日前，Vishay
S07B / 07D / 07G / 07J / 07M
威世半导体
小型表面贴装二极管
特点
对于表面安装应用程序
低廓包
适合自动放置
玻璃钝化
17249
高温焊接：
260℃ / 10秒码头
包装代码选项：
GS18 - 每13"卷轴（8毫米磁带） ， 50 K /箱10 K.
GS08 - 每个7"卷轴（8毫米磁带） ， 30 K /盒3
机械数据
案例：
JEDEC -DO219 - AB （ SMF
）塑料外壳
极性：
频带端为负极
重量：
约。 0.01克
零件表
部分
S07B
S07D
S07G
S07J
S07M
SB
SD
SG
SJ
SM
记号
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
最大重复峰值反向电压
测试条件
部分
S07B
S07D
S07G
S07J
S07M
最大RMS电压
S07B
S07D
S07G
S07J
S07M
最大直流阻断电压
S07B
S07D
S07G
S07J
S07M
最大正向平均整流电流T = 75℃
1)
tp
T
A
= 65 °C
1)
峰值正向浪涌电流8.3 ms单
正弦半波
1)
符号
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
DC
V
DC
V
DC
V
DC
V
DC
I
F（ AV ）
I
F（ AV ）
I
FSM
价值
100
200
400
600
1000
70
140
280
420
700
100
200
400
600
1000
1.5
0.7
25
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
T
L
= 25 °C
平均超过任何20 ms周期
文档编号85733
修订版1.8 ， 24 -MAR -04
www.vishay.com
1
S07B / 07D / 07G / 07J / 07M
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境空气
2)
日前，Vishay
测试条件
符号
R
θJA
T
J
, T
英镑
价值
180
- 55至+ 150
单位
K / W
°C
工作结存储
温度范围
2)
安装在与3 ×3mm的CU垫环氧基板（ ≥ 40
m
厚）
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
最大瞬时
正向电压
1.0 A
3)
测试条件
符号
V
F
I
R
I
R
t
rr
C
j
4
民
典型值。
最大
1.1
10
50
1.8
单位
V
A
A
s
pF
最大DC反向电流在T
A
= 25 °C
额定阻断电压DC
T
A
= 125 °C
反向恢复时间
在4 V， MHz的典型电容
3)
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
rr
= 0.25 A
脉冲测试： 300
脉冲宽度， 1 ％的占空比
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
1.2
负载电阻或电感
1.0
1000
0.8
正向电流（mA ）
平均正向电流（ A）
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
0.6
0.4
T
J
= 100°C
0.2
0
3.0× 40 3.0毫米
m
厚的铜焊盘区
0
20
40
60
80
100
120
140
160
17375
100
600
17376
700
800
900
1000
1100
环境温度（
j
C)
正向电压（MV ）
图。 1正向电流降额曲线
图。 2典型正向特性
www.vishay.com
2
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修订版1.8 ， 24 -MAR -04
日前，Vishay
S07B / 07D / 07G / 07J / 07M
威世半导体
100
瞬时反向电流（ μA ）
T
J
= 150°C
10
T
J
= 125°C
T
J
= 100°C
1
T
J
= 75°C
T
J
= 50°C
0.1
T
J
= 25°C
0.01
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
17377
瞬时反向电压（ V）
图。 3典型的瞬时反向特性
10
9
8
7
C（ pF）的
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
17378
V
R
(V)
图。 4电容与反向电压
文档编号85733
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3
S07B / 07D / 07G / 07J / 07M
威世半导体
包装尺寸（mm）
阴极带
牛逼运查看
日前，Vishay
1.8
±
0.1
1.0
±
0.2
5
0.98
±
0.1
2.8
±
0.1
0.05 - 0.30
5
详细信息
Z
扩大
Z
0.60
±
0.25
0.00 - 0.10
3.7
±
0.2
1.6
1.3
1.4
17247
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Blistertape的SMF
S07B / 07D / 07G / 07J / 07M
威世半导体
PS
18513
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5
日前，Vishay
S07B / 07D / 07G / 07J / 07M
威世半导体
小型表面贴装二极管
特点
对于表面安装应用程序
低廓包
适合自动放置
玻璃钝化
17249
高温焊接：
260℃ / 10秒码头
包装代码选项：
GS18 - 每13"卷轴（8毫米磁带） ， 50 K /箱10 K.
