S11MD5T/S21MD3TV/S21MD4TV
S11MD5T/S21MD3TV/
S21MD4TV
s
特点
1. NO.5脚在模具完全密封
外部噪声性
2.内置零交叉电路
（ S21MD4TV ）
3.高重复峰值断态电压。
S11MD5T
V
DRM
： MIN 。 400V
S21MD3TV/S21MD4TV
V
DRM
： MIN 。 600V
输入和输出之间4.隔离电压
（维索： 5000 Vrms的）
5.认可通过UL ：认可，文件号E64380
高噪声电阻式
可控硅耦合器
s
外形尺寸
S11MD5T/S21MD3TV
S21MD4TV
6
S11MD5T
4
6.5
±
0.5
（单位：毫米）
内部连接
图
6
4
g
零交叉
电路
1
2
3
阳极
标志
1
2
3
0.9
±
0.2
1.2
±
0.3
2.54
±
0.25
7.12
±
0.5
7.62
±
0.3
0.5
典型值。
3.5
±
0.5
1.对于触发功率可控硅
3.35
±
0.5
s
应用
3.7
±
0.5
0.5
±
0.1
0.26
±
0.1
θ
:
0到13
1阳极
2阴极
3 NC
θ
4阳极/
阴极
6阳极/
阴极
打标
S21MD3TV
:
S21MD3T
s
型号阵容
100V
200V
S11MD5T
S21MD3TV/S21MD4TV
打标
S21MD4TV
:
S21MD4T
g
零交叉电路（
S21MD4TV
)
s
绝对最大额定值
参数
输入
正向电流
反向电压
RMS通态电流
1
峰值一个周期浪涌电流
重复峰值断态电压
2
隔离电压
工作温度
储存温度
3
焊接温度
符号
I
F
V
R
I
T
I
浪涌
V
DRM
V
ISO
T
OPR
T
英镑
T
SOL
等级
S11MD5T S21MD3TV / S21MD4TV
50
6
0.1
1.2
400
600
5 000
- 30至+ 100
- 55至+ 125
260
（大= 25℃）
单位
mA
V
A
RMS
A
V
V
RMS
C
C
C
产量
1
正弦波
2
4060 ％RH下，交流，1分钟中，f = 60Hz的
3
10秒
“
在没有确认元器件规格说明书中，夏普需要对发生的任何使用夏普的设备的任何缺陷的设备，在目录显示不承担任何责任，
数据手册等所刊载在使用任何夏普的设备之前获得的元器件规格说明书的最新版本“ 。
S11MD5T/S21MD3TV/S21MD4TV
s
光电特性
参数
S11MD5T/S21MD4TV
前锋
电压
S21MD3TV
反向电流
重复峰值断态电流
S11MD5T
导通状态
电压
S21MD3TV/S21MD4TV
保持电流
爆击率
S11MD5T/S21MD4TV
OFF-的崛起
S21MD3TV
态电压
零交叉
S21MD4TV
电压
Minimun触发电流
转让
字符
开创性意义
绝缘电阻
开启
时间
S11MD5T
S21MD3TV
S21MD4TV
t
on
符号
V
F
I
R
I
DRM
V
T
I
H
dv / dt的
V
OX
I
FT
R
ISO
条件
I
F
= 20mA下
I
F
= 30毫安
V
R
= 3V
V
DRM
= R
ated
I
T
= 0.1A
V
D
= 6V
V
DRM
= 1/ 2额定
（大= 25℃）
分钟。
-
-
-
-
-
0.1
100
500
-
-
5 x 10
10
-
-
-
典型值。
1.2
-
-
1.3
1.7
1
-
-
-
-
10
11
80
-
20
马克斯。
1.4
10
-5
10
-6
2.0
2.5
3.5
-
-
35
10
-
200
100
50
单位
V
A
A
V
V
mA
V/
s
V/
s
V
mA
s
s
s
输入
产量
阻性负载
I
F
= 15毫安
V
D
= 6V
R
L
= 100
DC500V
40到60％RH的
V
D
= 6V ，我
F
= 20mA下
4
R
L
= 100
4
S21MD3TV
: I
F
=30mA
图。 1 RMS通态电流 -
环境温度
图。 2正向电流与
环境温度
70
60
正向电流I
F
（MA ）
50
40
30
20
10
0.10
RMS通态电流I
T
0.05
0
- 30
0
20
40
60
80
100
0
- 30
0
25
50
75
100
125
环境温度T
a
( C )
环境温度T
a
( C )
S11MD5T/S21MD3TV/S21MD4TV
图。 3正向电流与正向电压
200
100
正向电流I
F
（MA ）
50
20
10
图。 4最小触发电流 -
环境温度
14
12
V
D
= 6V
R
L
= 100
25C
0C
- 30C
最小触发电流I
FT
（MA ）
T
