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SaRonix
晶体时钟振荡器
技术参数
频率范围:
频率稳定度:
1.5440 MHz到80 MHz
± 25 ,± 50 , ±100 ppm,在所有条件;校准,宽容,
工作温度,输入电压变化,负载的变化,老化
( 1年@ 25°C的平均环境温度) ,冲击和振动。
3.3 & 5V , HCMOS , TTL , SMD
S1800 / S1803 / S1850系列
温度范围:
操作:
储存:
电源电压:
电源电流:
1.544至32 MHz的:
32 + 50 MHz的:
50岁以上至80 MHz :
1.544至50兆赫(待机) :
1.544至80 MHz (待机) :
输出:
对称性:
上涨&下降时间:
逻辑0 :
逻辑1 :
负载:
-10 + 70 ° C或-40 + 85°C
-55到+ 125°C
+5.0V ±10%, 3.3V ±10%
S1800
25毫安最大
最大35mA
最大10μA
最大10μA
10μA最大的S1800和S1803仅
55分之45 %最大@ 50 %V
DD
,在S1800 & 1850六十〇分之四十〇 %最大@ 1.5V
7ns的最大值( 10ns的最大值: S1800 ) 20%至80 %的V
DD,
1.544到50 MHz的
为5ns最大, 50岁以上至80 MHz ( S1803 & S1850只)
10% V
DD
最大
90% V
DD
S1800 / S1803 : 15 pF的最大值, 10 LSTTL
S1850 : 50 pF的最大1.544 50兆赫, 10 TTL
30 pF的最大50+到70兆赫, 10 TTL
20 pF的最大70+到80 MHz ( HCMOS ) , 10 TTL
8马力的最大RMS周期抖动
S1803
15mA最大值
18毫安最大
25毫安最大
S1850
27毫安最大
最大35mA
75毫安最大
实际尺寸
描述
5V的S1800 , S1850和S1803 3.3V
是晶体控制,低电流骨质
cillators提供精确的兴衰
次来驱动高速CMOS和
TTL负载。在超小型,非常
低调无引线陶瓷封装
有镀金触点垫,理想
对于今天的拾取和放置贴片envi-
境下。在S1850是高输出
可到80 MHz的载版本。
应用&特点
超小型,1.1毫米高陶瓷
封装适合SMT应用
S1800上最大10μA待机模式
和S1803
可作为3.3V和5V版本
CMOS , HCMOS & TTL兼容
适合PC的;笔记本电脑,掌上电脑
电脑;便携式应用;
PCMCIA卡,光盘驱动器。随地
小尺寸,低功耗,表面
安装性是优先考虑
可在磁带和放大器;卷轴; 16毫米带,
每卷1000个
焊锡溢流指南
抖动:
机械:
冲击:
可焊性:
振动:
耐溶剂性:
终端强度:
耐焊接热:
环境:
总泄漏测试:
精细泄漏测试:
热冲击:
防潮性:
品名指南
MIL-STD-883,
MIL-STD-883,
MIL-STD-883,
MIL-STD-202,
MIL-STD-883,
MIL-STD-202,
方法2002年,条件B
方法2003
方法2007 ,条件A
方法215
方法2004年,条件D
方法210 ,条件i或j
MIL-STD-883,
MIL-STD-883,
MIL-STD-883,
MIL-STD-883,
1014 ,条件C
1014 ,成色A2
1011 ,条件A
1004
S 1803
SaRonix
- 60.0000 (T )
( T) =卷放;卷轴
只有完整卷轴增量
频率(MHz)
稳定公差
A = ± 25 PPM , -10 + 70°C
B = ± 50 PPM , -10 + 70°C
C = ± 100 ppm时, -10 + 70°C
E = ± 50 PPM , -40 + 85°C
F = ± 100 ppm时, -40 + 85°C
温度 - °C
250
200
150
回流焊最高240
4 ° C /秒最大
预热183 ℃±10℃
冷却
系列
S1800 = 5.0V , 1.544 50兆赫, 15 pF的,待机
S1803 = 3.3V , 1.544到80 MHz , 15 pF的,待机
S1850 = 5.0V , 1.544到80 MHz , 50 pF的高驱动
4 ° C /秒最大
时间
12分钟
10秒最大
DS-181
REV F01
SaRonix
141杰斐逊驱动门洛帕克, CA 94025 美国 650-470-7700 800-227-8974 传真650-462-9894
SaRonix
晶体时钟振荡器