GS08 - 每个7"卷轴（8毫米磁带） ， 30 K /盒3
机械数据
案例：
JEDEC -DO219 - AB （ SMF
）塑料外壳
极性：
频带端为负极
重量：
约。 0.01克
零件表
部分
S07B
S07D
S07G
S07J
S07M
SB
SD
SG
SJ
SM
记号
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
最大重复峰值反向电压
测试条件
部分
S07B
S07D
S07G
S07J
S07M
最大RMS电压
S07B
S07D
S07G
S07J
S07M
最大直流阻断电压
S07B
S07D
S07G
S07J
S07M
最大正向平均整流电流T = 75℃
1)
tp
T
A
= 65 °C
1)
峰值正向浪涌电流8.3 ms单
正弦半波
1)
符号
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
DC
V
DC
V
DC
V
DC
V
DC
I
F（ AV ）
I
F（ AV ）
I
FSM
价值
100
200
400
600
1000
70
140
280
420
700
100
200
400
600
1000
1.5
0.7
25
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
T
L
= 25 °C
平均超过任何20 ms周期
文档编号85733
修订版1.8 ， 24 -MAR -04
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S07B / 07D / 07G / 07J / 07M
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境空气
2)
日前，Vishay
测试条件
符号
R
θJA
T
J
, T
英镑
价值
180
- 55至+ 150
单位
K / W
°C
工作结存储
温度范围
2)
安装在与3 ×3mm的CU垫环氧基板（ ≥ 40
m
厚）
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
最大瞬时
正向电压
1.0 A
3)
测试条件
符号
V
F
I
R
I
R
t
rr
C
j
4
民
典型值。
最大
1.1
10
50
1.8
单位
V
A
A
s
pF
最大DC反向电流在T
A
= 25 °C
额定阻断电压DC
T
A
= 125 °C
反向恢复时间
在4 V， MHz的典型电容
3)
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
rr
= 0.25 A
脉冲测试： 300
脉冲宽度， 1 ％的占空比
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
1.2
负载电阻或电感
1.0
1000
0.8
正向电流（mA ）
平均正向电流（ A）
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
0.6
0.4
T
J
= 100°C
0.2
0
3.0× 40 3.0毫米
m
厚的铜焊盘区
0
20
40
60
80
100
120
140
160
17375
100
600
17376
700
800
900
1000
1100
环境温度（
j
C)
正向电压（MV ）
图。 1正向电流降额曲线
图。 2典型正向特性
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2
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修订版1.8 ， 24 -MAR -04
日前，Vishay
S07B / 07D / 07G / 07J / 07M
威世半导体
100
瞬时反向电流（ μA ）
T
J
= 150°C
10
T
J
= 125°C
T
J
= 100°C
1
T
J
= 75°C
T
J
= 50°C
0.1
T
J
= 25°C
0.01
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
17377
瞬时反向电压（ V）
图。 3典型的瞬时反向特性
10
9
8
7
C（ pF）的
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
17378
V
R
(V)
图。 4电容与反向电压
文档编号85733
修订版1.8 ， 24 -MAR -04
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3
S07B / 07D / 07G / 07J / 07M
威世半导体
包装尺寸（mm）
阴极带
牛逼运查看
日前，Vishay
1.8
±
0.1
1.0
±
0.2
5
0.98
±
0.1
2.8
±
0.1
0.05 - 0.30
5
详细信息
Z
扩大
Z
0.60
±
0.25
0.00 - 0.10
3.7
±
0.2
1.6
1.3
1.4
17247
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文档编号85733
修订版1.8 ， 24 -MAR -04
日前，Vishay
Blistertape的SMF
S07B / 07D / 07G / 07J / 07M
威世半导体
PS
18513
文档编号85733
修订版1.8 ， 24 -MAR -04
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5
S07B / 07D / 07G / 07J / 07M
威世半导体
小信号的快速开关二极管，高压
特点
对于表面安装应用程序
低廓包
e3
适合自动放置
玻璃钝化
高温焊接：
260℃ / 10秒码头
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
17249
机械数据
案例：
JEDEC DO- 219AB （ SMF
）塑料外壳
极性：
频带端为负极
重量：
约。 15毫克
包装代码选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 50 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 30 K /盒GS08 / 3
零件表
部分
S07B
S07D
S07G
S07J
S07M
订购代码
S07B - GS18或S07B - GS08
S07D - GS18或S07D - GS08
S07G - GS18或S07G - GS08
S07J - GS18或S07J - GS08
S07M - GS18或S07M - GS08
SB
SD
SG
SJ
SM
记号
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
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修订版1.8 ， 13 -APR- 05
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S07B / 07D / 07G / 07J / 07M
