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STS12NF30L
N沟道30V - 0.008Ω - 12A型SO-8
的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STS12NF30L
V
DSS
30V
R
DS ( ON)
<0.009
I
D
12A
标准大纲,便于自动化表面
安装组件
低阈值DRIVE
S0-8
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的"Single功能
大小 "条为基础的过程。由此产生的
晶体管显示了极高的堆积密度
对于低导通电阻,崎岖雪崩
特点和不太重要的调整措施
因此,一个显着的制造
重现。
内部原理图
应用
开关应用
订购代码
产品型号
STS12NF30L
记号
S12NF30L
SO-8
包装
磁带&卷轴
2007年1月
转8
1/12
www.st.com
12
目录
STS12NF30L
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
STS12NF30L
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病(1)
P
合计
绝对最大额定值
参数
漏源电压(V
gs
= 0)
栅 - 源电压
漏电流(连续的)在T
C
= 25°C
漏电流(连续的)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
价值
30
±16
12
7.5
48
2.5
单位
V
V
A
A
A
W
1.脉冲宽度有限的安全工作区
表2中。
R
THJ -A
T
J
T
英镑
热数据
热阻结到环境最大
最大工作结温
储存温度
50
150
-55到150
° C / W
°C
°C
3/12
电气特性
STS12NF30L
2
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有规定编)
表3中。
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0)
门体漏
电流(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ,V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值,T
C
=125°C
V
GS
= ± 16V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ,我
D
= 6A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 6A
1
0.008
0.01
0.009
0.011
分钟。
30
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表4 。
符号
g
飞秒(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 25V , F = 1兆赫,V
GS
=0
测试条件
V
DS
= 15V
,
I
D
=6A
分钟。
典型值。
15
2400
590
200
V
DD
= 24V ,我
D
= 12A,
V
GS
= 4.5V
(参见图13)
35
9
18
50
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
1.脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比1.5 。
表5 。
符号
t
D(上)
t
r
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
测试条件
V
DD
= 15 V,I
D
=6A,
R
G
=4.7, V
GS
= 4.5V
(参见图12)
V
DD
= 15V ,我
D
= 6A,
R
G
= 4.7, V
GS
=
4.5V
(参见图12)
V
DD
= 24V ,我
D
=12A,
R
G
=4.7, V
GS
=4.5V
(参见图14)
分钟。
典型值。
35
90
马克斯。
单位
ns
ns
t
D(关闭)
t
f
t
R( Voff时)
t
f
t
c
关断延迟时间
下降时间
80
35
ns
ns
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
35
35
80
ns
ns
ns
4/12
STS12NF30L
表6 。
符号
I
SD
I
SDM (1)
V
的SD (2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
电气特性
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 12A ,V
GS
= 0
I
SD
= 12A ,V
DD
= 15V
的di / dt = 100A / μs的,
T
j
= 150°C
(参见图14)
114
456
8
测试条件
分钟。
典型值。
最大
40
160
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比1.5 %
5/12
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