光电二极管
硅光电二极管
S1226系列
对于紫外到可见光，精密测光;抑制红外线灵敏度
特点
应用
l
高UV灵敏度： QE 75 ％ （ λ = 200纳米）
l
抑制红外线灵敏度
l
低暗电流
l
高可靠性
l
分析设备
l
光学测量设备等。
s
通用等级/绝对最大额定值
型号
尺寸的
外形/
窗口
材料*
/Q
/K
/Q
/K
/Q
/K
/Q
/K
包
(mm)
TO-18
活跃
区大小
(mm)
1.1 × 1.1
2.4 × 2.4
TO-5
3.6 × 3.6
TO-8
5.8 × 5.8
13
33
有效
活动区域
(mm
2
)
1.2
5.7
绝对最大额定值
操作
存储
反向
温度
温度
电压
TOPR
TSTG
V
R
马克斯。
(V)
(°C)
(°C)
-20至+60
-55到+80
-40至+100
-55到+125
-20至+60
-55到+80
-40至+100
-55到+125
5
-20至+60
-55到+80
-40至+100
-55到+125
-20至+60
-55到+80
-40至+100
-55到+125
S1226-18BQ
S1226-18BK
S1226-5BQ
S1226-5BK
S1226-44BQ
S1226-44BK
S1226-8BQ
S1226-8BK
s
电气和光学特性（典型值TA = 25 ℃，除非另有说明）
PEAK
光谱敏感
响应tivity
波长范围
长
λ
λp
照片灵敏度
S
（ A / W）
λp
200纳米
短路
黑暗
当前
当前
ISC
I
D
100
lx
V = 10 M·V
R
氦氖
分钟。典型值。马克斯。
激光
(A) (A)
0.5
2.2
4.4
12
0.66
2.9
5.9
16
（ PA ）
2
5
1.12
10
20
1
2
380
950
1
10 3.6 × 10
-15
终奌站
温度。
上升时间电容并联
coeffi-
tr
tance性
cient
NEP
V
R
=0 V
Ct
RSH
我
D
R
L
= 1千欧V
R
=0 V V
R
-10毫伏
T
CID
F = 10千赫
MIN 。 TYP 。
（次/ ℃）（ μs）内
（PF ） （ GΩ ） （ GΩ ） （ W / Hz的
1/2
)
0.15
0.5
35
160
5
2
50 1.6 × 10
-15
20 2.5 × 10
-15
型号
分钟。典型值。 633纳米
（纳米）
（纳米）
190 1000
S1226-18BQ
0.10 0.12
320 1000
S1226-18BK
-
-
190 1000
S1226-5BQ
0.10 0.12
320 1000
S1226-5BK
-
-
720 0.36
0.34
190 1000
S1226-44BQ
0.10 0.12
320 1000
S1226-44BK
-
-
190 1000
S1226-8BQ
0.10 0.12
320 1000
S1226-8BK
-
-
*窗的材料， K：高硼硅玻璃，问：石英玻璃
0.5 5 5.0 × 10
-15
1
硅光电二极管
s
光谱响应
0.7
0.6
（典型值TA = 25℃）
S1226系列
（典型值）。
s
照片灵敏度温度特性
+1.5
温度系数（％ /℃）
照片灵敏度（ A / W）
0.5
0.4
+1.0
+0.5
0.3
0.2
S1226-BQ
0
0.1
S1226-BK
0
190
400
600
800
1000
-0.5
190
400
600
800
1000
波长（nm ）
KSPDB0106EA
波长（nm ）
KSPDB0030EA
s
上升时间与负载电阻
1毫秒
（典型值TA = 25℃， V
R
=0
V)
s
暗电流与反向电压
1 nA的
（典型值TA = 25℃）
100
s
S1226-8BQ/BK
S1226-44BQ/BK
100 pA的
上升时间
10
s
暗电流
S1226-44BQ/BK
10 pA的
S1226-8BQ/BK
1
s
S1226-18BQ/BK
100纳秒
S1226-5BQ/BK
10纳秒
10
2
10
3
10
4
10
5
1 pA的
S1226-5BQ/BK
S1226-18BQ/BK
100 fA的
0.01
0.1
1
10
负载电阻（ Ω ）
KSPDB0107EA
暗电流
KSPDB0108EB
s
