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S268P
威世德律风根
硅PIN光电二极管阵列
描述
S268P是一个内嵌硅PIN光电二极管阵列CON-
成形。
三个单个光电二极管芯片与公共阴极
被安装在一个waterclear 8脚双列直插式封装。
每个芯片的措施3毫米3mm的，并提供了岭
7.5mm的diant敏感区
2
.
特点
D
D
D
D
D
D
D
三个光电二极管与普通阴极
快速的响应时间
小结电容
高感光度照片
大辐射敏感区（A = 3× 7.5毫米
2
)
半灵敏度广角
=
±
65
°
适用于可见光和近红外辐射
94 8684
应用
高速和高灵敏度PIN光电二极管阵列为工业应用，测量和控制
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C
参数
反向电压
功耗
结温
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
测试条件
T
AMB
符号
V
R
P
V
T
j
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
60
215
100
–55...+100
260
350
单位
V
mW
°
C
°
C
°
C
K / W
x
25
°
C
t
3秒，安装在
电镀，印刷电路板
x
文档编号81538
第2版， 20日， 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (5)
S268P
威世德律风根
基本特征
T
AMB
= 25
_
C
参数
击穿电压
反向暗电流
二极管电容
开路电压
温度。 V系数
o
短路电流
温度。我系数
k
反向光电流
g
测试条件
I
R
= 100
m
A，E = 0
V
R
= 10 V ， E = 0
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
V
R
= 3 V ， F = 1MHz时， E = 0
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
E
A
= 1 KLX
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950 nm的
E
A
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950 nm的
E
A
= 1 KLX ，V
R
= 5 V
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950纳米，V
R
= 5 V
符号
V
（ BR ）
I
ro
C
D
C
D
V
o
TK
Vo
I
k
I
k
TK
Ik
I
ra
I
ra
民
60
典型值
2
70
25
350
–2.6
70
47
0.1
75
50
1:1.2
最大
30
40
单位
V
nA
pF
pF
mV
毫伏/ K
m
A
m
A
%/K
40
m
A
m
A
度
nm
nm
W / Hz的√
ns
ns
反向光电流比
两个二极管
半灵敏度角
峰值灵敏度的波长
光谱带宽范围
噪声等效功率
V
R
= 10 V,
l
= 950 nm的
上升时间
V
R
= 10 V ，R
L
= 1 k
W
,
l
= 820 nm的
下降时间
V
R
= 10 V ，R
L
= 1 k
W
,
l
= 820 nm的
l
p
l
0.5
NEP
t
r
t
f
±65
900
600...1050
4x10
–14
100
100
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C除非另有说明）
I
RA相对
- 相对反向光电流
1000
I
ro
- 反向暗电流（ NA）
1.4
1.2
100
V
R
=5V
l
=950nm
1.0
10
0.8
V
R
=10V
1
20
40
60
80
100
0.6
0
94 8416
20
40
60
80
100
94 8403
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图1.反向暗电流与环境温度
图2.相对反向光电流与
环境温度
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2 (5)
文档编号81538
第2版， 20日， 99
S268P
威世德律风根
1000
I
ra
- 反向光电流（
m
A )
C
D
- 二极管电容（pF ）
80
E=0
f=1MHz
60
100
10
40
1
V
R
=5V
l
=950nm
20
0.1
0.01
94 8417
0
0.1
1
10
94 8407
0.1
1
10
100
E
e
- 辐射（毫瓦/平方厘米
2
)
V
R
- 反向电压（ V）
图3.反向光电流与光强
1000
I
ra
- 反向光电流（
m
A )
图6.二极管电容与反向电压
S (
l
)
REL
- 相对光谱灵敏度
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
350
100
10
V
R
=5V
1
0.1
10
1
94 8418
10
2
10
3
10
4
94 8420
550
750
950
1150
E
A
- 照度（ LX ）
l
- 波长（nm ）
图4.反向光电流与照度
100
I
ra
- 反向光电流（
m
A )
1毫瓦/厘米
2
0.5毫瓦/平方厘米
2
图7.相对光谱灵敏度与波长
0°
10
°
20
°
30°
S
REL
- 相对灵敏度
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.2毫瓦/平方厘米
2
10
0.1毫瓦/平方厘米
2
0.05毫瓦/平方厘米
2
l
=950nm
1
0.1
94 8419
1
10
100
94 8406
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
V
R
- 反向电压（ V）
图5.反向光电流与反向电压
图8.相对辐射灵敏度对比
角位移
文档编号81538
第2版， 20日， 99
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3 (5)
S268P
威世德律风根
北卡罗来纳州
8
C
7
C
6
C
5
D
1
D
2
D
3
94 8683
1
C
2
A
D1
3
A
D2
4
A
D3
尺寸（mm）
96 12185
www.vishay.de
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4 (5)
文档编号81538
第2版， 20日， 99
S268P
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统，以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
文档编号81538
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威世德律风根
硅PIN光电二极管阵列
描述
S268P是一个内嵌硅PIN光电二极管阵列CON-
成形。
三个单个光电二极管芯片与公共阴极
被安装在一个waterclear 8脚双列直插式封装。
每个芯片的措施3毫米3mm的，并提供了岭
7.5mm的diant敏感区
2
.
