S1PHB36
单相半控桥带续流二极管
符号
I
R
, I
D
V
T
, V
F
V
TO
r
T
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
I
L
I
H
t
gd
t
q
Q
r
R
thJC
R
thJK
d
S
d
A
a
T
VJ
=T
VJM
;
T
VJ
=T
VJM
;
t
G
= 30US ;我
G
=0.3A;
di
G
/dt=0.3A/us
V
D
=6V;
V
D
=6V;
T
VJ
=25 C
T
VJ
=-40
o
C
T
VJ
=25
o
C
T
VJ
=-40
o
C
T
VJ
=125
o
C
V
D
=2/3V
DRM
V
D
=2/3V
DRM
T
VJ
=25
o
C
T
VJ
=-40
o
C
T
VJ
=125
o
C
o
测试条件
T
VJ
=T
VJM
; V
R
=V
RRM
; V
D
=V
DRM
T
VJ
=25
o
C
I
T
, I
F
= 45A ;牛逼
VJ
=25
o
C
对于只功率损耗的计算（T
VJ
=125
o
C)
特征值
5
0.3
1.45
0.85
13
1.0
1.2
65
80
50
0.2
5
150
200
100
100
2
典型值。
150
75
1.15
0.29
1.55
0.39
12.6
6.3
50
1000
T
VJ
= 25°C
单位
mA
V
V
m
V
mA
V
mA
mA
mA
us
us
uC
K / W
K / W
mm
mm
M / S
2
T
VJ
=25
o
℃; V
D
= 6V ;
GK
=
T
VJ
=25
o
℃; V
D
=1/2V
DRM
I
G
= 0.3A ;迪
G
/dt=0.3A/us
T
VJ
=125
o
℃;我
T
= 15A ;牛逼
p
= 300US ; V
R
=100V
V
D
=2/3V
DRM
;的dv / dt = 20V / us的;的di / dt = -10A /美
每个晶闸管（二极管） ;直流电流
每个模块
每个晶闸管（二极管） ;直流电流
每个模块
匍匐于地面的距离
在空气中爬电距离
最大允许的加速度
10
A
V
G
V
1: I
克叔
, T
VJ
= 125°C
2: I
克叔
, T
VJ
= 25°C
3: I
克叔
, T
VJ
= -40°C
s
t
gd
100
典型值。
极限
1
1
2
3
6
4
5
10
4: P
GAV
= 0.5 W
I
克
, T
VJ
= 125°C
5: P
GM
= 1 W
6: P
GM
= 10 W
0.1
1
10
100
1000
I
G
mA
1
10
100
I
G
1000毫安
F IG 。 1个G吃触发范围
F IG 。 2 G吃了控制延迟时间t
gd
S1PHB36
单相半控桥带续流二极管
70
A
60
I
F
50
40
30
20
10
0
0.0
300
A
250
I
FS M
200
50Hz时， 80 ％的V
R M
10
3
As
I
2
t
2
V
R
= 0 V
典型值。
T
V
= 45°C
T
V
= 45°C
T
V
= 125°C
T
V
= 125°C
T
V
= 25°C
马克斯。
150
100
50
0
0.001
10
2
T
V
= 125°C
0.5
1.0
V
F
1.5
V
2.0
0.01
0.1
t
s
1
10
1
1
2
3
4
5 6 7毫秒10
t
F IG 。 3正向电流VERS我们电压
每个二极管压降
120
W
100
P
合计
80
60
40
20
0
F IG 。 4 S呼吁过载电流
F IG 。 5我
2
吨VERS我们每个二极管的时间
50
R
thHA
:
0.5
1.0
1.5
2.0
3.0
4.0
6.0
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
A
40
I
D（ AV ）M
30
20
10
0
10
20
30
40
I
F（ AV ）M
A
0
20
40
60
80
100 120 °C
140
0
0
20
40
60
T
AMB
80 100 120 °C
T
H
F IG 。 6 P奥尔DIS s ipation VERS我们直接输出电流和环境温度
2.0
K / W
1.5
Z
THJ
F IG 。 7最大。正向电流VERS我们
墨水加热温度
1.0
ONS tants Z的
THJ
计算方法：
i
R
THI
（K / W）
0.005
0.2
0.875
0.47
t
i
(s )
0.008
0.05
0.06
0.25
0.5
1
2
3
4
0.01
0.1
1
t
s
10
0.0
0.001
F IG 。 8，T失败者ient热阻抗交界处的墨水加热
S1PHB36
单相半控桥带续流二极管
符号
I
R
, I
D
V
T
, V
F
V
TO
r
T