分流电阻与环境温度
1 T
100 G
（典型值V
R
=10
毫伏）
S1226-18BQ / BK ， -5BQ / BK
分流电阻
10 G
1 G
S1226-44BQ/BK
100 M
10 M
1 M
100 k
10 k
-20
S1226-8BQ/BK
0
20
40
60
80
环境温度（ ℃）
KSPDB0109EA
2
硅光电二极管
s
外形尺寸（单位：毫米）
S1226-18BQ/-18BK
5.4 ± 0.2
窗口
3.0 ± 0.2
S1226系列
S1226-5BQ / K， S1226-44BQ / K的
9.1 ± 0.2
窗口
5.9 ± 0.1
3.6 ± 0.2
光敏
表面
0.45
领导
光敏
表面
0.45
领导
2.4
2.9
5.08 ± 0.2
在K型硼硅玻璃
窗口可延伸的最大
为0.2mm以上的上表面
盖的。
KSPDA0114EA
2.54 ± 0.2
14
连接到外壳
连接到外壳
KSPDA0113EB
S1226-8BQ/-8BK
13.9 ± 0.2
窗口
10.5 ± 0.1
12.35 ± 0.1
光敏
表面
0.45
领导
1.9
7.5 ± 0.2
MARK （ 1.4 ）
连接到外壳
在K型硼硅玻璃
窗口可延伸的最大
为0.2mm以上的上表面
盖的。
KSPDA0115EA
15
5.0 ± 0.2
提供的信息滨松被认为是可靠的。但是，没有承担责任的可能不准确或遗漏。
规格若有变更，恕不另行通知。没有专利权授予任何本文所描述的电路。 2004滨松光子学株式会社
滨松光子学株式会社，固态处
1126-1市野町，东区市， 435-8558日本，电话： （ 81 ） 53-434-3311 ，传真： （ 81 ） 53-434-5184 ， http://www.hamamatsu.com
美国：滨松公司： 360山麓路，邮政信箱6910 ，布里奇沃特， NJ 08807-0910 ， USA ，电话： （ 1 ） 908-231-0960 ，传真： （ 1 ） 908-231-1218
德国：滨松光子德国公司： Arzbergerstr 。 10 ， D- 82211的Herrsching很Ammersee的，德国，电话： （ 49 ） 08152-3750 ，传真： （ 49 ） 08152-2658
法国：滨松光子法国SARL ： 19 ，杜街Sule酒店Trapu ，杜公园红磨坊德马西， 91882 Cedex的马西，法国，电话： 33-（ 1 ） 69 53 71 00 ，传真： 33-（ 1 ） 69 53 71 10
英国：滨松光子英国有限公司： 2霍华德法院， Tewin路10号，韦林花园城，赫特福德郡AL7 1BW ，英国，电话： （ 44 ） 1707-294888 ，传真： （ 44 ） 1707-325777
北欧：滨松光子诺登AB ： Smidesvgen 12 ， SE- 171 41索尔纳，瑞典，电话： （ 46 ） 8-509-031-00 ，传真： （ 46 ） 8-509-031-01
意大利：滨松光子ITALIA SRL ：斯特拉达德拉莫亚， 1 / E ， 20020阿莱赛（米兰） ，意大利，电话： （ 39 ） 02-935-81-733 ，传真： （ 39 ） 02-935-81-741
20
4.1 ± 0.2
4.7 ± 0.1
8.1 ± 0.1
猫。第KSPD1034E04
2004年8月DN
3
光电二极管
硅光电二极管
S1226系列
对于紫外到可见光，精密测光;抑制红外线灵敏度
特点
应用
l
高UV灵敏度： QE 75 ％ （ λ = 200纳米）
l
抑制红外线灵敏度
l
低暗电流
l
高可靠性
l
分析设备
l
光学测量设备等。
s
通用等级/绝对最大额定值
型号
尺寸的
外形/
窗口
材料*
/Q
/K
/Q
/K
/Q
/K
/Q
/K
包
(mm)
TO-18
活跃
区大小
(mm)
1.1 × 1.1
2.4 × 2.4
TO-5
3.6 × 3.6
TO-8
5.8 × 5.8
13
33
有效
活动区域
(mm
2
)
1.2
5.7
绝对最大额定值
操作
存储
反向
温度
温度
电压
TOPR
TSTG
V
R
马克斯。
(V)
(°C)
(°C)
-20至+60
-55到+80
-40至+100
-55到+125
-20至+60