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
最大重复峰值反向电压
测试条件
部分
S07B
S07D
S07G
S07J
S07M
最大RMS电压
S07B
S07D
S07G
S07J
S07M
最大直流阻断电压
S07B
S07D
S07G
S07J
S07M
最大正向平均整流电流T = 75℃
1)
tp
T
A
= 65 °C
1)
峰值正向浪涌电流8.3 ms单
正弦半波
1)
符号
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
DC
V
DC
V
DC
V
DC
V
DC
I
F（ AV ）
I
F（ AV ）
I
FSM
价值
100
200
400
600
1000
70
140
280
420
700
100
200
400
600
1000
1.5
0.7
25
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
T
L
= 25 °C
平均超过任何20 ms周期
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境空气
2)
测试条件
符号
R
thJA
T
J
, T
英镑
价值
180
- 55至+ 150
单位
K / W
°C
工作结存储
温度范围
2)
安装在与3 ×3mm的CU垫环氧基板（ ≥ 40
m
厚）
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
最大瞬时
正向电压
1.0
A
3)
测试条件
符号
V
F
I
R
I
R
t
rr
C
j
4
民
典型值。
最大
1.1
10
50
1.8
单位
V
A
A
s
pF
最大DC反向电流在T
A
= 25 °C
额定阻断电压DC
T
A
= 125 °C
反向恢复时间
在4 V， MHz的典型电容
3)
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
rr
= 0.25 A
脉冲测试： 300
脉冲宽度， 1 ％的占空比
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S07B / 07D / 07G / 07J / 07M
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
1.2
负载电阻或电感
100
瞬时反向电流（ μA ）
平均正向电流（ A）
1.0
T
J
= 150°C
10
T
J
= 125°C
T
J
= 100°C
1
T
J
= 75°C
T
J
= 50°C
0.8
0.6
0.4
0.1
0.2
0
3.0× 40 3.0毫米
m
厚的铜焊盘区
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T
J
= 25°C
0.01
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
17375
环境温度（
j
C)
17377
瞬时反向电压（ V）
图1.正向电流降额曲线
图3.典型的瞬时反向特性
1000
10
9
8
7
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
正向电流（mA ）
C（ pF）的
T
J
= 100°C
100
600
6
5
4
3
2
1
0
700
800
900
1000
1100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
17376
正向电压（MV ）
17378
V
R
(V)
图2.典型的正向特性
图4.电容与反向电压
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S07B / 07D / 07G / 07J / 07M
威世半导体
单位：mm包装尺寸（英寸）
0.85 (0.033)
0.35 (0.014)
3.9 (0.152)
3.5 (0.137)
5
0.99 (0.039)
0.97 (0.038)
0.16 (0.006)
5
Z
详细信息
Z
扩大
阴极带
顶视图
1.9 (0.074)
1.7 (0.066)
0.10最大
1.2 (0.047)
0.8 (0.031)
2.9 (0.113)
2.7 (0.105)
ISO方法E
贴装焊盘布局
1.6 (0.062)
1.3 (0.051)
1.4 (0.055)
17247
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修订版1.8 ， 13 -APR- 05
S07B / 07D / 07G / 07J / 07M
威世半导体
Blistertape的SMF
PS
18513
文档编号85733
修订版1.8 ， 13 -APR- 05
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BL
特点
银河电子
S07B --- S07M
反向电压： 100 - 1000 V
电流： 0.7 A
SOD - 123FL
阴极带
顶视图
表面贴装整流器
◇
玻璃钝化装置
◇
适用于地表mouted应用
◇
低漏电流
◇
冶金结合建设
◇
高温焊接：
250 ℃ / 10秒码头
1.8 0.1
1.0 0.2
5°
2.8 0.1
0.05 0.30
0.98 0.1
机械数据
◇
案例： JEDEC SOD- 123FL ，在模压塑料
钝化芯片
◇
码头：焊接镀，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
◇
极性：颜色频带端为负极
◇
重量： 0.006盎司， 0.02克
◇
安装位置：任意
5
0.60 0.25
3.7 0.2
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，电阻或电感load.For容性负载，减免电流20 ％ 。
绝对额定值
器件标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均前页
整流电流
T
A
=65℃
（注1 ）
S07B
B0
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
100
70
100
S07D
D0
200
140
200
S07G
G0
400
280
400
0.7
S07J
J0
600
420
600
S07M
M0
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
峰值正向浪涌电流8.3ms单
半正弦波叠加
在额定负荷
T
L
=25℃
（注2 ）
I
FSM
R
J- á
T
j
T
英镑
25
A
典型热阻
180
- 55 --- + 150
- 55 --- + 150
K / W
℃
℃
www.galaxycn.com
工作温度范围
存储温度范围
注： 1.Averaged在任何20毫秒的时间。
2.热阻结到环境， 6.0毫米
2
coppeer垫给每个终端。
文档编号0280059
BL
银河电子
1.
