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1.5V驱动P沟道MOSFET
RW1A013ZP
结构
硅P沟道MOSFET
尺寸
(单位:毫米)
WEMT6
(6)
(5)
(4)
特点
1)低导通电阻。
2 )高功率封装。
3 )低电压驱动。 ( 1.5V )
(1)
(2)
(3)
缩写符号: XC
应用
开关
内部电路
(6)
(5)
(4)
2
包装规格
TYPE
CODE
基本订购单位(件)
RW1A013ZP
TAPING
T2R
8000
(1)
(2)
(3)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
( 1 )排水
( 2 )排水
( 3 )门
( 4 )资料来源
( 5 )排水管
( 6 )排水
1
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
(体二极管)
总功耗
通道温度
储存温度范围
1
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
2
当安装在陶瓷基板
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
I
S
I
SP
P
D
总胆固醇
TSTG
1
1
2
范围
12
±10
±1.3
±2.6
0.5
2.6
0.7
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
热阻
参数
渠道环境
当安装在陶瓷基板
符号
RTH ( CH -A )
范围
179
单位
°C
/ W
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2009.06 - Rev.A的
RW1A013ZP
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
分钟。
典型值。
190
280
400
530
290
28
21
8
10
30
9
2.4
0.6
0.4
马克斯。
±10
1
1.0
260
390
600
1060
I
GSS
栅源漏
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
12
零栅极电压漏极电流
I
DSS
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
0.3
静态漏源导通状态
R
DS ( ON)
阻力
正向转移导纳
Y
fs
1.4
输入电容
C
国际空间站
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
导通延迟时间
t
D(上)
上升时间
t
r
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
下降时间
t
f
总栅极电荷
Q
g
栅极 - 源电荷
Q
gs
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
*脉冲
数据表
单位
A
V
A
V
m
m
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=±10V, V
DS
=0V
I
D
=
1mA,
V
GS
=0V
V
DS
=
12V,
V
GS
=0V
V
DS
=
6V,
I
D
=
1mA
I
D
=
1.3A,
V
GS
=
4.5V
I
D
=
0.6A,
V
GS
=
2.5V
I
D
=
0.6A,
V
GS
=
1.8V
I
D
=
0.2A,
V
GS
=
1.5V
V
DS
=
6V,
I
D
=
1.3A
V
DS
=
6V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
DD
6
V
I
D
=
0.6A
V
GS
=
4.5V
R
L
10
R
G
=10
R
L
4.6
V
DD
6V
I
D
=
1.3A
R
G
=10
V
GS
=
4.5V
体二极管的特性
(源极 - 漏极) ( TA = 25 ° C)
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
S
=
1.3A,
V
GS
=0V
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2009.06 - Rev.A的
RW1A013ZP
电气特性
2
漏电流: -I
D
[A]
Ta=25°C
脉冲
2
V
GS
= -10V
V
GS
= -4.5V
V
GS
= -2.5V
V
GS
= -1.8V
1
V
GS
= -1.5V
0.5
V
GS
= -1.2V
V
GS
= -1.0V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0
2
4
6
8
10
0.001
0
0.5
1
1.5
2
V
GS
= -4.5V
V
GS
= -2.5V
V
GS
= -1.8V
Ta=25°C
脉冲
漏电流: -I
D
[A]
10
V
DS
= -6V
脉冲
数据表
漏电流: -I
D
[A]
1.5
1.5
1
TA = 125℃
TA = 75℃
TA = 25℃
TA = - 25℃
1
V
GS
= -1.5V
0.1
0.5
V
GS
= -1.2V
0.01
漏源电压: -V
DS
[V]
图1典型的输出特性(
)
漏源电压: -V
DS
[V]
图2典型的输出特性(
)
栅源电压: -V
GS
[V]
图3典型的传输特性
10000
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(开) [米
]
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(开) [米
]
1000
1000
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(开) [米
]
Ta=25°C
脉冲
10000
V
GS
= -4.5V
脉冲
10000
V
GS
= -2.5V
脉冲
1000
100
V
GS
= -1.5V
V
GS
= -1.8V
V
GS
= -2.5V
V
GS
= -4.5V
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA = -25C
0.1
1
10
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA = -25C
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
10
0.01
漏电流: -I
D
[A]
图4静态漏源导通状态
电阻与漏电流(
)
漏电流: -I
D
[A]
图5静态漏源导通状态
电阻与漏电流(
)
漏电流: -I
D
[A]
图6静态漏源导通状态
电阻与漏电流(
)
1000
1000
正向转移导纳: | YFS | [S ]
10000
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(开) [米
]
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(开) [米
]
V
GS
= -1.8V
脉冲
10000
V
GS
= -1.5V
脉冲
10
V
DS
= -6V
脉冲
1
TA = -25C
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta=125°C
0.1
0.01
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA = -25C
