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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第272页 > RYB002N05
0.9V驱动N沟道MOSFET
RYB002N05
结构
硅N沟道MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
VMN3
0.1
0.22
(3)
0.16
■特点
1 ）高速switing 。
2 ）小型封装（ VMN3 ） 。
3 ）超低电压驱动（ 0.9V驱动器） 。
0.1
1.0
0.8
(1)
(2)
0.17
0.35
0.6
0.37
缩写符号： QJ
应用
开关
包装规格
包
TYPE
CODE
基本订购单位（件）
RYB002N05
TAPING
T2L
8000
内部电路
(3)
1
2
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
功耗
通道温度
储存温度范围
* 1 Pw10s ，职务cycle1 ％
* 2每个终端安装在一个推荐的土地。
符号
V
DSS
V
GSS
范围
50
8
200
*1
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
C
C
(1)
(2)
1
体二极管
2
ESD保护二极管
（ 1 ）门
（ 2 ）资料来源
（ 3 ）排水
连续
脉冲
连续
脉冲
I
D
I
DP
I
S
I
SP
P
D
总胆固醇
TSTG
800
125
800
150
150
55
+150
*1
*2
热阻
参数
渠道环境
*每个终端安装在推荐地。
符号
RTH
（ CH -A ）
*
范围
833
单位
C
/ W
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2010.08 - Rev.A的
RYB002N05
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
栅源漏
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
符号
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
分钟。
-
50
-
0.3
-
静态漏源导通状态
阻力
-
R
DS （ ON）
*
-
-
-
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
*脉冲
　
典型值。
-
-
-
-
1.6
1.7
2.0
2.2
3.0
-
26
6
3
5
8
17
43
马克斯。
10
-
1
0.8
2.2
2.4
2.8
3.3
9.0
-
-
-
-
-
-
-
-
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
单位
A
V
A
V
条件
V
GS
=8V, V
DS
=0V
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
V
DS
=50V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ，我
D
=1mA
I
D
=的200mA， V
GS
=4.5V
I
D
=的200mA， V
GS
=2.5V
I
D
=的200mA， V
GS
=1.5V
I
D
= 100mA时V
GS
=1.2V
I
D
= 10毫安，V
GS
=0.9V
I
D
=的200mA， V
DS
=10V
V
DS
=10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
= 100mA时V
DD
25V
V
GS
=4.5V
R
L
=250
R
G
=10
数据表
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
升
fs
l*
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
*
t
r
*
t
D（关闭）
*
t
f
*
0.2
-
-
-
-
-
-
-
Body
二极管的特性
（源极 - 漏极时）（Ta = 25C ）
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
*
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
s
=的200mA， V
GS
=0V
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2010.08 - Rev.A的
RYB002N05
电气特性曲线
　
数据表
0.2
漏电流：我
D
[A]
漏电流：我
D
[A]
0.2
漏电流：我
D
[A]
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 1.5V
V
GS
= 1.2V
1
V
DS
= 10V
脉冲
T
a
= 125°C
T
a
= 75°C
T
a
= 25°C
T
a
= 25°C
0.1
V
GS
= 0.9V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 1.5V
V
GS
= 1.2V
0.1
V
GS
= 0.9V
0.1
V
GS
= 0.8V
V
GS
= 0.8V
T
a
=25°C
脉冲
V
GS
= 0.7V
T
a
=25°C
脉冲
0.01
V
GS
= 0.7V
0
0.001
0
2
4
6
8
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
漏源电压： V
DS
[V]
图1典型的输出特性（
Ⅰ)
漏源电压： V
DS
[V]
图2典型的输出特性（
Ⅱ)
栅源电压： V
GS
[V]
图3典型的传输特性
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
(
on
)[m]
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
(
on
)[m]
T
a
= 25°C
脉冲
V
