STS12NH3LL
N沟道30V - 0.008Ω - 12A - SO- 8
超低栅极电荷的STripFET 功率MOSFET
一般特点
TYPE
STS12NH3LL
■
■
■
■
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
<0.0105
I
D
12A
最优
DS （ ON）
X的Qg权衡@ 4.5V
开关损耗而有所降低
低输入电容
低阈值设备
SO-8
描述
这一系列是基于最新一代的
意法半导体独有的“的STripFET ”技术。一
创新的设计使得该设备还
表现为最极低的栅极电荷
苛刻的要求如在高侧开关
高频直流 - 直流转换器。这是因此，
非常适用于电信高密度转换器和
计算机应用。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STS12NH3LL
记号
S12NH3LL
包
SO-8
包装
磁带&卷轴
2006年3月
REV 6
1/12
www.st.com
12
目录
STS12NH3LL
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
STS12NH3LL
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS(1)
V
GS(2)
I
D
I
D
I
DM(3)
P
合计
T
J
T
英镑
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
=100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
工作结温
储存温度
价值
30
± 16
± 18
12
7.5
48
2.5
-55到150
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
1.连续模式
2.为保证测试时间为15ms <
3.脉冲宽度有限的安全工作区
表2中。
符号
R
THJ - AMB （ 1 ）
热阻
参数
热阻结到环境
价值
50
单位
° C / W
1.当安装在FR-4板1inch的， 2盎司铜，叔< 10秒
3/12
STS12NH3LL
电气特性
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
试验性条件
V
DD
= 15V ，我
D
= 6A,
R
G
=4.7, V
GS
=4.5V
（参见图13）
分钟。
典型值。
15
32
18
8.5
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
表6 。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 12A ，V
GS
=0
I
SD
=12A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 20V ， TJ = 150℃
（参见图15）
24
17.4
1.45
试验性条件
民
典型值。
最大
12
48
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/12
QQ：2880707522 复制