技术参数
三态逻辑表
垫1输入
逻辑1或NC
逻辑0或GND
垫3输出
振荡
高阻抗
动力
供应
VM
0.1F
垫1
3.3 & 5V , HCMOS , TTL , SMD
S1800 / S1803 / S1850系列
测试电路
TEST
垫4
V
DD
PAD 3
OUT
GND
垫2
C
L
= S1800 / S1803 : 15 pF的
S1850 : 50 pF到50 MHz的
30 PF, 50岁以上至70 MHz的
20 PF, 70 + 80 MHz的
(注一)
mA
M
所需的输入电平上垫1 :
逻辑1 = 2.2V分钟
逻辑0 = 0.8V最大
振荡器
包详细信息
7.5
最大
.295
三态输入
5.2
最大
.205
注一: CL包括探针和夹具电容
输出波形
1.15
最大
.043
垫1
( TRI -STATE
CONTROL )
1.4
.055
1.0
.039
垫2
(GND)的
HCMOS
T
f
TTL
T
r
T
f
V
DD
T
r
逻辑1
80% V
DD
2.6
.102
1.1
.043
垫4
(V
DD
)
5.08
.200
PAD 3
(下)
50% V
DD
20% V
DD
逻辑0
对称
对称
2.5 VDC
1.5 VDC
0.5 VDC
GND
标记格式*
5 = S1800
9 = S1803
B = S1850
稳定公差
SaRonix
频率
第5
YY WW
日期代码
*
项目的具体位置可能会有所不同
推荐地格局
**
4
3
1.8
.071
4.2
.165
2.0
.079
1
5.08
.200
2
**
外部高频电源
去耦要求。
规模:无(在外形尺寸
mm
)
英寸
所有特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
DS-181
REV F01
SaRonix
141杰斐逊驱动门洛帕克, CA 94025 美国 650-470-7700 800-227-8974 传真650-462-9894
SaRonix
晶体时钟振荡器
技术参数
频率范围:
频率稳定度:
1.5440 MHz到80 MHz
± 25 ,± 50 , ±100 ppm,在所有条件;校准,宽容,
工作温度,输入电压变化,负载的变化,老化
( 1年@ 25°C的平均环境温度) ,冲击和振动。
3.3 & 5V , HCMOS , TTL , SMD
S1800 / S1803 / S1850系列
温度范围:
操作:
储存:
电源电压:
电源电流:
1.544至32 MHz的:
32 + 50 MHz的:
50岁以上至80 MHz :
1.544至50兆赫(待机) :
1.544至80 MHz (待机) :
输出:
对称性:
上涨&下降时间:
逻辑0 :
逻辑1 :
负载:
-10 + 70 ° C或-40 + 85°C
-55到+ 125°C
+5.0V ±10%, 3.3V ±10%
S1800
25毫安最大
最大35mA
最大10μA
最大10μA
10μA最大的S1800和S1803仅
55分之45 %最大@ 50 %V
DD
,在S1800 & 1850六十〇分之四十〇 %最大@ 1.5V
7ns的最大值( 10ns的最大值: S1800 ) 20%至80 %的V
DD,
1.544到50 MHz的
为5ns最大, 50岁以上至80 MHz ( S1803 & S1850只)
10% V
DD
最大
90% V
DD
S1800 / S1803 : 15 pF的最大值, 10 LSTTL
S1850 : 50 pF的最大1.544 50兆赫, 10 TTL
30 pF的最大50+到70兆赫, 10 TTL
20 pF的最大70+到80 MHz ( HCMOS ) , 10 TTL
8马力的最大RMS周期抖动
S1803
15mA最大值
18毫安最大
25毫安最大
S1850
27毫安最大
最大35mA
75毫安最大
实际尺寸
描述
5V的S1800 , S1850和S1803 3.3V
是晶体控制,低电流骨质
cillators提供精确的兴衰
次来驱动高速CMOS和
TTL负载。在超小型,非常
低调无引线陶瓷封装
有镀金触点垫,理想
对于今天的拾取和放置贴片envi-
境下。在S1850是高输出
可到80 MHz的载版本。
应用&特点
超小型,1.1毫米高陶瓷
封装适合SMT应用
S1800上最大10μA待机模式
和S1803
可作为3.3V和5V版本
CMOS , HCMOS & TTL兼容
适合PC的;笔记本电脑,掌上电脑
电脑;便携式应用;
PCMCIA卡,光盘驱动器。随地
小尺寸,低功耗,表面
安装性是优先考虑
