光电二极管
硅光电二极管
S1227系列
对于紫外到可见光，精密测光;抑制红外线灵敏度
特点
应用
l
高UV灵敏度： QE 75 ％ （ λ = 200纳米）
l
抑制红外线灵敏度
l
低暗电流
l
分析设备
l
光学测量设备等。
s
通用等级/绝对最大额定值
型号
尺寸的
外形/
窗口
材料*
/Q
/R
/Q
/R
/Q
/R
/Q
/R
包
(mm)
2.7 × 15
6 × 7.6
8.9 × 10.1
15 × 16.5
活跃
区大小
(mm)
1.1 × 5.9
2.4 × 2.4
5.8 × 5.8
10 × 10
有效
活动区域
(mm
2
)
5.9
5.7
5
33
100
-20至+60
-20至+80
绝对最大额定值
操作
存储
反向
温度
温度
电压
TOPR
TSTG
V
R
马克斯。
(V)
(°C)
(°C)
S1227-16BQ
S1227-16BR
S1227-33BQ
S1227-33BR
S1227-66BQ
S1227-66BR
S1227-1010BQ
S1227-1010BR
s
电气和光学特性（典型值TA = 25 ℃，除非另有说明）
谱峰
响应灵敏度
波长范围
λp
λ
照片灵敏度
S
（ A / W）
λp
200纳米
短路
上升码头分流
黑暗
当前
当前温度。时间电容电阻
ISC
系数
tr
Ct
I
D
RSH
100
lx
V
R
= 10 M·V
T
CID
V
R
=0 V V
R
=0 V V
R
-10毫伏
氦氖
R
L
= 1 kΩ的F = 10千赫（ GΩ ）
分钟。典型值。马克斯。
激光
（ pF）的最小值。典型值。
633纳米（ μA ） （ μA ） （ PA） （次/ ° C） （微秒）
0.34
2
3.2
5
0.5
170
2 20
0.39 2.2 3.7
0.34
2
3.0
5
0.5
160
2 20
0.39 2.2 3.7
1.12
0.34
11
16
20
2
950
0.5 5
0.39
13
19
0.34
32
44
50
7
3000 0.2 2
0.39
36
53
型号
NEP
（纳米）
（纳米）
MIN 。 TYP 。
190 1000
S1227-16BQ
0.36 0.10 0.12
320 1000
S1227-16BR
0.43
-
-
190 1000
S1227-33BQ
0.36 0.10 0.12
320 1000
S1227-33BR
0.43
-
-
190到1000 720 0.36 0.10 0.12
S1227-66BQ
320 1000
S1227-66BR
0.43
-
-
S1227-1010BQ 190 1000
0.36 0.10 0.12
320 1000
S1227-1010BR
0.43
-
-
*窗口材料Q ：石英玻璃， R：树脂涂料
（W / Hz的
1/2
)
2.5 × 10
-15
2.1 × 10
-15
2.5 × 10
-15
2.1 × 10
-15
5.0 × 10
-15
4.2 × 10
-15
8.0 × 10
-15
6.7 × 10
-15
1
硅光电二极管
s
光谱响应
0.7
0.6
（典型值TA = 25℃）
S1227系列
（典型值）。
s
照片灵敏度温度特性
+1.5
温度系数（％ /℃）
照片灵敏度（ A / W）
0.5
0.4
S1227-BR
+1.0
+0.5
0.3
0.2
S1227-BQ
S1227-BQ
0
0.1
S1227-BR
0
190
400
600
800
1000
-0.5
190
400
600
800
1000
波长（nm ）
KSPDB0094EA
波长（nm ）
KSPDB0030EB
s
上升时间与负载电阻
1毫秒
（典型值TA = 25℃， V
R
=0
V)
S1227-1010BQ/BR
100
s
s
暗电流与反向电压
1 nA的
（典型值TA = 25℃）
S1227-66BQ/BR
100 pA的
S1227-1010BQ/BR
上升时间
10
s
暗电流
S1227-66BQ/BR
10 pA的
1
s
1 pA的
100纳秒
S1227-16BQ / BR ， -33BQ / BR
10纳秒
10
2
10
3
10
4
10
5
S1227-33BQ/BR
S1227-16BQ/BR
100 fA的
0.01
0.1
1
10
负载电阻（ Ω ）
KSPDB0095EA
反向电压（ V）
KSPDB0096EB
s
分流电阻与环境温度
1 T
100 G
（典型值V
R
=10
毫伏）
S1227-33BQ/BR
分流电阻
10 G
1 G
S1227-1010BQ/BR
S1227-16BQ/BR
100 M
10 M
1 M
100 k
10 k
-20
S1227-66BQ/BR
0
20
40
60
80
环境温度（ ℃）
KSPDB0097EA
2
硅光电二极管
S1227-66BQ
10.1 ± 0.1
活动区域
S1227系列
S1227-66BR
10.1 ± 0.1
8.9 ± 0.1
0.75
0.1
0.3
0.3
0.65
光敏
表面
2.0 ± 0.1
光敏
表面
10.5
0.5
领导
0.5
领导
9.2 ± 0.3
9.2 ± 0.3
7.4 ± 0.2
阳极
终端MARK
阳极
终端MARK
7.4 ± 0.2
8.0 ± 0.3
8.0 ± 0.3
10.5
2.0 ± 0.1
8.9 ± 0.1
活动区域
树脂涂层可以延长
最大为0.1mm以上的
包装的上表面上。
KSPDA0098EA
KSPDA0099EA
S1227-1010BQ
16.5 ± 0.2
S1227-1010BR
16.5 ± 0.2
活动区域
0.9
0.3
0.1
光敏
表面
0.3
0.8
0.5
领导
15.1 ± 0.3
12.5 ± 0.2
15.1 ± 0.3
12.5 ± 0.2
13.7 ± 0.3
阳极
终端MARK
阳极
终端MARK
13.7 ± 0.3
10.5
0.5
领导
10.5
2.15 ± 0.1
光敏
表面
2.15 ± 0.1
15.0 ± 0.15
活动区域
15.0 ± 0.15
树脂涂层可以延长
最大为0.1mm以上的
包装的上表面上。
KSPDA0100EA
KSPDA0101EA
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4
猫。第KSPD1036E04
2004年8月DN
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