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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第54页 > RZF030P01
1.5V驱动P沟道MOSFET
RZF030P01
结构
硅P沟道
MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
TUMT3
特点
1）低导通电阻。
2 ）高功率封装。
3 ）低电压驱动。 （ 1.5V ）
（ 1 ）门
（ 2 ）资料来源
（ 3 ）排水
缩写符号： YD
应用
开关
包装规格
包
TYPE
RZF030P01
CODE
基本订购单位（件）
TAPING
TL
3000
等效电路
(3)
(1)
1
2
(2)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
（ 1 ）门
（ 2 ）资料来源
（ 3 ）排水
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
I
S
1
I
SP
P
D
2
总胆固醇
TSTG
范围
12
±10
±3
±12
0.65
12
0.8
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
总功耗
通道温度
储存温度范围
1
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
2
安装在陶瓷基板
热阻
参数
渠道环境
安装在陶瓷板上。
符号
RTH （ CH -A ）
范围
156
单位
°C
/ W
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2009年ROHM有限公司保留所有权利。
0.2Max.
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2009.01 - Rev.A的
RZF030P01
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
I
GSS
栅源漏
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源
收费
栅极 - 漏极
收费
*脉冲
数据表
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
分钟。
12
0.3
5
典型值。
28
39
51
72
1860
210
200
9
40
210
120
18
3.0
2.5
马克斯。
±10
1
1.0
39
54
76
144
单位
A
V
A
V
m
m
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=±10V, V
DS
=0V
I
D
=
1mA,
V
GS
=0V
V
DS
=
12V,
V
GS
=0V
V
DS
=
6V,
I
D
=
1mA
I
D
=
3A,
V
GS
=
4.5V
I
D
=
1.5A,
V
GS
=
2.5V
I
D
=
1.5A,
V
GS
=
1.8V
I
D
=
0.6A,
V
GS
=
1.5V
V
DS
=
6V,
I
D
=
3A
V
DS
=
6V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
=
1.5A
V
DD
6
V
V
GS
=
4.5V
R
L
4
R
G
=10
V
DD
6V
R
L
2
I
D
=
3A
R
G
=10
V
GS
=
4.5V
体二极管的特性
（图片来源 - 漏） （ TA = 25 ℃）
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
S
=
3A,
V
GS
=0V
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2009.01 - Rev.A的
RZF030P01
电气特性曲线
10
漏电流： -I
D
[A]
漏电流： - 我
D
[A]
V
GS
= - 10V
V
GS
= - 4.5V
V
GS
= - 1.8V
5
V
GS
= - 1.4V
V
GS
= - 1.2V
V
GS
= - 1.0V
0
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
Ta=25℃
脉冲
V
GS
= - 1.6V
10
V
GS
= - 10V
漏电流： -I
D
[A]
V
GS
= - 4.5V
V
GS
= - 2.4V
Ta=25℃
脉冲
V
GS
= - 1.8V
V
GS
= - 1.6V
5
V
GS
= - 1.4V
V
GS
= - 1.2V
V
GS
= -1.0V
1.0
10
V
DS
= - 6V
脉冲
数据表
1
Ta=125℃
Ta=75℃
0.1 TA = 25 ℃
Ta=-25℃
0.01
0.001
0.0
0.5
1.0
1.5
漏源电压： -V
DS
[V]
图1典型的输出特性（ Ⅰ ）
漏源电压： -V
DS
[V]
图2典型的输出特性（ Ⅱ ）
栅源电压： - V
GS
[V]
图3典型的传输特性
1000
静态漏源导通
状态
电阻值：R
DS
（上） [毫欧]
静态漏源导通
状态
电阻值：R
DS
（上） [毫欧]
Ta=25℃
脉冲
V
GS
= - 1.5V
V
GS
= - 1.8V
V
GS
= - 2.5V
V
GS
= - 4.5V
250
200
150
100
50
0
I
D
= - 1.5A
I
D
= - 3.0A
静态漏源导通
状态
电阻值：R
DS
（上） [毫欧]
Ta=25℃
脉冲
1000
V
GS
= - 4.5V
脉冲
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
100
100
10
0.01
0.1
1
漏电流： - 我
D
[A]
10
0
2
4
6
8
10
10
0.01
栅极 - 源极电流： -V
GS
[V]
0.1
1
漏电流： - 我
D
[A]
10
图4静态漏源导通状态
性vs.Drain当前
　
图5静态漏源导通状态
性vs.Gate源电压
图6静态漏源导通状态
性vs.Drain当前
1000
静态漏源导通
状态
电阻值：R
DS
（上） [毫欧]
静态漏源导通
状态
电阻值：R
DS
（上） [毫欧]
100
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
静态漏源导通
状态
电阻值：R
DS
（上） [毫欧]
V
GS
= - 2.5V
脉冲
1000
V
GS
= - 1.8V
脉冲
1000
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
V
GS
= - 1.5V
脉冲
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
100
100
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
漏电流： - 我
D
[A]
图7静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
漏电流： - 我
D
[A]
图8静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
漏电流： - 我
D
[A]
图9静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
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2009.01 - Rev.A的
RZF030P01
10
源电流： - 是[ A]
100
V
GS
=0V
脉冲
正向传递
导纳：
YFS [S]
10
V
DS
= - 6V
脉冲
CAPASITANCE ： C [ pF的]
10000
数据表
西塞
1000
1
科斯
0.1
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
1
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
100
Ta=25℃
f=1MHz
V
GS
=0V
0.01
0.1
CRSS
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
0.1
0.01
10
0.1
1
10
1
10
100
源漏极电压： - V
SD
[V]
图10源电流和
源 - 漏电压
漏电流： - 我
D
[A]
图11正向转移导纳
与漏电流
漏源电压： -V
DS
[V]
图12典型电容
与漏源电压
栅源电压： -V
GS
[V]
10000
切换时间： T [ NS ]
1000
tf
TD （关闭）
Ta=25℃
V
DD
=-6V
V
GS
= - 4.5V
R
G
=10
脉冲
4
3
Ta=25℃
V
DD
= - 6V
I
D
= - 3A
R
G
=10
脉冲
100
TD （上）
10
tr
1
0.01
0.1
1
10
漏电流： -I
D
[A]
图13开关特性
2
1
0
0
5
10
15
20
总栅极电荷：的Qg [ NC ]
图14动态输入特性
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RZF030P01
测量电路
数据表
脉冲宽度
V
GS
I
D
R
L
D.U.T.
V
DS
V
GS
10%
50%
10%
90%
50%
10%
90%
R
G
V
DD
V
DS
t
D（上）
t
on
90%
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
tf
图1-1开关时间测量电路
图1-2的开关波形
V
G
I
D
V
GS
R
L
I
G（常量）。
R
G
D.U.T.
V
DD
V
DS
V
GS
Q
gs
Q
g
Q
gd
收费
图2-1栅极电荷测量电路
图2-2栅极电荷波形
通告
本产品可能会造成较大的电气化环境下，芯片的老化和损坏。请考虑ESD设计
保护电路。
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R5F61663MN50BGV
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RN5RZ51HA-TR
RP34-8R-4SCB
RCV288DPL
RT8008-12PB
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