电气特性
参数
最大瞬时（注3 ）
在1.0A正向电压
反向电流最大DC @T
A
=25℃
在额定阻断电压DC @T
A
=125℃
典型结电容（注4 ）
最大反向恢复时间（注5 ）
注意： 3.Pulse测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比。
4.Measured得1.0MHz和应用的4.0V直流平均电压。
5.Measured与我
F
= 0.5A ，我
R
= 1A ，我
rr
=0.25A.
符号
民
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
4
-
马克斯。
1.1
10.0
50
-
1.8
单位
V
μA
pF
s
www.galaxycn.com
V
F
I
R
C
j
t
rr
文档编号0280059
BL
银河电子
2.
S07B ， S07D ， S07G ， S07J ， S07M
威世半导体
小信号开关二极管，高压
特点
对于表面安装应用程序
低廓包
适合自动放置
玻璃钝化
高温焊接： 260 ℃/ 10秒
在终端
波和回流焊接
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
17249
机械数据
案例：
DO- 219AB （ SMF ）
极性：
频带端为负极
重量：
约。 15毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴GS18 / 10K （8毫米磁带）
每7"卷轴GS08 / 3K （8毫米磁带）
零件表
部分
S07B
S07D
S07G
S07J
S07M
订购代码
S07B - GS18或S07B - GS08
S07D - GS18或S07D - GS08
S07G - GS18或S07G - GS08
S07J - GS18或S07J - GS08
S07M - GS18或S07M - GS08
记号
SB
SD
SG
SJ
SM
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
文档编号85733
2.0版本， 20 - 8 - 10
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
S07B ， S07D ， S07G ， S07J ， S07M
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
测试条件
部分
S07B
S07D
最大重复峰值反向电压
S07G
S07J
S07M
S07B
S07D
最大RMS电压
S07G
S07J
S07M
S07B
S07D
最大直流阻断电压
S07G
S07J
S07M
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3 ms单
正弦半波
注意：
1)
平均超过任何20 ms周期
T
tp
= 75 °C
1)
T
A
= 65 °C
1)
T
L
= 25 °C
符号
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
DC
V
DC
V
DC
V
DC
V
DC
I
F（ AV ）
I
F（ AV ）
I
FSM
价值
100
200
400
600
1000
70
140
280
420
700
100
200
400
600
1000
1.5
0.7
25
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境空气
1)
工作结存储
温度范围
测试条件
符号
R
thJA
T
J
, T
英镑
价值
180
- 55至+ 150
单位
K / W
°C
注意：
1)
安装在环氧树脂基板为3 mm ×3mm的CU垫（ ≥厚40mm ）
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
最大瞬时
正向电压
最大DC反向电流在
额定阻断电压DC
反向恢复时间
在4 V， MHz的典型电容
注意：
1)
脉冲试验： 300 μ脉冲宽度， 1 ％的占空比
测试条件
1 A
1)
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1 A，I
rr
= 0.25 A
符号
V
F
I
R
I
R
t
rr
C
j
4
分钟。
典型值。
马克斯。
1.1
10
50
1.8
单位
V
μA
μA
μs
pF
www.vishay.com
2
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2.0版本， 20 - 8 - 10
S07B ， S07D ， S07G ， S07J ， S07M
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1.2
负载电阻或电感
100
瞬时反向电流（ μA ）
平均正向电流（ A）
1.0
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
1
T
J
= 75 °C
T
J
= 50 °C
0.8
0.6
0.4
0.1
0.2
0
3.0毫米X 3.0毫米40
m
厚的铜焊盘区
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T
J
= 25 °C
0.01
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
17375
环境温度（ ℃）
17377
瞬时反向
电压
(V)
图1.正向电流降额曲线
图3.典型的瞬时反向特性
1000
10
9
8
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
7
正向电流（mA ）
C（ pF）的
T
J
= 100 °C
100
600
6
5
4
3
2
