线性集成电路
S1P2655A01/02/03/04/05
介绍
高电压，大电流达林顿阵列
16DIP
该S1P2655A01 ， S1P2655A02 ， S1P2655A03 ， S1P2655A04
和S1P2655A05是由saven高电压，高
目前NPN达林顿晶体管阵列，共发射极，
集电极开路输出。抑制二极管被列入
感性负载驱动和输入都寄托在对面
输出，以简化电路板布局。峰值浪涌电流可达600mA
允许它们以驱动白炽灯。
该S1P2655A01是一个通用的阵列，用于与DTL使用，
16SOP
TTL ， PMOS或CMOS逻辑直接。
该S1P2655A02版本摒弃了需要任何
外部分立电阻器，由于每USIT具有一个电阻和一个
齐纳二极管串联的输入。该S1P2655A02是
专为使用14 25V PMOS器件。齐纳
二极管也给这些设备卓越的抗干扰能力。
该S1P2655A03具有一系列基极电阻以每达林顿
对，从而使操作直接与TTL或CMOS能操作
阿婷在5V电源电压。该S1P2655A03将处理
numberous接口需要，特别是那些超越
标准逻辑缓冲器capailities 。
该S1P2655A04具有适当的输入电阻器，以允许从CMOS或PMOS的输出直接操作operat-
6V的荷兰国际集团的供电电压为15V 。
该S1P2655A05被设计用于与标准TTL和肖特基TTL使用，与哪个hinger输出电流
需要和加载的逻辑输出的是不是一个问题。
从驱动时，这些设备将下沉最低为350mA
“图腾柱”
逻辑输出。
这些多功能设备是用于驱动各种负载，包括螺线管，继电器，直流电动机是有用的， LED的
显示器，白炽灯，热敏打印头和高功率的缓冲。应用requiriing吸收电流beyonds
单个输出的能力可以通过并联的输出被accomodated 。
应用
继电器驱动器
直流电机驱动器
螺线管驱动器
LED显示驱动器
灯丝灯泡驱动器
大功率缓冲器
热打印头驱动器
1
S1P2655A01/02/03/04/05
线性集成电路
OPERAING信息
设备
S1P2655A01-D0B0
S1P2655A01-S0B0
S1P2655A02-D0B0
S1P2655A02-S0B0
S1P2655A03-D0B0
S1P2655A03-S0B0
S1P2655A04-D0B0
S1P2655A04-S0B0
S1P2655A05-D0B0
S1P2655A05-S0B0
包
16-DIP
16-SOP
16-DIP
16-SOP
16-DIP
16-SOP
16-DIP
16-SOP
16-DIP
16-SOP
输入电平
DTL ， TTL ，
PMOS ， CMOS
PMOS
工作温度
TTL ， CMOS
20
+85°C
CMOS ， PMOS
TTL
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
特征
输出电压
输入电压（ S1P2655A02 / 03/ 04）
(S1P2655A05)
连续集电极电流
连续输入电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
Vo
V
IN
价值
50
30
15
单位
V
V
Ic
I
IN
P
D
TOPR
TSTG
500
25
1.0
20
+ 85
55
+ 150
mA
mA
W
°C
°C
2
线性集成电路
S1P2655A01/02/03/04/05
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有说明）
特征
符号
测试条件
V
CE
= 50V ， TA = 25 ° C，V
IN
=打开
V
CE
= 50V ， TA = 70 ° C，V
IN
=打开
输出漏电流
I
LK
V
CE
= 50V ， TA = 70℃ ，
V
IN
= 6.0V （ S1P2655A02 ）
V
CE
= 50V ， TA = 70℃ ，
V
IN
= 1.0V （ S1P2655A04 ）
I
C
= 100mA时我
IN
= 250A
输出饱和电压
VSAT
I
C
=的200mA，我
IN
= 350A
I
C
= 350mA，可我
IN
= 500A
输入电流1 （关闭状态）
I
IN 1
I
C
= 500毫安， TA = 70℃
V
IN
= 17V （ S1P2655A02 ） ， VO =开
V
IN
= 3.85V （ S1P2655A03 ） ， VO =开
输入电流2 （前提条件）
I
IN 2
V
IN
= 5V （ S1P2655A04 ） ， VO =开
V
IN
= 12V （ S1P2655A04 ） ， VO =开
V
IN
= 3.0V （ S1P2655A05 ） ， VO =开
V
CE
= 2.0V ， IC = 300mA（对S1P2655A02 ）
V
CE
= 2.0V ， IC = 200毫安（ S1P2655A03 ）
V
CE
= 2.0V ， IC = 250毫安（ S1P2655A03 ）
V
CE
= 2.0V ， IC = 300mA（对S1P2655A03 ）
输入电压
V
IN
V
CE
= 2.0V ， IC = 125毫安（ S1P2655A04 ）
V
CE
= 2.0V ， IC = 200毫安（ S1P2655A04 ）
V
CE
= 2.0V ， IC = 275毫安（ S1P2655A04 ）
V
CE
= 2.0V ， IC = 350毫安（ S1P2655A04 ）
V
CE
= 2.0V ， IC = 350毫安（ S1P2655A05 ）
直流电流增益
输入电容
10629-1989延迟时间
h
FE
C
IN
t
ON
t
关闭
0.5 V
IN
0.5武
0.5 V
IN
0.5武
V
IN
=开放， VO = GND ，V
R
= 50V ，TA =
25°C
钳位二极管的泄漏电流
I
R
V
IN
=开放， VO = GND ，V
R
= 50V ，TA =
70°C
I
F
= 350毫安
V
CE
= 2.0V ， IC = 350毫安（ S1P2655A05 ）
50
1000
分钟。
典型值。
0.9
1.1
1.25
65
0.85
0.93
0.35
1.0
1.5
15
0.25
0.25
1.7
马克斯。
50
100
500
500
1.1
1.3
1.6
1.3
1.35
0.5
1.45
2.4
13
2.4
2.7
3.0
5.0
6.0
7.0
8.0
2.4
30
1.0
1.0
50
100
2.0
pF
s
s
A
A
V
V
mA
A
V
A
单位
钳位二极管的正向电压
V
F
3
QQ：2881677436 复制