-55到+80
-40至+100
-55到+125
5
-20至+60
-55到+80
-40至+100
-55到+125
-20至+60
-55到+80
-40至+100
-55到+125
S1226-18BQ
S1226-18BK
S1226-5BQ
S1226-5BK
S1226-44BQ
S1226-44BK
S1226-8BQ
S1226-8BK
s
电气和光学特性（典型值TA = 25 ℃，除非另有说明）
PEAK
光谱敏感
响应tivity
波长范围
长
λ
λp
照片灵敏度
S
（ A / W）
λp
200纳米
短路
黑暗
当前
当前
ISC
I
D
100
lx
V = 10 M·V
R
氦氖
分钟。典型值。马克斯。
激光
(A) (A)
0.5
2.2
4.4
12
0.66
2.9
5.9
16
（ PA ）
2
5
1.12
10
20
1
2
380
950
1
10 3.6 × 10
-15
终奌站
温度。
上升时间电容并联
coeffi-
tr
tance性
cient
NEP
V
R
=0 V
Ct
RSH
我
D
R
L
= 1千欧V
R
=0 V V
R
-10毫伏
T
CID
F = 10千赫
MIN 。 TYP 。
（次/ ℃）（ μs）内
（PF ） （ GΩ ） （ GΩ ） （ W / Hz的
1/2
)
0.15
0.5
35
160
5
2
50 1.6 × 10
-15
20 2.5 × 10
-15
型号
分钟。典型值。 633纳米
（纳米）
（纳米）
190 1000
S1226-18BQ
0.10 0.12
320 1000
S1226-18BK
-
-
190 1000
S1226-5BQ
0.10 0.12
320 1000
S1226-5BK
-
-
720 0.36
0.34
190 1000
S1226-44BQ
0.10 0.12
320 1000
S1226-44BK
-
-
190 1000
S1226-8BQ
0.10 0.12
320 1000
S1226-8BK
-
-
*窗的材料， K：高硼硅玻璃，问：石英玻璃
0.5 5 5.0 × 10
-15
硅光电二极管
s
光谱响应
（典型值TA = 25℃）
S1226系列
s
照片灵敏度温度特性
（典型值）。
0.7
0.6
+1.5
温度系数（％ /℃）
照片灵敏度（ A / W）
0.5
0.4
+1.0
+0.5
0.3
0.2
S1226-BQ
0
0.1
S1226-BK
0
190
400
600
800
1000
-0.5
190
400
600
800
1000
波长（nm ）
KSPDB0106EA
波长（nm ）
KSPDB0030EA
s
上升时间与负载电阻
（典型值TA = 25℃， V
R
=0
V)
s
暗电流与反向电压
（典型值TA = 25℃）
10 nA的
1毫秒
100
s
S1226-8BQ/BK
1 nA的
暗电流
S1226-44BQ/BK
S1226-8BQ/BK
100 pA的
上升时间
10
s
1
s
S1226-18BQ/BK
100纳秒
S1226-5BQ/BK
10纳秒
10
2
10
3
10
4
10
5
10 pA的
S1226-5BQ / BK ， -18BQ / BK
1 pA的
S1226-44BQ/BK
100 fA的
0.01
0.1
1
10
负载电阻（ Ω ）
KSPDB0107EA
反向电压（ V）
KSPDB0108EA
硅光电二极管
s
分流电阻与环境温度
（典型值V
R
=10
毫伏）
S1226系列
1 T
100 G
S1226-18BQ / BK ， -5BQ / BK
分流电阻
10 G
1 G
S1226-44BQ/BK
100 M
10 M
1 M
100 k
10 k
-20
S1226-8BQ/BK
0
20
40
60
80
环境温度（ ℃）
KSPDB0109EA
硅光电二极管
s
外形尺寸（单位：毫米）
S1226-18BQ/-18BK
5.4 ± 0.2
窗口
3.0 ± 0.2
S1226系列
S1226-5BQ / K， S1226-44BQ / K的
9.1 ± 0.2
窗口
5.9 ± 0.1
3.6 ± 0.2
光敏
表面
0.45
领导
光敏
表面
0.45
领导
2.4
2.9
5.08 ± 0.2
在K型硼硅玻璃