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
I
L
I
H
t
gd
t
q
Q
r
R
thJC
R
thJK
d
S
d
A
a
T
VJ
=T
VJM
;
T
VJ
=T
VJM
;
t
G
= 30US ;我
G
=0.3A;
di
G
/dt=0.3A/us
V
D
=6V;
V
D
=6V;
T
VJ
=25 C
T
VJ
=-40
o
C
T
VJ
=25
o
C
T
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=-40
o
C
T
VJ
=125
o
C
V
D
=2/3V
DRM
V
D
=2/3V
DRM
T
VJ
=25
o
C
T
VJ
=-40
o
C
T
VJ
=125
o
C
o
测试条件
T
VJ
=T
VJM
; V
R
=V
RRM
; V
D
=V
DRM
T
VJ
=25
o
C
I
T
, I
F
= 45A ;牛逼
VJ
=25
o
C
对于只功率损耗的计算（T
VJ
=125
o
C)
特征值
5
0.3
1.45
0.85
13
1.0
1.2
65
80
50
0.2
5
150
200
100
100
2
典型值。
150
75
1.15
0.29
1.55
0.39
12.6
6.3
50
1000
T
VJ
= 25°C
单位
mA
V
V
m
V
mA
V
mA
mA
mA
us
us
uC
K / W
K / W
mm
mm
M / S
2
T
VJ
=25
o
℃; V
D
= 6V ;
GK
=
T
VJ
=25
o
℃; V
D
=1/2V
DRM
I
G
= 0.3A ;迪
G
/dt=0.3A/us
T
VJ
=125
o
℃;我
T
= 15A ;牛逼
p
= 300US ; V
R
=100V
V
D
=2/3V
DRM
;的dv / dt = 20V / us的;的di / dt = -10A /美
每个晶闸管（二极管） ;直流电流
每个模块
每个晶闸管（二极管） ;直流电流
每个模块
匍匐于地面的距离
在空气中爬电距离
最大允许的加速度
10
A
V
G
V
1: I
克叔
, T
VJ
= 125°C
2: I
克叔
, T
VJ
= 25°C
3: I
克叔
, T
VJ
= -40°C
s
t
gd
100
典型值。
极限
1
1
2
3
6
4
5
10
4: P
GAV
= 0.5 W
I
克
, T
VJ
= 125°C
5: P
GM
= 1 W
6: P
GM
= 10 W
0.1
1
10
100
1000
I
G
mA
1
10
100
I
G
1000毫安
F IG 。 1个G吃触发范围
F IG 。 2 G吃了控制延迟时间t
gd
S1PHB36
单相半控桥带续流二极管
70
A
60
I
F
50
40
30
20
10
0
0.0
300
A
250
I
FS M
200
50Hz时， 80 ％的V
R M
10
3
As
I
2
t
2
V
R
= 0 V
典型值。
T
V
= 45°C
T
V
= 45°C
T
V
= 125°C
T
V
= 125°C
T
V
= 25°C
马克斯。
150
100
50
0
0.001
10
2
T
V
= 125°C
0.5
1.0
V
F
1.5
V
2.0
0.01
0.1
t
s
1
10
1
1
2
3
4
5 6 7毫秒10
t
F IG 。 3正向电流VERS我们电压
每个二极管压降
120
W
100
P
合计
80
60
40
20
0
F IG 。 4 S呼吁过载电流
F IG 。 5我
2
吨VERS我们每个二极管的时间
50
R
thHA
:
0.5
1.0
1.5
2.0
3.0
4.0
6.0
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
A
40
I
D（ AV ）M
30
20
10
0
10
20
30
40
I
F（ AV ）M
A
0
20
40
60
80
100 120 °C
140
0
0
20
40
60
T
AMB
80 100 120 °C
T
H
F IG 。 6 P奥尔DIS s ipation VERS我们直接输出电流和环境温度
2.0
K / W
1.5
Z
THJ
F IG 。 7最大。正向电流VERS我们
墨水加热温度
1.0
ONS tants Z的
THJ
计算方法：
i
R
THI
（K / W）
0.005
0.2
0.875
0.47
t
i
(s )
0.008
0.05
0.06
0.25
0.5
1
2
3
4
0.01
0.1
1
t
s
10
0.0
0.001
F IG 。 8，T失败者ient热阻抗交界处的墨水加热
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