a
= 100C
75C
50C
10
8
6
4
2
0
S11MD5T
S21MD3TV
S21MD4TV
5
2
1
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
正向电压V
F
( V )
- 30
0
20
40
60
80
环境温度T
a
( C )
100
图。 5相重复峰值断态
电压与环境温度
1.3
相对重复峰值断态电压
V
DRM
( T
j
= T
a
) /V
DRM
( T
j
= 25C)
图。 6 -A通态电压与
环境温度
（ S11MD5T ）
1.6
I
T
= 100毫安
1.5
1.2
S21MD3TV
导通电压V
T
( V )
1.1
1.4
1.0
S11MD5T
S21MD4TV
1.3
0.9
1.2
0.8
0.7
- 30
1.1
0
20
40
60
80
环境温度T
a
( C )
100
1.0
- 30
0
20
40
60
80
环境温度T
a
( C )
100
图。 6 -B导通电压与
环境温度
（ S21MD3TV / S21MD4TV ）
2.0
I
T
= 100毫安
S21MD3TV
导通电压V
T
( V )
1.8
S21MD4TV
图。 7保持电流与
环境温度
10
V
D
= 6V
5
持电流I
H
（MA ）
S11MD5T
1.9
2
1
0.5
1.7
1.6
S21MD3TV
S21MD4TV
1.5
1.4
- 30
0.2
0.1
0
20
40
60
80
100
- 30
环境温度T
a
( C )
0
20
40
60
80
环境温度T
a
( C )
100
S11MD5T/S21MD3TV/S21MD4TV
图。 8重复峰值断态电流
与断态电压
（ S11MD5T ）
2
图。 8 -B重复峰值断态电流
与截止状态Voltate
（ S21MD3TV / S21MD4TV ）
2
重复峰值断态电流I
DRM
( A )
10
- 9
重复峰值断态电流I
DRM
( A )
T
a
= 25C
T
a
= 25C
10
- 7
S21MD4TV
S21MD3TV
2
5
5
2
10
- 10
10
- 8
5
5
100
200
300
400
500
关闭电压V
D
( V )
600
100
200
300
400
500
关闭电压V
D
( V )
600
图。 9 ，重复峰值断态电流
- 环境温度
（ S11MD5T ）
-
10
7
图。 9 -B重复峰值断态电流
- 环境温度
（ S21MD3TV / S21MD4TV ）
10
- 5
2
重复峰值断态电流I
DRM
( A )
2
-
10
8
重复峰值断态电流I
DRM
(A)
5
V
DRM
=额定
5
V
DRM
=额定
10
- 6
5
2
5
2
-
10
9
10
- 7
5
2
S21MD4TV
5
2
10
- 10
5
2
10
- 8
5
2
S21MD3TV
10
- 11
5
10
- 9
5
- 30
0
20
40
60
80
环境温度T
a
( C )
100
- 30
0
20
40
60
80
环境温度T
a
( C )
100
图10开启时间与正向电流
（ S11MD5T / S21MD3TV ）
200
V
D
= 6V
R
L
= 100
T
a
= 25C
图11过零电压 -
环境温度
（ S21MD4TV ）
R LOAD
I
F
= 15毫安
过零电压V
OX
( V )
25
导通时间t
on
(
s )
100
S11MD5T
50
S21MD3TV
20
20
10
20
正向电流I
F
15
50
（MA ）
100
-30
0
20
40
60
80
环境温度T
a
( C )
100
S11MD5T/S21MD3TV/S21MD4TV
图12通态电流与
通态电压
100
90
80
通态电流I
T
（MA ）
70
60
50
S11MD5T
40
S21MD3TV
30
20
10
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
通态电压
V
T
( V )
S21MD4TV
V
IN
3
+
V
CC
1
6
负载
AC100V
:
S11MD5T
AC200V
:
S21MD3TV
S21MD4TV
s
基本运算电路
中/高功率可控硅驱动电路
I
F
= 20mA下
T
a
= 25C
2
零
交
电路
4
注）请于三端双向可控硅电源的触发条件下使用。
零交叉电路被施加到
S21MD4TV.
q
请参阅章节“使用注意事项”。
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