窗口可延伸的最大
为0.2mm以上的上表面
盖的。
KSPDA0114EA
2.54 ± 0.2
14
连接到外壳
连接到外壳
KSPDA0113EB
S1226-8BQ/-8BK
13.9 ± 0.2
窗口
10.5 ± 0.1
12.35 ± 0.1
光敏
表面
0.45
领导
1.9
7.5 ± 0.2
MARK （ 1.4 ）
连接到外壳
在K型硼硅玻璃
窗口可延伸的最大
为0.2mm以上的上表面
盖的。
KSPDA0115EA
15
5.0 ± 0.2
提供的信息滨松被认为是可靠的。但是，没有承担责任的可能不准确或遗漏。
规格若有变更，恕不另行通知。没有专利权授予任何本文所描述的电路。 2002滨松光子学株式会社
滨松光子学株式会社，固态处
1126-1市野町，滨松市， 435-8558日本，电话： （ 81 ） 053-434-3311 ，传真： （ 81 ） 053-434-5184 ， http://www.hamamatsu.com
美国：滨松公司： 360山麓路，邮政信箱6910 ，布里奇沃特， NJ 08807-0910 ， USA ，电话： （ 1 ） 908-231-0960 ，传真： （ 1 ） 908-231-1218
德国：滨松光子德国公司： Arzbergerstr 。 10 ， D- 82211的Herrsching很Ammersee的，德国，电话： （ 49 ） 08152-3750 ，传真： （ 49 ） 08152-2658
法国：滨松光子法国SARL ： 8 ，杜街Sule酒店Trapu ，杜公园红磨坊德马西， 91882 Cedex的马西，法国，电话： 33-（ 1 ） 69 53 71 00 ，传真： 33-（ 1 ） 69 53 71 10
英国：滨松光子英国有限公司： 2霍华德法院， Tewin路10号，韦林花园城，赫特福德郡AL7 1BW ，英国，电话： （ 44 ） 1707-294888 ，传真： （ 44 ） 1707-325777
北欧：滨松光子诺登AB ： Smidesvgen 12 ， SE- 171 41索尔纳，瑞典，电话： （ 46 ） 8-509-031-00 ，传真： （ 46 ） 8-509-031-01
意大利：滨松光子ITALIA SRL ：斯特拉达德拉莫亚， 1 / E ， 20020阿莱赛（米兰） ，意大利，电话： （ 39 ） 02-935-81-733 ，传真： （ 39 ） 02-935-81-741
20
4.1 ± 0.2
4.7 ± 0.1
8.1 ± 0.1
猫。第KSPD1034E03
十月
2002年DN
光电二极管
硅光电二极管
S1226系列
对于紫外到可见光，精密测光;抑制红外线灵敏度
特点
应用
l
高UV灵敏度： QE 75 ％ （ λ = 200纳米）
l
抑制红外线灵敏度
l
低暗电流
l
高可靠性
l
分析设备
l
光学测量设备等。
s
通用等级/绝对最大额定值
型号
尺寸的
外形/
窗口
材料*
/Q
/K
/Q
/K
/Q
/K
/Q
/K
包
(mm)
TO-18
活跃
区大小
(mm)
1.1 × 1.1
2.4 × 2.4
TO-5
3.6 × 3.6
TO-8
5.8 × 5.8
13
33
有效
活动区域
(mm
2
)
1.2
5.7
绝对最大额定值
操作
存储
反向
温度
温度
电压
TOPR
TSTG
V
R
马克斯。
(V)
(°C)
(°C)
-20至+60
-55到+80
-40至+100
-55到+125
-20至+60
-55到+80
-40至+100
-55到+125
5
-20至+60
-55到+80
-40至+100
-55到+125
-20至+60
-55到+80
-40至+100
-55到+125
S1226-18BQ
S1226-18BK
S1226-5BQ
S1226-5BK
S1226-44BQ
S1226-44BK
S1226-8BQ
S1226-8BK
s
电气和光学特性（典型值TA = 25 ℃，除非另有说明）
PEAK
光谱敏感
响应tivity
波长范围
长
λ
λp
照片灵敏度
S
（ A / W）
λp
200纳米
短路
黑暗
当前
当前
ISC
I
D
100
lx
V = 10 M·V
R
氦氖
分钟。典型值。马克斯。
激光
(A) (A)
0.5
2.2
4.4
12
0.66
2.9
5.9