1
700
800
900
1000
1100
17378
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
17376
正向
电压
（毫伏）
V
R
(V)
图2.典型的正向特性
图4.电容与反向电压
文档编号85733
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3
S07B ， S07D ， S07G ， S07J ， S07M
威世半导体
包装尺寸
以毫米（英寸）：
DO- 219AB （ SMF ）
0.85 (0.033)
0.35 (0.014)
0.25 (0.010)
0.05 (0.002)
0.1 (0.004)
5
1.9 (0.075)
1.7 (0.067)
1.2 (0.047)
0.8 (0.031)
0 (0.000)
详细
扩大
1.08 (0.043)
2.9 (0.114)
2.7 (0.106)
3.9 (0.154)
3.5 (0.138)
0.88 (0.035)
足迹推荐：
1.3 (0.051)
1.3 (0.051)
创建 - 日期：2005年15月
第3版 - 日期：2007年3月13日
文件编号： S8 -V - 3915.01-001 （ 4 ）
17247
1.4 (0.055)
2.9 (0.114)
www.vishay.com
4
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：文档编号85733
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
2.0版本， 20 - 8 - 10
5
S07B ， S07D ， S07G ， S07J ， S07M
威世半导体
Blistertape尺寸为SMF
以毫米为单位
PS
文档编号： S8 -V - 3717.02-001 （ 3 ）
18513
文档编号85733
2.0版本， 20 - 8 - 10
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5
S07B / 07D / 07G / 07J / 07M
威世半导体
小信号的快速开关二极管，高压
特点
对于表面安装应用程序
低廓包
e3
适合自动放置
玻璃钝化
高温焊接：
260℃ / 10秒码头
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
17249
机械数据
案例：
JEDEC DO- 219AB （ SMF
）塑料外壳
极性：
频带端为负极
重量：
约。 15毫克
包装代码选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 50 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 30 K /盒GS08 / 3
零件表
部分
S07B
S07D
S07G
S07J
S07M
订购代码
S07B - GS18或S07B - GS08
S07D - GS18或S07D - GS08
S07G - GS18或S07G - GS08
S07J - GS18或S07J - GS08
S07M - GS18或S07M - GS08
SB
SD
SG
SJ
SM
记号
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
文档编号85733
修订版1.8 ， 13 -APR- 05
www.vishay.com
1
S07B / 07D / 07G / 07J / 07M
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
最大重复峰值反向电压
测试条件
部分
S07B
S07D
S07G
S07J
S07M
最大RMS电压
S07B
S07D
S07G
S07J
S07M
最大直流阻断电压
S07B
S07D
S07G
S07J
S07M
最大正向平均整流电流T = 75℃
1)
tp
T
A
= 65 °C
1)
峰值正向浪涌电流8.3 ms单
正弦半波
1)
符号
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
DC
V
DC
V
DC
V
DC
V
DC
I
F（ AV ）
I
F（ AV ）
I
FSM
价值
100
200
400
600
1000
70
140
280
420
700
100
200
400
600
1000
1.5
0.7
25
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
T
L
= 25 °C
平均超过任何20 ms周期
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境空气
2)
测试条件
符号
R
thJA
T
J
, T
英镑
价值
180
- 55至+ 150
单位
K / W
°C
工作结存储
温度范围
2)
安装在与3 ×3mm的CU垫环氧基板（ ≥ 40
m
厚）
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
最大瞬时
正向电压
1.0
A
3)
测试条件
符号
V
F
I
R
I
R
t
rr
C
j
4
民
典型值。
最大
1.1
10
50
1.8
单位
V
A
A
s
pF
最大DC反向电流在T
A
= 25 °C
额定阻断电压DC
T
A
= 125 °C
反向恢复时间
在4 V， MHz的典型电容
3)
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
rr
= 0.25 A
脉冲测试： 300
脉冲宽度， 1 ％的占空比
www.vishay.com
2
文档编号85733
修订版1.8 ， 13 -APR- 05
S07B / 07D / 07G / 07J / 07M
