S21MT1/S21MT2
S21MT1/S21MT2
s
特点
1.紧凑型4针DIP型
(包区:传统模式的2/3)
2.普通型
3.通过UL认证(编号E64380 )
紧凑型4针DIP型
可控硅耦合器
s
外形尺寸
(单位:毫米)
1.2
±
0.3
0.9
±
0.3
阳极大关
4
2.54
±
0.25
3
4.58
±
0.5
s
型号阵容
对于200V线
零电路没有内置
零电路内置
S21MT1
S21MT2
1
2
S21MT1
6.5
±
0.5
7.62
±
0.3
4.58
±
0.5
3.5
±
0.5
2.7
民
s
应用
1.对于SSR
0.26
±
0.1
θ
θ
:
0
to
13
3.4
±
0.5
0.5
±
0.1
内部连接图
S21MT1
4
3
S21MT2
4
3
1
2
1阳极
2阴极
3阳极/
阴极
4阳极/
阴极
1
0.5
典型值。
2
零交叉电路
s
绝对最大额定值
参数
正向电流
反向电压
*1
RMS通态电流
峰值一个周期浪涌电流
重复峰值断态电压
*2
隔离电压
工作温度
储存温度
*3
焊接温度
符号
I
F
V
R
I
T
I
浪涌
V
DRM
V
ISO
T
OPR
T
英镑
T
SOL
等级
50
6
0.1
1.2 ( 50Hz正弦波)
600
5 000
-30至+ 100
-55 + 125
260( 10秒)
(Ta=25C)
单位
mA
V
A
RMS
A
V
V
RMS
C
C
C
输入
产量
* 1的减少的绝对最大的环境温度范围内。评级:图中所示为图1和2 。
* 2 4060 %RH下,交流进行1分钟
* 3在10秒
“
在没有确认元器件规格说明书中,夏普需要对发生的任何使用夏普的设备的任何缺陷的设备,在目录显示不承担任何责任,
数据手册等所刊载在使用任何夏普的设备之前获得的元器件规格说明书的最新版本“ 。
S21MT1/S21MT2
s
光电特性
参数
正向电压
反向电流
重复峰值断态电流
通态电压
保持电流
断态电压临界上升率
过零电压
S21MT2
最小触发电流
绝缘电阻
S21MT1
开启时间
S21MT2
符号
V
F
I
R
I
DRM
V
T
I
H
dv / dt的
V
OX
I
FT
R
ISO
t
on
条件
I
F
= 20mA下
V
R
= 3V
V
DRM
=额定
I
T
= 0.05A
V
D
= 6V
V
DRM
= (1/ 2) 额定
I
F
= 15毫安,阻性负载
R
L
= 100 , V
D
= 6V
DC = 500V, 40 60%RH的
V
D
= 6V ,R
L
= 100 , I
F
= 20mA下
分钟。
典型值。
-
1.2
-
-
-
-
-
-
0.1
-
100
-
-
-
-
-
10
5 x 10
1 x 10
11
-
-
-
-
马克斯。
1.4
10
1
3.0
3.5
-
35
10
-
100
50
(Ta=25C)
单位
V
A
A
V
mA
V/
s
V
mA
s
输入
产量
转让
特征
图。 1 RMS通态电流与环境
温度
120
图。 2正向电流与环境
温度
70
60
RMS通态电流I
T
( mArms的)
100
正向电流I
F
(MA )
0
20
40
60
80
100
50
40
30
20
10
0
- 30
80
60
40
20
0
- 30
0
25
50
75
100
125
环境温度Ta (C )
环境温度Ta (C )
q
请参阅本章"Precautions的Use." (页78至93 )