16
（ PA ）
2
5
1.12
10
20
1
2
380
950
1
10 3.6 × 10
-15
终奌站
温度。
上升时间电容并联
coeffi-
tr
tance性
cient
NEP
V
R
=0 V
Ct
RSH
我
D
R
L
= 1千欧V
R
=0 V V
R
-10毫伏
T
CID
F = 10千赫
MIN 。 TYP 。
（次/ ℃）（ μs）内
（PF ） （ GΩ ） （ GΩ ） （ W / Hz的
1/2
)
0.15
0.5
35
160
5
2
50 1.6 × 10
-15
20 2.5 × 10
-15
型号
分钟。典型值。 633纳米
（纳米）
（纳米）
190 1000
S1226-18BQ
0.10 0.12
320 1000
S1226-18BK
-
-
190 1000
S1226-5BQ
0.10 0.12
320 1000
S1226-5BK
-
-
720 0.36
0.34
190 1000
S1226-44BQ
0.10 0.12
320 1000
S1226-44BK
-
-
190 1000
S1226-8BQ
0.10 0.12
320 1000
S1226-8BK
-
-
*窗的材料， K：高硼硅玻璃，问：石英玻璃
0.5 5 5.0 × 10
-15
硅光电二极管
s
光谱响应
（典型值TA = 25℃）
S1226系列
s
照片灵敏度温度特性
（典型值）。
0.7
0.6
+1.5
温度系数（％ /℃）
照片灵敏度（ A / W）
0.5
0.4
+1.0
+0.5
0.3
0.2
S1226-BQ
0
0.1
S1226-BK
0
190
400
600
800
1000
-0.5
190
400
600
800
1000
波长（nm ）
KSPDB0106EA
波长（nm ）
KSPDB0030EA
s
上升时间与负载电阻
（典型值TA = 25℃， V
R
=0
V)
s
暗电流与反向电压
（典型值TA = 25℃）
10 nA的
1毫秒
100
s
S1226-8BQ/BK
1 nA的
暗电流
S1226-44BQ/BK
S1226-8BQ/BK
100 pA的
上升时间
10
s
1
s
S1226-18BQ/BK
100纳秒
S1226-5BQ/BK
10纳秒
10
2
10
3
10
4
10
5
10 pA的
S1226-5BQ / BK ， -18BQ / BK
1 pA的
S1226-44BQ/BK
100 fA的
0.01
0.1
1
10
负载电阻（ Ω ）
KSPDB0107EA
反向电压（ V）
KSPDB0108EA
硅光电二极管
s
分流电阻与环境温度
（典型值V
R
=10
毫伏）
S1226系列
1 T
100 G
S1226-18BQ / BK ， -5BQ / BK
分流电阻
10 G
1 G
S1226-44BQ/BK
100 M
10 M
1 M
100 k
10 k
-20
S1226-8BQ/BK
0
20
40
60
80
环境温度（ ℃）
KSPDB0109EA
硅光电二极管
s
外形尺寸（单位：毫米）
S1226-18BQ/-18BK
5.4 ± 0.2
窗口
3.0 ± 0.2
S1226系列
S1226-5BQ / K， S1226-44BQ / K的
9.1 ± 0.2
窗口
5.9 ± 0.1
3.6 ± 0.2
光敏
表面
0.45
领导
光敏
表面
0.45
领导
2.4
2.9
5.08 ± 0.2
在K型硼硅玻璃
窗口可延伸的最大
为0.2mm以上的上表面
盖的。
KSPDA0114EA
2.54 ± 0.2
14
连接到外壳
连接到外壳
KSPDA0113EB
S1226-8BQ/-8BK
13.9 ± 0.2
窗口
10.5 ± 0.1
12.35 ± 0.1
光敏
表面
0.45
领导
1.9
7.5 ± 0.2
MARK （ 1.4 ）
连接到外壳
在K型硼硅玻璃
窗口可延伸的最大
为0.2mm以上的上表面
盖的。
KSPDA0115EA
15
5.0 ± 0.2
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20
4.1 ± 0.2
4.7 ± 0.1
8.1 ± 0.1
猫。第KSPD1034E03
十月
2002年DN
QQ：2881677436 复制
