S1PHB28
单相半控桥带续流二极管
符号
I
R
, I
D
V
T
, V
F
V
TO
r
T
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
I
L
I
H
t
gd
t
q
Q
r
R
thJC
R
thJK
d
S
d
A
a
T
VJ
=T
VJM
;
T
VJ
=T
VJM
;
t
G
= 30US ;我
G
=0.3A;
di
G
/dt=0.3A/us
V
D
=6V;
V
D
=6V;
T
VJ
=25 C
T
VJ
=-40
o
C
T
VJ
=25
o
C
T
VJ
=-40
o
C
T
VJ
=125
o
C
V
D
=2/3V
DRM
V
D
=2/3V
DRM
T
VJ
=25
o
C
T
VJ
=-40
o
C
T
VJ
=125
o
C
o
测试条件
T
VJ
=T
VJM
; V
R
=V
RRM
; V
D
=V
DRM
T
VJ
=25
o
C
I
T
, I
F
= 45A ;牛逼
VJ
=25
o
C
对于只功率损耗的计算（T
VJ
=125
o
C)
特征值
5
0.3
1.6
0.9
15
1.0
1.2
65
80
50
0.2
5
150
200
100
100
2
典型值。
150
75
1.4
0.35
2.0
0.5
12.6
6.3
50
1000
s
t
gd
100
典型值。
极限
T
V
= 25°C
单位
mA
V
V
m
V
mA
V
mA
mA
mA
us
us
uC
K / W
K / W
mm
mm
M / S
2
T
VJ
=25
o
℃; V
D
= 6V ;
GK
=
T
VJ
=25
o
℃; V
D
=1/2V
DRM
I
G
= 0.3A ;迪
G
/dt=0.3A/us
T
VJ
=125
o
℃;我
T
= 15A ;牛逼
p
= 300US ; V
R
=100V
V
D
=2/3V
DRM
;的dv / dt = 20V / us的;的di / dt = -10A /美
每个晶闸管（二极管） ;直流电流
每个模块
每个晶闸管（二极管） ;直流电流
每个模块
表面爬电距离
在空气中爬电距离
最大允许的加速度
10
V
V
G
1: I
克叔
, T
V
= 125°C
2: I
克叔
, T
V
= 25°C
3: I
克叔
, T
V
= -40°C
1
1
2
3
6
4
5
10
0.1
I
克
, T
VJ
= 125°C
4: P
摹AV
= 0.5 W
5: P
克间
= 1 W
6: P
克间
= 10 W
1
10
100
1000
I
G
mA
1
10
100
I
G
1000毫安
F IG 。 1个G吃触发范围
F IG 。 2 G吃了控制延迟时间t
gd
S1PHB28
单相半控桥带续流二极管
F IG 。 3 S呼吁每个芯片过载电流
I
F S M
：C RES吨价，T ：时间
F IG 。 4我
2
吨VERS我们的时间（1-10毫秒）
每个芯片
F IG 。 5最大。在正向电流
墨水加热温度
F IG 。 6 P奥尔DIS s ipation VERS我们直接输出电流和环境温度
ONS tants Z的
THJ
计算方法：
i
1
2
3
R
THI
（K / W）
0.3441
1.1554
1.5005
t
i
(s )
0.0344
0.12
0.5
F IG 。 7牛逼失败者ient热阻结到每个芯片的墨水加热
S1PHB28
单相半控桥带续流二极管
符号
I
R
, I
D
V
T
, V
F
V
TO
r
T
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
I
L
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S
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A
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T
VJ
=T
VJM
;
T
VJ
=T
VJM
;
t
G
= 30US ;我
G
=0.3A;
di
G
/dt=0.3A/us
V
D
=6V;
V
D
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T
VJ
=25 C
T
VJ
=-40
o
C
T
VJ
=25
o
C
T
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=-40
o
C
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VJ
=125
o
C
V
D
=2/3V
DRM
V
D
=2/3V
DRM
T
VJ
=25
o
C
T
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=-40
o
C
T
VJ
=125
o
C
o
测试条件
T
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=T
VJM
; V
R
=V
RRM
; V
D
=V
DRM
T
VJ
=25
o
C
I
T
, I
F
= 45A ;牛逼
VJ
=25
o
C
对于只功率损耗的计算（T
VJ
=125
o
C)
特征值
5
0.3
1.6
0.9
15
1.0
1.2
65
80
50
0.2
5
150
200
100
100
2
典型值。
150
75
1.4
0.35
2.0
0.5
12.6
6.3
50
1000
s
t
gd
100
典型值。
极限
T
V
= 25°C
单位
mA
V
V
m
V
mA
V
mA
mA
mA
us
us
uC
K / W
K / W
mm
mm
M / S
2
T
VJ
=25
o
℃; V
D
= 6V ;
GK
=
T
VJ
=25
o
℃; V
D
=1/2V
DRM
I
G
= 0.3A ;迪
G
/dt=0.3A/us
T
VJ
=125
o
℃;我
T
= 15A ;牛逼
p
= 300US ; V
R
=100V
V
D
=2/3V
DRM
;的dv / dt = 20V / us的;的di / dt = -10A /美
每个晶闸管（二极管） ;直流电流
每个模块
每个晶闸管（二极管） ;直流电流
每个模块
表面爬电距离
在空气中爬电距离
最大允许的加速度
10
V
V
G
1: I
克叔
, T
V
= 125°C
2: I
克叔
, T
V
= 25°C
3: I
克叔
, T
V
= -40°C
1
1
2
3
6
4
5
10
0.1
I
克
, T
VJ
= 125°C
4: P
摹AV
= 0.5 W
5: P
克间
= 1 W
6: P
克间
= 10 W
1
10
100
1000
I
G
mA
1
10
100
I
G
1000毫安
F IG 。 1个G吃触发范围
F IG 。 2 G吃了控制延迟时间t
gd
S1PHB28
单相半控桥带续流二极管
F IG 。 3 S呼吁每个芯片过载电流
I
F S M
：C RES吨价，T ：时间
F IG 。 4我
2
吨VERS我们的时间（1-10毫秒）
每个芯片
F IG 。 5最大。在正向电流
墨水加热温度
F IG 。 6 P奥尔DIS s ipation VERS我们直接输出电流和环境温度
ONS tants Z的
THJ
计算方法：
i
1
2
3
R
THI
（K / W）
0.3441
1.1554
1.5005
t
i
(s )
0.0344
0.12
0.5
F IG 。 7牛逼失败者ient热阻结到每个芯片的墨水加热
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