 57

非易失性保护位编程和擦除流程............. 58

测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70

马蒂奇休眠电流） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 69

图11.典型I

CC1

与频率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 69

图12.测试设置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70

表23.测试规范。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70

关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70

开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70

图13.输入波形和测量水平

70

交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.71

图14. V

CC

和V

IO

电时图。 。 。 。 。 。 。 。 。 71

表24.异步读取操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 72

图15.传统的读操作时序。 。 。 72

表25.突发模式读取。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73

图16.突发模式读取（ X32模式） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 74

图17.异步命令写时序。 。 。 。 75

图18.同步命令读/写时序75

表26.硬件复位（ RESET ＃ ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 76

图19. RESET ＃时序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 76

图20. WP ＃时序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 77

表27.擦除/编程操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 78

图21.程序操作时序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 79

图22.芯片/扇区擦除操作时序。 。 。 。 。 80

图23.返回到后周期时序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80

图24.数据＃投票计时

（在嵌入式算法） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 81

图25.触发位计时

（在嵌入式算法） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 81

图26. DQ2与DQ6擦除/擦除暂停运营

82

图27.同步数据轮询定时/触发位时序

英格斯。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 82

图28.部门保护/撤消时序图。 83

表28.备用CE ＃控制的擦除/编程操作

系统蒸发散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 84

图29.备用CE ＃控制的写操作时序

英格斯。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 85

表29.擦除和编程性能。 。 。 。 。 86

表30. PQFP和加固BGA引脚电容。 。 。 。 86

表19.内存阵列命令定义（ X32模式）

59

表20.扇区保护命令定义（ X32

模式）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60

写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 61

DQ7 ：数据＃投票............................................. .................................. 61

图6.数据＃投票算法。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 62

RY / BY ＃ ：就绪/忙＃ ......................................... ................................ 63

DQ6 ：切换位I ............................................. ..................................... 63

DQ2 ：触发位II ............................................. ................................... 64

阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ............ 64

图7.切换位算法。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 65

DQ5 ：超过时序限制............................................. ............. 66

DQ3 ：扇区擦除定时器............................................. ..................... 66

表21.写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 66

绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67

图8.最大负过冲波形。 。 67

图9.最大正向过冲波形。 。 。 67

工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.67

工业级（I ）设备...................................................................................................... 67

扩展（ E）设备............................................. .................................................. ..... 67

V

CC

电源电压...................................................................................................... 67

V

IO

电源电压....................................................................................................... 67

物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 87

PRQ080-80引脚塑料四方扁平封装87

LAA080-80 - ball加固球栅阵列（ 13 ×11

mm) 88

直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.68

表22. CMOS兼容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 68

图10.我

CC1

电流与时间（显示主动和自动

修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 89

2004年11月5日S29CD016_00_A4

S29CD016G

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