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
1.2
负载电阻或电感
100
瞬时反向电流（ μA ）
平均正向电流（ A）
1.0
T
J
= 150°C
10
T
J
= 125°C
T
J
= 100°C
1
T
J
= 75°C
T
J
= 50°C
0.8
0.6
0.4
0.1
0.2
0
3.0× 40 3.0毫米
m
厚的铜焊盘区
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T
J
= 25°C
0.01
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
17375
环境温度（
j
C)
17377
瞬时反向电压（ V）
图1.正向电流降额曲线
图3.典型的瞬时反向特性
1000
10
9
8
7
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
正向电流（mA ）
C（ pF）的
T
J
= 100°C
100
600
6
5
4
3
2
1
0
700
800
900
1000
1100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
17376
正向电压（MV ）
17378
V
R
(V)
图2.典型的正向特性
图4.电容与反向电压
文档编号85733
修订版1.8 ， 13 -APR- 05
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3
S07B / 07D / 07G / 07J / 07M
威世半导体
单位：mm包装尺寸（英寸）
0.85 (0.033)
0.35 (0.014)
3.9 (0.152)
3.5 (0.137)
5
0.99 (0.039)
0.97 (0.038)
0.16 (0.006)
5
Z
详细信息
Z
扩大
阴极带
顶视图
1.9 (0.074)
1.7 (0.066)
0.10最大
1.2 (0.047)
0.8 (0.031)
2.9 (0.113)
2.7 (0.105)
ISO方法E
贴装焊盘布局
1.6 (0.062)
1.3 (0.051)
1.4 (0.055)
17247
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文档编号85733
修订版1.8 ， 13 -APR- 05
S07B / 07D / 07G / 07J / 07M
威世半导体
Blistertape的SMF
PS
18513
文档编号85733
修订版1.8 ， 13 -APR- 05
www.vishay.com
5
S07B / 07D / 07G / 07J / 07M
威世半导体
小信号的快速开关二极管，高压
特点
对于表面安装应用程序
低廓包
e3
适合自动放置
玻璃钝化
高温焊接：
260℃ / 10秒码头
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
17249
机械数据
案例：
JEDEC DO- 219AB （ SMF
）塑料外壳
极性：
频带端为负极
重量：
约。 15毫克
包装代码选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 50 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 30 K /盒GS08 / 3
零件表
部分
S07B
S07D
S07G
S07J
S07M
订购代码
S07B - GS18或S07B - GS08
S07D - GS18或S07D - GS08
S07G - GS18或S07G - GS08
S07J - GS18或S07J - GS08
S07M - GS18或S07M - GS08
SB
SD
SG
SJ
SM
记号
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
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修订版1.8 ， 13 -APR- 05
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S07B / 07D / 07G / 07J / 07M
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
最大重复峰值反向电压
测试条件
部分
S07B
S07D
S07G
S07J
S07M
最大RMS电压
S07B
S07D
S07G
S07J
S07M
最大直流阻断电压
S07B
S07D
S07G
S07J
S07M
最大正向平均整流电流T = 75℃
1)
tp
T
A
= 65 °C
1)
峰值正向浪涌电流8.3 ms单
正弦半波
1)
符号
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
DC
V
DC
V
DC
V
DC
V
DC
I
F（ AV ）
I
F（ AV ）
I
FSM
价值
100
200
400
600
1000
70
140
280
420
700
100
200
400
600
1000
1.5
0.7
25
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
T
L
= 25 °C
平均超过任何20 ms周期
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境空气
2)
测试条件
符号
R
thJA
T
J
, T
英镑
价值
180
- 55至+ 150
单位
K / W
°C
工作结存储
温度范围
2)
安装在与3 ×3mm的CU垫环氧基板（ ≥ 40
m
厚）
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
