【RZR025P01晶体管1.5V驱动P沟道MOSFETRZR025P01特点1）低导通电阻。2 ）内】,IC型号RZR025P01TL,RZR025P01TL PDF资料,RZR025P01TL经销商,ic,电子元器件-51电子网

RZR025P01

晶体管

1.5V驱动P沟道MOSFET

RZR025P01

特点

1）低导通电阻。

2 ）内置G -S保护二极管。

3 ）小和表面贴装封装（ TSMT3 ）。

4 ）低电压驱动（ 1.5V ）。

尺寸

（单位：毫米）

TSMT3

1.0MAX

2.9

0.4

(3)

1.6

2.8

0.85

0.7

0~0.1

0.3~0.6

(1)

(2)

应用

开关

（ 1 ）门

（ 2 ）资料来源

（ 3 ）排水

0.95 0.95

1.9

0.16

每根导线具有相同的尺寸

缩写符号： YC

结构

硅P沟道MOSFET

包装规格

包

TYPE

RZR025P01

CODE

基本订购单位（件）

TAPING

3000

等效电路

(3)

(1)

(2)

ESD保护二极管

体二极管

（ 1 ）门

（ 2 ）资料来源

（ 3 ）排水

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

源出电流

（体二极管）

连续

脉冲

连续

脉冲

符号

DSS

GSS

总胆固醇

TSTG

范围

±10

±2.5

±10

0.8

1.0

150

+150

单位

°C

总功耗

通道温度

储存温度范围

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

安装在陶瓷基板

热阻

参数

渠道环境

当安装在陶瓷板上。

符号

RTH （ CH -A ）

范围

125

单位

°C

/ W

1/5

RZR025P01

晶体管

电气特性

(Ta=25°C)

参数

符号

分钟。

典型值。

110

1350

130

125

130

2.5

2.0

马克斯。

±10

1.0

121

220

栅源漏

GSS

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

DSS

零栅极电压漏极电流

栅极阈值电压

GS （ TH）

0.3

静态漏源导通状态

DS （ ON）

阻力

3.5

正向转移导纳

国际空间站

输入电容

OSS

输出电容

RSS

反向传输电容

D（上）

导通延迟时间

上升时间

D（关闭）

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

*脉冲

单位

条件

=±10V, V

=0V

1mA,

=0V

12V,

=0V

6V,

1mA

2.5A,

4.5V

1.2A,

2.5V

1.2A,

1.8V

0.5A,

1.5V

6V,

2.5A

=0V

f=1MHz

1.2A

4.5V

=10

6V,

2.5A

4.5V

2.4, R

=10

体二极管的特性（源极 - 漏极）

(Ta=25°C)

参数

正向电压

脉冲

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

1.2

单位

条件

2.5A,

=0V

2/5

RZR025P01

晶体管

电气特性曲线

Ta=25℃

脉冲

= -10V

= -4.5V

= -4.0V

= -2.5V

= -2.0V

= -1.6V

漏电流： -I

[A]

Ta=25℃

脉冲

= -6V

脉冲

漏极电流-I

[A]

漏极电流-I

[A]

= -10V

= -4.5V

= -2.5V

= -1.8V

TA = 125℃

TA = 75 ℃

TA = 25 ℃

TA = - 25 ℃

= -1.5V

0.1

= -1.2V

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0.01

0.0

0.5

1.0

1.5

漏源电压-V

[V]

图1典型的输出特性（ Ⅰ ）

漏源电压-V

[V]

图2典型的输出特性（ Ⅱ ）

栅源电压： -V

[V]

图3典型的传输特性

1000

静态漏源导通状态

电阻值：R

（上） [毫欧]

Ta=25℃

脉冲

1000

静态漏源导通状态

电阻值：R

（上） [毫欧]

= -4.5V

脉冲

1000

静态漏源导通状态

电阻值：R

（上） [毫欧]

= -2.5V

脉冲

100

Ta=125℃

Ta=75℃

Ta=25℃

TA = -25 ℃

= -1.5V

= -1.8V

= -2.5V

= -4.5V

Ta=125℃

Ta=75℃

Ta=25℃

TA = -25 ℃

0.1

漏电流： -I

[A]

图4静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ Ⅰ ）

0.1

漏电流： -I

[A]

图5静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ Ⅰ ）

0.1

漏电流： -I

[A]

图6静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ Ⅰ ）

静态漏源导通状态

电阻值：R

（上） [毫欧]

静态漏源导通状态

电阻值：R

（上） [毫欧]

= -1.8V

脉冲

= -1.5V

脉冲

反向漏电流： -Is [ A]

1000

=0V

脉冲

100

Ta=125℃

Ta=75℃

Ta=25℃

Ta=-25℃

0.1

Ta=125℃

Ta=75℃

Ta=25℃

TA = -25 ℃

Ta=125℃

Ta=75℃

Ta=25℃

TA = -25 ℃

0.1

漏电流： -I

[A]

0.1

漏电流： -I

[A]

0.01

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

源极 - 漏极电压： -V

[V]

图9反向漏电流

与水稻源极 - 漏极电压

图7静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ Ⅰ ）

图8静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ Ⅰ ）

3/5

RZR025P01

晶体管

栅源电压： -V

[V]

200

Ta=25℃

脉冲

100

Ta=25℃

= -6V

= -2.5A

=10

脉冲

静态漏源导通状态

电阻值：R

（上） [毫欧]

= -6V

脉冲

正向传递

导纳： | YFS | [S ]

150

= -2.5A

100

= -1.2A

TA = -25 ℃

Ta=25℃

Ta=75℃

Ta=125℃

栅源电压： -V

[V]

图10静态漏源导通状态

电阻与栅源电压

0.1

漏电流： -I

[A]

1.0

10.0

总栅极电荷：的Qg [ NC ]

图12动态输入特性

图11正向转移导纳

与漏电流

10000

电容： C [ pF的]

1000

TD （关闭）

切换时间： T [ NS ]

1000

西塞

CRSS

100

科斯

Ta=25℃

f=1MHz

=0V

TD （上）

0.01

0.1

0.01

0.1

漏电流： -I

[A]

Ta=25℃

= -6V

=-4.5V

=10

脉冲

100

漏源电压： -V

[V]

图13典型电容

与漏源电压

图14开关特性

4/5

RZR025P01

晶体管

测量电路

脉冲宽度

D.U.T.

10%

50%

10%

50%

90%

10%

90%

D（关闭）

关闭

90%

D（上）

图15开关时间测试电路

图16开关时间波形

G（常量）。

D.U.T.

收费

图17栅极电荷测试电路

图18栅极电荷波形

通告

本产品可能会造成较大的电气化环境下，芯片的老化和损坏。

请考虑设计的ESD保护电路。

5/5

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