GS
= 4.5V
脉冲
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
(
on
)[m]
10000
10000
10000
V
GS
= 2.5V
脉冲
1000
V
GS
= 0.9V
V
GS
= 1.2V
V
GS
= 1.5V
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 4.5V
0.01
0.1
1
1000
T
a
= 125°C
T
a
= 75°C
T
a
= 25°C
T
a
= 25°C
100
0.001
0.01
0.1
1
1000
T
a
= 125°C
T
a
= 75°C
T
a
= 25°C
T
a
= 25°C
100
0.001
100
0.001
0.01
0.1
1
10
漏电流：I
D
[A]
图4静态漏源导通状态
电阻与漏电流（
Ⅰ)
漏电流：I
D
[A]
图5静态漏源导通状态
电阻与漏电流（
Ⅱ)
漏电流：I
D
[A]
图6静态漏源导通状态
电阻与漏电流（
Ⅲ)
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
(
on
)[m]
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
(
on
)[m]
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
(
on
)[m]
10000
V
GS
= 1.5V
脉冲
10000
V
GS
= 1.2V
脉冲
10000
V
GS
= 0.9V
脉冲
1000
T
a
= 125°C
T
a
= 75°C
T
a
= 25°C
T
a
= 25°C
1000
T
a
= 125°C
T
a
= 75°C
T
a
= 25°C
T
a
= 25°C
1000
T
a
= 125°C
T
a
= 75°C
T
a
= 25°C
T
a
= 25°C
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
漏电流：I
D
[A]
图7静态漏源导通状态
电阻与漏电流（
Ⅳ)
漏电流：I
D
[A]
图8静态漏源导通状态
电阻与漏电流（
Ⅴ)
漏电流：I
D
[A]
图9静态漏源导通状态
电阻与漏电流（
Ⅵ)
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RYB002N05
　
数据表
正向转移导纳： | YFS | [S ]
源电流：我
s
[A]
V
DS
= 10V
脉冲
V
GS
=0V
脉冲
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
(
ON
)[m]
10
1
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
2
4
6
8
I
D
= 0.01A
I
D
= 0.20A
T
a
=25°C
脉冲
1
T
a
=25°C
T
a
=25°C
T
a
=75°C
T
a
=125°C
0.1
0.01
0.1
漏电流：I
D
[A]
图10正向转移导纳
与漏电流
1
0.1
T
a
= 125°C
T
a
= 75°C
T
a
= 25°C
T
a
= 25°C
0.01
0
0.5
1
1.5
源极 - 漏极电压： V
SD
[V]
图11反向漏电流
与水稻源极 - 漏极电压
栅源电压： V
GS
[V]
图12静态漏源导通状态
电阻与栅源电压
切换时间： T [ NS ]
t
f
100
电容： C [ pF的]
t
D（关闭）
T
a
=25°C
V
DD
=25V
V
GS
=4.5V
R
G
=10
脉冲
栅源电压： V
GS
[V]
1000
1000
4
T
a
=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
100
C
国际空间站
3
2
10
1
t
D（上）
1
0.01
t
r
0.1
1
0
0
0.5
1
T
a
=25°C
V
DD
=25V
I
D
= 0.2A
R
G
=10
脉冲
1.5
10
C
RSS
C
OSS
1
0.01
0.1
1
10
100
漏电流：I
D
[A]
图13开关特性
总栅极电荷：的Qg [ NC ]
图14典型电容
与漏源电压
漏源电压： V
DS
[V]
图15典型电容
与漏源电压
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RYB002N05
测量电路
　
数据表
脉冲宽度
V
GS
I
D
R
L
D.U.T.
V
DS
V
GS
V
DS
50%
10%
10%
90%
50%
10%
90%
R
G
V
DD
t
D（上）
t
on
90%
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
图1-1开关时间测量电路
图1-2的开关波形
通告
本产品可能会造成较大的电气化环境下，芯片的老化和损坏。请考虑设计
ESD保护电路。
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推荐型号
RI-1215SP
R200A
RN1B23D50
ROSM-1542-C3310-R
ROM-0524S
ROV10-821K
RC15S08
RH5RL32A
RN5RZ60B
RS-1205DH2
R9109/H/S
RKZ-1509DP
R7012804
R333J
RSF2B-101-GBW
REC2.2-0505DRWH3BM
RL-0915SP
REC20-2415SRWBH
R68561AP
RKJXM1015001
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    RYB002N05
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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10005
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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