最大瞬时
正向电压
1.0
A
3)
测试条件
符号
V
F
I
R
I
R
t
rr
C
j
4
民
典型值。
最大
1.1
10
50
1.8
单位
V
A
A
s
pF
最大DC反向电流在T
A
= 25 °C
额定阻断电压DC
T
A
= 125 °C
反向恢复时间
在4 V， MHz的典型电容
3)
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
rr
= 0.25 A
脉冲测试： 300
脉冲宽度， 1 ％的占空比
www.vishay.com
2
文档编号85733
修订版1.8 ， 13 -APR- 05
S07B / 07D / 07G / 07J / 07M
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
1.2
负载电阻或电感
100
瞬时反向电流（ μA ）
平均正向电流（ A）
1.0
T
J
= 150°C
10
T
J
= 125°C
T
J
= 100°C
1
T
J
= 75°C
T
J
= 50°C
0.8
0.6
0.4
0.1
0.2
0
3.0× 40 3.0毫米
m
厚的铜焊盘区
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T
J
= 25°C
0.01
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
17375
环境温度（
j
C)
17377
瞬时反向电压（ V）
图1.正向电流降额曲线
图3.典型的瞬时反向特性
1000
10
9
8
7
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
正向电流（mA ）
C（ pF）的
T
J
= 100°C
100
600
6
5
4
3
2
1
0
700
800
900
1000
1100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
17376
正向电压（MV ）
17378
V
R
(V)
图2.典型的正向特性
图4.电容与反向电压
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S07B / 07D / 07G / 07J / 07M
威世半导体
单位：mm包装尺寸（英寸）
0.85 (0.033)
0.35 (0.014)
3.9 (0.152)
3.5 (0.137)
5
0.99 (0.039)
0.97 (0.038)
0.16 (0.006)
5
Z
详细信息
Z
扩大
阴极带
顶视图
1.9 (0.074)
1.7 (0.066)
0.10最大
1.2 (0.047)
0.8 (0.031)
2.9 (0.113)
2.7 (0.105)
ISO方法E
贴装焊盘布局
1.6 (0.062)
1.3 (0.051)
1.4 (0.055)
17247
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威世半导体
Blistertape的SMF
PS
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日前，Vishay
S07B / 07D / 07G / 07J / 07M
威世半导体
小型表面贴装二极管
特点
对于表面安装应用程序
低廓包
适合自动放置
玻璃钝化
17249
高温焊接：
260℃ / 10秒码头
包装代码选项：
GS18 - 每13"卷轴（8毫米磁带） ， 50 K /箱10 K.
GS08 - 每个7"卷轴（8毫米磁带） ， 30 K /盒3
机械数据
案例：
JEDEC -DO219 - AB （ SMF
）塑料外壳
极性：
频带端为负极
重量：
约。 0.01克
零件表
部分
S07B
S07D
S07G
S07J
S07M
SB
SD
SG
SJ
SM
记号
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
最大重复峰值反向电压
测试条件
部分
S07B
S07D
S07G
S07J
S07M
最大RMS电压
S07B
S07D
S07G
S07J
S07M
最大直流阻断电压
S07B
S07D
S07G
S07J
S07M
最大正向平均整流电流T = 75℃
1)
tp
T
A
= 65 °C
1)
峰值正向浪涌电流8.3 ms单
正弦半波
1)
符号
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
DC
V
DC
V
DC
V
DC
V
DC
I
F（ AV ）
I
F（ AV ）
I
FSM
价值
100
200
400
600
1000
70
140
280
420
700
100
200
400
600
1000
1.5
0.7
25
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
T
L
= 25 °C
平均超过任何20 ms周期
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S07B / 07D / 07G / 07J / 07M
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境空气
2)
日前，Vishay
测试条件
符号
R
θJA
T
J
, T
英镑
价值
180
- 55至+ 150
单位
K / W
°C
工作结存储
温度范围
2)
安装在与3 ×3mm的CU垫环氧基板（ ≥ 40
m
厚）
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
最大瞬时
正向电压
1.0 A
3)
测试条件
符号
V
F
I
R
I
R
t
rr
C
j
4
民
典型值。
最大
1.1
10
50
1.8
单位