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA = -25C
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
漏电流: -I
D
[A]
图7静态漏源导通状态
电阻与漏电流(
)
漏电流: -I
D
[A]
图8静态漏源导通状态
电阻与漏电流(
)
漏电流: -I
D
[A]
图9正向转移导纳
与漏电流
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RW1A013ZP
10
反向漏电流: -Is [ A]
600
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(开) [米
]
V
GS
=0V
脉冲
500
400
300
200
100
0
0
0.5
1
1.5
0
2
4
6
8
10
I
D
= -0.6A
I
D
= -1.3A
Ta=25°C
脉冲
切换时间: T [ NS ]
1000
t
f
100
t
d
(关闭)
数据表
1
Ta=25°C
V
DD
= -6V
V
GS
= -4.5V
R
G
=10
脉冲
0.1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=-25°C
10
t
r
1
0.01
0.1
t
d
(上)
0.01
1
10
源极 - 漏极电压: -V
SD
[V]
图10反向漏电流
与水稻源极 - 漏极电压
栅源电压: -V
GS
[V]
图11静态漏源导通状态
电阻与栅源电压
漏电流: -I
D
[A]
图12开关特性
5
栅源电压: -V
GS
[V]
1000
电容: C [ pF的]
4
100
西塞
3
2
1
Ta=25°C
V
DD
= -6V
I
D
= -1.3A
R
G
=10
脉冲
10
科斯
CRSS
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
1
0.01
0.1
1
10
100
漏源电压: -V
DS
[V]
图14典型电容
与漏源电压
总栅极电荷:的Qg [ NC ]
图13动态输入特性
测量电路
脉冲宽度
I
D
V
GS
R
L
D.U.T.
R
G
V
DD
V
DS
V
GS
10%
50%
10%
90%
50%
10%
90%
V
DS
90%
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
图1-1开关时间测量电路
图1-2的开关波形
V
G
I
D
V
GS
R
L
I
G(常量)。
R
G
D.U.T.
V
DD
V
DS
Q
g
V
GS
Q
gs
Q
gd
收费
图2-1栅极电荷测量电路
图2-2栅极电荷波形
通告
本产品可能会造成较大的电气化环境下,芯片的老化和损坏。
请考虑设计的ESD保护电路。
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2009.06 - Rev.A的
通告
笔记
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ROHM有限公司的同意。
此规定的内容如有变更,恕不另行通知。
这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的(在下文中
"Products" ) 。如果你希望使用任何此类产品,请务必参阅规格,
这可以从ROHM要求获得。
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在设计用于大规模生产的电路时,必须考虑到。
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设备或装置(诸如视听设备,办公自动化设备, commu-
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而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性,一
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仪表,交通运输设备,航空器械,核反应器,
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    RW1A013ZP
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3003319701 复制
电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
RW1A013ZP
ROHM
2019
79600
SOT-563
原装正品 钻石品质 假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:153461020 复制

电话:0755-23996734
联系人:李先生
地址:深圳市福田区华航社区中航路4号都会100大厦A座11C
RW1A013ZP
ROHM
20+
150000
SMDDIP
原装现货假一赔十★品惠特价热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885742022 复制
电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
RW1A013ZP
ROHM/罗姆
15+
150000
SMDDIP
全新原装15818663367
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
RW1A013ZP
ROHM/罗姆
2443+
23000
SOT-666
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
RW1A013ZP
ROHM
24+
27200
WEMT6
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881243225 复制

电话:0755-83268779
联系人:吴
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611(本公司为一般纳税人,可以开17%增值税)
RW1A013ZP
ROHM
16+
SOT-666
原装正品假一赔十
8000¥/片,现货
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
RW1A013ZP
ROHM
21+22+
27000
WEMT6
原装正品
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
RW1A013ZP
ROHM
15
11068
原装正品,支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ:2748708193 复制
电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
RW1A013ZP
ROHM/罗姆
24+
5000
SOT-666
100%原装正品,可长期订货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777607/83777708/82799993
联系人:销售部1部
地址:美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
RW1A013ZP
ROHM
25+23+
12500
SOT-563
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