S12ME1/S12ME1F
S12ME1/S12ME1F
s
特点
1.内部绝缘距离： 0.4毫米以上
2，爬电距离： 8mm以上
空间距离： 5mm以上（
S12ME1
)
8mm以上（
S12ME1F
)
3.通过UL文件号E64380认可
通过BSI认可（ BS415 ： NO.7088 ， BS7002 ： NO.7410 ）
欧洲安全标准认证，
长爬电距离类型
光电闸淋耦合器
g
引脚成形型（I型）和胶带卷轴型（ P型）
S12ME1/S12ME1F
也可提供。 （
S12ME1I/S12ME1FI,S12ME1P/S12ME1FP
)
g
DIN- VDE0884认证的型号也可以作为一种选择。
s
外形尺寸
S12ME1
2.54
±
0.25
6
5
4
6.5
±
0.5
内部连接
图
6
5
4
（单位：毫米）
S12ME1
1
2
3
1.2
±
0.3
1
2
3
s
应用
1. ON- OFF动作为低功率负载
2.触发中等或高功率可控硅和双向可控硅
3.过电压检测开关电源
阳极
标志
9.22
±
0.5
7.62
±
0.3
3.5
±
0.5
1
2
3
4
5
6
阳极
阴极
NC
阴极
阳极
门
3.4
±
0.3
3.7
±
0.5
0.5
±
0.1
0.5
典型值。
0.26
±
0.1
θ
:
0至13
θ
S12ME1F
2.54
±
0.25
6
5
4
6.5
±
0.5
内部连接
图
6
5
4
S12ME1
1
阳极
标志
2
3
1.2
±
0.3
1
2
3
9.22
±
0.5
3.5
±
0.5
7.62
±
0.3
1
2
3
4
5
6
阳极
阴极
NC
阴极
阳极
门
3.4
±
0.5
0.26
±
0.1
0.5
±
0.1
10.16
±
0.5
“
在没有确认元器件规格说明书中，夏普需要对发生的任何使用夏普的设备的任何缺陷的设备，在目录显示不承担任何责任，
数据手册等所刊载在使用任何夏普的设备之前获得的元器件规格说明书的最新版本“ 。
S12ME1/S12ME1F
s
绝对最大额定值
输入
参数
正向电流
反向电压
RMS通态电流
1
峰值一个周期浪涌电流
2
重复
峰值断态电压
2
重复峰值
关断状态的反向电压
3
隔离电压
工作温度
储存温度
4
焊接温度
符号
I
F
V
R
I
T
I
浪涌
V
DRM
V
RRM
V
ISO
T
OPR
T
英镑
T
SOL
等级
50
6
0.2
2
400
400
4 000
- 30 + 100
- 55 + 125
260
（大= 25℃）
单位
mA
V
A
RMS
A
V
V
V
RMS
C
C
C
产量
1
50Hz正弦波
2
R
G
= 20k
3
4060 ％RH下，交流，1分钟中，f = 60Hz的
4
10秒
s
光电特性
输入
参数
正向电压
反向电流
重复峰值断态
当前
重复峰值断态
反向电压
通态电压
保持电流
的临界上升率
断态电压
最小触发电流
绝缘电阻
开启时间
符号
V
F
I
R
I
DRM
I
RRM
V
T
I
H
dv / dt的
I
FT
R
ISO
t
on
条件
I
F
= 20mA下
V
R
= 3V
V
DRM
=额定，R
G
= 20k
V
DRM
=额定，R
G
= 20k
I
T
= 0.2A
V
D
= 6V ，R
G
= 20k
V
DRM
= 1/
2
=额定，R
G
= 20k
V
D
= 6V ，R
L
= 100 , R
G
= 20k
DC500V ， 40 60％RH的
V
D
= 6V ，R
L
= 100 , I
F
= 20mA下
R
G
= 20k
分钟。
-
-
-
-
-
-
3
-
5 x 10
10
-
典型值。
1.2
-
-
-
1.0
-
-
-
10
11
-
（大= 25℃）
马克斯。
1.4
10
1
1
1.4
1.0
-
10
-
50
单位
V
A
A
A
V
mA
V/
s
mA
s
产量
转让
字符
开创性意义
S12ME1/S12ME1F
s
基本运算电路
中/高功率晶闸管驱动电路
1
2
V
IN
3
6
负载
C
G
4
R
G
Z
S
Z
S
:
缓冲电路
AC 100V
+
V
CC
5
中/高功率可控硅驱动电路（零交叉操作）
1
2
V
IN
3
4
6
负载
+
V
CC
5
R
G
C
G
AC 100V
q
请参阅章节“使用注意事项” （第78页至93页） 。