可在磁带和放大器;卷轴; 16毫米带,
每卷1000个
焊锡溢流指南
抖动:
机械:
冲击:
可焊性:
振动:
耐溶剂性:
终端强度:
耐焊接热:
环境:
总泄漏测试:
精细泄漏测试:
热冲击:
防潮性:
品名指南
MIL-STD-883,
MIL-STD-883,
MIL-STD-883,
MIL-STD-202,
MIL-STD-883,
MIL-STD-202,
方法2002年,条件B
方法2003
方法2007 ,条件A
方法215
方法2004年,条件D
方法210 ,条件i或j
MIL-STD-883,
MIL-STD-883,
MIL-STD-883,
MIL-STD-883,
1014 ,条件C
1014 ,成色A2
1011 ,条件A
1004
S 1803
SaRonix
- 60.0000 (T )
( T) =卷放;卷轴
只有完整卷轴增量
频率(MHz)
稳定公差
A = ± 25 PPM , -10 + 70°C
B = ± 50 PPM , -10 + 70°C
C = ± 100 ppm时, -10 + 70°C
E = ± 50 PPM , -40 + 85°C
F = ± 100 ppm时, -40 + 85°C
温度 - °C
250
200
150
回流焊最高240
4 ° C /秒最大
预热183 ℃±10℃
冷却
系列
S1800 = 5.0V , 1.544 50兆赫, 15 pF的,待机
S1803 = 3.3V , 1.544到80 MHz , 15 pF的,待机
S1850 = 5.0V , 1.544到80 MHz , 50 pF的高驱动
4 ° C /秒最大
时间
12分钟
10秒最大
DS-181
REV F01
SaRonix
141杰斐逊驱动门洛帕克, CA 94025 美国 650-470-7700 800-227-8974 传真650-462-9894
SaRonix
晶体时钟振荡器
技术参数
三态逻辑表
垫1输入
逻辑1或NC
逻辑0或GND
垫3输出
振荡
高阻抗
动力
供应
VM
0.1F
垫1
3.3 & 5V , HCMOS , TTL , SMD
S1800 / S1803 / S1850系列
测试电路
TEST
垫4
V
DD
PAD 3
OUT
GND
垫2
C
L
= S1800 / S1803 : 15 pF的
S1850 : 50 pF到50 MHz的
30 PF, 50岁以上至70 MHz的
20 PF, 70 + 80 MHz的
(注一)
mA
M
所需的输入电平上垫1 :
逻辑1 = 2.2V分钟
逻辑0 = 0.8V最大
振荡器
包详细信息
7.5
最大
.295
三态输入
5.2
最大
.205
注一: CL包括探针和夹具电容
输出波形
1.15
最大
.043
垫1
( TRI -STATE
CONTROL )
1.4
.055
1.0
.039
垫2
(GND)的
HCMOS
T
f
TTL
T
r
T
f
V
DD
T
r
逻辑1
80% V
DD
2.6
.102
1.1
.043
垫4
(V
DD
)
5.08
.200
PAD 3
(下)
50% V
DD
20% V
DD
逻辑0
对称
对称
2.5 VDC
1.5 VDC
0.5 VDC
GND
标记格式*
5 = S1800
9 = S1803
B = S1850
稳定公差
SaRonix
频率
第5
YY WW
日期代码
*
项目的具体位置可能会有所不同
推荐地格局
**
4
3
1.8
.071
4.2
.165
2.0
.079
1
5.08
.200
2
**
外部高频电源
去耦要求。
规模:无(在外形尺寸
mm
)
英寸
所有特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
DS-181
REV F01
SaRonix
141杰斐逊驱动门洛帕克, CA 94025 美国 650-470-7700 800-227-8974 传真650-462-9894
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    联系人:杨小姐
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    -
    -
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    -
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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