特点
D
D
D
D
D
D
D
三个光电二极管与普通阴极
快速的响应时间
小结电容
高感光度照片
大辐射敏感区（A = 3× 7.5毫米
2
)
半灵敏度广角
=
±
65
°
适用于可见光和近红外辐射
94 8684
应用
高速和高灵敏度PIN光电二极管阵列为工业应用，测量和控制
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C
参数
反向电压
功耗
结温
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
测试条件
T
AMB
符号
V
R
P
V
T
j
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
60
215
100
–55...+100
260
350
单位
V
mW
°
C
°
C
°
C
K / W
x
25
°
C
t
3秒，安装在
电镀，印刷电路板
x
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威世德律风根
基本特征
T
AMB
= 25
_
C
参数
击穿电压
反向暗电流
二极管电容
开路电压
温度。 V系数
o
短路电流
温度。我系数
k
反向光电流
g
测试条件
I
R
= 100
m
A，E = 0
V
R
= 10 V ， E = 0
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
V
R
= 3 V ， F = 1MHz时， E = 0
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
E
A
= 1 KLX
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950 nm的
E
A
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950 nm的
E
A
= 1 KLX ，V
R
= 5 V
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950纳米，V
R
= 5 V
符号
V
（ BR ）
I
ro
C
D
C
D
V
o
TK
Vo
I
k
I
k
TK
Ik
I
ra
I
ra
民
60
典型值
2
70
25
350
–2.6
70
47
0.1
75
50
1:1.2
最大
30
40
单位
V
nA
pF
pF
mV
毫伏/ K
m
A
m
A
%/K
40
m
A
m
A
度
nm
nm
W / Hz的√
ns
ns
反向光电流比
两个二极管
半灵敏度角
峰值灵敏度的波长
光谱带宽范围
噪声等效功率
V
R
= 10 V,
l
= 950 nm的
上升时间
V
R
= 10 V ，R
L
= 1 k
W
,
l
= 820 nm的
下降时间
V
R
= 10 V ，R
L
= 1 k
W
,
l
= 820 nm的
l
p
l
0.5
NEP
t
r
t
f
±65
900
600...1050
4x10
–14
100
100
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C除非另有说明）
I
RA相对
- 相对反向光电流
1000
I
ro
- 反向暗电流（ NA）
1.4
1.2
100
V
R
=5V
l
=950nm
1.0
10
0.8
V
R
=10V
1
20
40
60
80
100
0.6
0
94 8416
20
40
60
80
100
94 8403
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图1.反向暗电流与环境温度
图2.相对反向光电流与
环境温度
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威世德律风根
1000
I
ra
- 反向光电流（
m
A )
C
D
- 二极管电容（pF ）
80
E=0
f=1MHz
60
100
10
40
1
V
R
=5V
l
=950nm
20
0.1
0.01
94 8417
0
0.1
1
10
94 8407
0.1
1
10
100
E
e
- 辐射（毫瓦/平方厘米
2
)
V
R
- 反向电压（ V）
图3.反向光电流与光强
1000
I
ra
- 反向光电流（
m
A )
图6.二极管电容与反向电压
S (
l
)
REL
- 相对光谱灵敏度
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
350
100
10
V
R
=5V
1
0.1
10
1
94 8418
10
2
10
3
10
4
94 8420
550
750
950
1150
E
A
- 照度（ LX ）
l
- 波长（nm ）
图4.反向光电流与照度
100
I
ra
- 反向光电流（
m
A )
1毫瓦/厘米
2
0.5毫瓦/平方厘米
2
图7.相对光谱灵敏度与波长
0°
10
°
20
°
30°
S
REL
- 相对灵敏度
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.2毫瓦/平方厘米
2
10
0.1毫瓦/平方厘米
2
0.05毫瓦/平方厘米
2
l
=950nm
1
0.1
94 8419
1
10
100
94 8406
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
V
R
- 反向电压（ V）
图5.反向光电流与反向电压
图8.相对辐射灵敏度对比
角位移
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北卡罗来纳州
8
C
7
C
6
C
5
D
1
D
2
D
3
94 8683
1
C
2
A
D1
3
A
D2
4
A
D3
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消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
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to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统，以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
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联系人：夏先生 朱小姐
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