内容
S2000AF
内容
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
2.2
电特性（曲线） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
测试电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
3
4
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
2/11
电气特性
S2000AF
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
I
CES
I
EBO
电气特性
参数
集电极截止电流
(V
BE
=0)
发射极截止电流
(I
C
=0)
(1)
测试条件
V
CE
= 1500V
V
CE
= 1500V;
V
EB
= 9V
T
C
= 125°C
分钟。
典型值。
马克斯。
0.2
2
1
单位
mA
mA
mA
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
(I
C
=0)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极饱和
电压
直流电流增益
感性负载
贮存时间
下降时间
I
C
= 100毫安
I
C
= 4.5A
I
C
= 4.5A
I
C
= 4.5A
I
C
= 1A
I
C
= 4.5A
I
C
= 4.5A
L
的bb （关闭）
= 4.5H
I
B
= 2A
I
B
= 1A
I
B
= 1A
V
CE
= 5V
V
CE
= 5V
I
B（上）
= 0.5A
700
V
V
CE （饱和）（1）
V
BE （饱和）（1）
h
FE （1）
1
5
1.2
10
4.5
30
9
V
V
t
s
t
f
V
BE （OFF）的
= -2.7V F
h
= 16kHz的
2.5
0.2
s
s
1.脉冲：脉冲持续时间= 300毫秒，占空比1.5 ％
4/11
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
S2000AF
描述
·采用TO- 3P （H ） IS包
·高电压
·快速切换
应用
·水平偏转彩电
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（TO -3P （H）， IS）和符号
绝对最大额定值（T
C
=25 )
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
1500
700
10
8
15
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
价值
2.5
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
S2000AF
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
S2000AF
描述
·带
TO-3P （H） IS包
高
电压
·快速
开关
应用
·水平
偏转彩电
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（TO -3P （H）， IS）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
条件
集电极 - 基极电压
发射极开路
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
开基
集电极开路
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
OR
CT
U
价值
1500
700
10
8
15
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
价值
2.5
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
S2000AF
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
S2000AF
描述
·带
TO-3P （H） IS包
高
电压
·快速
开关
应用
·水平
偏转彩电
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（TO -3P （H）， IS）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
1500
700
10
8
15
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
价值
2.5
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
S2000AF
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
S2000AF
标准高电压NPN功率晶体管
高清CRT显示器
初步数据
特点
■
■
■
■
■
■
■
完善的设施，先进的技术：
- 扩散收藏家“增强的一代”
稳定的性能与操作
温度变化
低基极驱动要求
紧固密封
FE
范围在工作集电极电流
高耐用性
完全绝缘的功率封装U.L.兼容
符合2002/ 93 / EC欧洲
指示
1
2
3
ISOWATT218FX
应用
■
■
内部原理图
水平偏转输出CRT电视
开关模式电源的CRT电视
描述
该S2000AF制造使用扩散
收藏家平面技术采用新的
增强的高压结构更新
性能水平偏转阶段。
订购代码
产品型号
S2000AF
记号
S2000AF
包
ISOWATT218FX
包装
管
2007年3月
REV 1
1/8
www.st.com
8
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。内容如有
更改，恕不另行通知。
S2000AF
电气特性
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
I
CES
I
EBO
电气特性
参数
集电极截止电流
(V
BE
=0)
发射极截止电流
(I
C
=0)
(1)
测试条件
V
CE
= 1500V
V
CE
= 1500V;
V
EB
= 9V
T
C
= 125°C
分钟。
典型值。
马克斯。
0.2
2
1
单位
mA
mA
mA
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
(I
C
=0)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极饱和
电压
直流电流增益
感性负载
贮存时间
下降时间
I
C
= 100毫安
I
C
= 4.5A
I
C
= 4.5A
I
C
= 4.5A
I
C
= 1A
I
C
= 4.5A
I
C
= 4.5A
L
的bb （关闭）
= 4.5H
I
B
= 2A
I
B
= 1A
I
B
= 1A
V
CE
= 5V
V
CE
= 5V
I
B（上）
= 0.5A
700
V
V
CE （饱和）（1）
V
BE （饱和）（1）
h
FE （1）
1
5
1.2
10
4.5
30
9
V
V
t
s
t
f
V
BE （OFF）的
= -2.7V F
h
= 16kHz的
2.5
0.2
s
s
1.脉冲：脉冲持续时间= 300毫秒，占空比1.5 ％
3/8
S2000AF
包装机械数据
3
包装机械数据
为了满足环保要求， ST提供的ECOPACK这些设备
包。这些包有无铅二级互连。类别
第二级互连标记在包装和内盒上的标签，在
符合JEDEC标准JESD97 。有关焊接的最大额定值
条件也标志着内盒上的标签。 ECOPACK是ST的商标。
ECOPACK规范可在这里：
www.st.com
5/8
NPN型三重扩散型
S2000AF
彩电行输出
应用程序（无阻尼二极管）
2-16E3A
!
!
高集电极 - 基极电压（ VCBO = 1500V ）
高速开关
平面硅晶体管
绝对最大额定值（T
a
=25°C)
C
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极耗散（TC = 25 ° C）
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
TSTG
等级
1500
1500
6
5
50
150
-50~150
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
电气特性（Ta = 25℃）
C
Characterristic
集电极 - 发射极截止电流（ VBE = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
符号
冰
ICBO
IEBO
的hFE
VCE （ SAT ）
测试条件
VCE = 1400 V， RBE = 0
VCB = 800 V ， IE = 0
VEB = 4V ，
IC=0
VCE = 5V ，
IC=1A
IC = 5A ，
IB=1A
民
典型值
最大
1.0
10
1.0
单位
mA
A
mA
V
8
5.0
永诚电脑配件有限公司， （香港）有限公司。
主页：
http://www.wingshing.com
联系电话： （ 852 ） 2341 9276传真： （ 852 ） 2797 8153
电子信箱： wsccltd@hkstar.com
QQ：2880707522 复制