V
A
A
s
pF
最大DC反向电流在T
A
= 25 °C
额定阻断电压DC
T
A
= 125 °C
反向恢复时间
在4 V， MHz的典型电容
3)
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
rr
= 0.25 A
脉冲测试： 300
脉冲宽度， 1 ％的占空比
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
1.2
负载电阻或电感
1.0
1000
0.8
正向电流（mA ）
平均正向电流（ A）
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
0.6
0.4
T
J
= 100°C
0.2
0
3.0× 40 3.0毫米
m
厚的铜焊盘区
0
20
40
60
80
100
120
140
160
17375
100
600
17376
700
800
900
1000
1100
环境温度（
j
C)
正向电压（MV ）
图。 1正向电流降额曲线
图。 2典型正向特性
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S07B / 07D / 07G / 07J / 07M
威世半导体
100
瞬时反向电流（ μA ）
T
J
= 150°C
10
T
J
= 125°C
T
J
= 100°C
1
T
J
= 75°C
T
J
= 50°C
0.1
T
J
= 25°C
0.01
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
17377
瞬时反向电压（ V）
图。 3典型的瞬时反向特性
10
9
8
7
C（ pF）的
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
17378
V
R
(V)
图。 4电容与反向电压
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S07B / 07D / 07G / 07J / 07M
威世半导体
包装尺寸（mm）
阴极带
牛逼运查看
日前，Vishay
1.8
±
0.1
1.0
±
0.2
5
0.98
±
0.1
2.8
±
0.1
0.05 - 0.30
5
详细信息
Z
扩大
Z
0.60
±
0.25
0.00 - 0.10
3.7
±
0.2
1.6
1.3
1.4
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Blistertape的SMF
S07B / 07D / 07G / 07J / 07M
威世半导体
PS
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S07B-S07M
表面贴装整流器
反向电压： 100 - 1000 V
电流： 0.7 A
特点
◇
◇
◇
◇
◇
玻璃钝化装置
适用于地表mouted应用
低漏电流
冶金结合建设
高温焊接：
250 ℃ / 10秒码头
1.9± 0.1
SOD-123FL
阴极带
顶视图
2.8
±
0.1
1.4± 0.15
0.10-0.30
0.6
±
0.25
3.7
±
0.2
机械数据
◇
◇
◇
◇
◇
案例： JEDEC SOD- 123FL ，在模压塑料
钝化芯片
码头：焊接镀，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：颜色频带端为负极
重量： 0.006盎司， 0.02克
安装位置：任意
单位：毫米
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，电阻或电感load.For容性负载，减免电流20 ％ 。
绝对额定值
器件标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均前页
整流电流
T
A
=65℃
（注1 ）
S07B
D2
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
100
70
100
S07D
D3
200
140
200
S07G
D4
400
280
400
0.7
S07J
D5
600
420
600
S07M
D7
1000
700
1000
1.0
±
0.2
单位
V
V
V
A
峰值正向浪涌电流8.3ms单
半正弦波叠加
在额定负荷
T
L
=25℃
（注2 ）
I
FSM
R
J- á
T
j
T
英镑
25
A
典型热阻
180
- 55 --- + 150
- 55 --- + 150
K / W
℃
℃
工作温度范围
存储温度范围
注： 1.Averaged在任何20毫秒的时间。
2.热阻结到环境， 6.0毫米
2
coppeer垫给每个终端。
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邮箱： lge@luguang.cn
S07B-S07M
表面贴装整流器
电气特性
参数
最大瞬时（注3 ）
在1.0A正向电压
反向电流最大DC @T
A
=25℃
在额定阻断电压DC @T
A
=125℃
典型结电容（注4 ）
最大反向恢复时间（注5 ）
注意： 3.Pulse测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比。
4.Measured得1.0MHz和应用的4.0V直流平均电压。
5.Measured与我
F
= 0.5A ，我
R
= 1A ，我
rr
=0.25A.
符号
民
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
4
-
马克斯。
1.1
10.0
50
-
1.8
单位
V
μA
pF
s
V
F
I
R
C
j
t
rr
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