RURU15070 , RURU15080 ,
RURU15090 , RURU150100
1995年4月
150A , 700V - 1000V超快二极管
包
JEDEC样式单LEAD TO- 218
阳极
阴极
(法兰)
特点
超快软恢复。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .<125ns
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 175
o
C
反向电压可达。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .1000V
额定雪崩能量
平面施工
应用
开关电源
电源开关电路
通用
符号
K
描述
RURU15070 , RURU15080和RURU15090和RURU150100是
超快二极管具有软恢复特性(T
RR
<为125ns ) 。
它们具有低的正向电压降,并且氮化硅passi-
氧基团的离子注入外延平面建设。
A
这些设备旨在用作续流/夹紧
二极管和整流器器中的各种开关电源及
其他电源转换应用。它们的低存储的电荷和
超快恢复与软恢复特性的最小环 -
荷兰国际集团,在许多电源开关电路的电噪声减小
功率损耗在开关晶体管。
包装供货情况
产品型号
RURU15070
RURU15080
RURU15090
RURU150100
包
TO-218
TO-218
TO-218
TO-218
BRAND
RURU15070
RURU15080
RURU15090
RUR150100
注:订货时,使用整个零件编号。
绝对最大额定值
T
C
= +25
o
C,除非另有规定编
RURU15070
反向重复峰值电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
RRM
工作峰值反向电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
RWM
DC阻断电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
R
平均整流器编着的正向电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
F( AV )
(T
C
= +65
o
C)
重复峰值浪涌电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
FSM
(方波, 20kHz的)
非重复性峰值浪涌电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
FSM
(半波,单相,60赫兹)
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
雪崩能量( L = 40mH ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AVL
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
英镑
, T
J
700
700
700
150
300
1500
375
50
-65到+175
RURU15080
800
800
800
150
300
1500
375
50
-65到+175
RURU15090
900
900
900
150
300
1500
375
50
-65到+175
RURU150100
1000
1000
1000
150
300
1500
375
50
-65到+175
单位
V
V
V
A
A
A
W
mj
o
C
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
网络文件编号
3202.2
5-1
特定网络阳离子RURU15070 , RURU15080 , RURU15090 , RURU150100
电气连接特定的阳离子
T
C
= +25
o
C,除非另有规定编
范围
RURU15070
符号
V
F
V
F
I
R
测试条件
I
F
= 150A ,T
C
= +25
o
C
I
F
= 150A ,T
C
= +150
o
C
V
R
= 700V ,T
C
= +25
o
C
V
R
= 800V ,T
C
= +25
o
C
V
R
= 900V ,T
C
= +25
o
C
V
R
= 1000V ,T
C
= +25
o
C
I
R
V
R
= 700V ,T
C
= +150
o
C
V
R
= 800V ,T
C
= +150
o
C
V
R
= 900V ,T
C
= +150
o
C
V
R
= 1000V ,T
C
= +150
o
C
t
RR
I
F
= 1A ,二
F
/ DT = 100A / μs的
I
F
= 150A ,二
F
/ DT = 100A / μs的
t
A
t
B
R
θJC
释义
V
F
=瞬时正向电压( PW = 300μS , D = 2 %) 。
I
R
=瞬时反向电流。
t
RR
=反向恢复时间(见图2 ) ,求和的t
A
+ t
B
.
t
A
=时达到峰值反向电流(参见图2) 。
t
B
=从高峰时间我
RM
到的余投影零交叉
RM
基于从峰值I的直线
RM
经过我25 %
RM
(参见图2) 。
R
θJC
=热阻结到外壳。
E
AVL
=控制雪崩能量(见图7和图8 ) 。
PW =脉冲宽度。
D =占空比。
I
F
= 150A ,二
F
/ D T = 100A / μs的
I
F
= 150A ,二
F
/ DT = 100A / μs的
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
RURU15080
RURU15090
RURU150100
TYP MAX
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
75
-
1.9
1.7
-
-
-
500
-
-
-
3.0
125
200
-
-
0.4
单位
V
V
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
ns
ns
ns
ns
o
C / W
典型值最大值最小值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
75
-
1.9
1.7
500
-
-
-
3.0
-
-
-
125
200
-
-
0.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值最大值最小值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
75
-
1.9
1.7
-
500
-
-
-
3.0
-
-
125
200
-
-
0.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值最大值最小值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
75
-
1.9
1.7
-
-
500
-
-
-
3.0
-
125
200
-
-
0.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
1
幅度控制我
F
V
2
幅度控制的dI
F
/ DT
R
1
L
1
=自我的R电感
4
+ L
环
Q
1
+V
1
0
t
2
t
1
R
2
+V
3
Q
2
t
1
≥
5t
A(最大值)
t
2
& GT ;吨
RR
t
3
> 0
L
1
t
A(分钟)
≤
R
4
10
L
环
DUT
Q
4
0
0.25 I
RM
C1
R
4
I
RM
I
F
dI
F
dt
t
RR
t
A
t
B
t
3
0
-V
2
R
3
Q
3
-V
4
V
R
V
RM
图1吨
RR
测试电路
图2吨
RR
波形和定义
5-2
RURU15070 , RURU15080 , RURU15090 , RURU150100
典型性能曲线
图3.典型正向电流与正向
电压降
图4.典型的反向电流与电压
图5.典型吨
RR
, t
A
和T
B
曲线VS前进
当前
图6.电流降额曲线为所有类型
IMAX = 1A
L = 40mH
< 0.1Ω
EAVL = 1 / 2LI
2
[ VAVL / ( VAVL - V
DD
)]
Q
1
& Q
2
ARE 1000V的MOSFET
Q
1
L
R +
V
DD
130
1M
DUT
VAVL
12V
Q
2
130
当前
SENSE
V
DD
-
I
L
I V
I
L
12V
t
0
t
1
t
2
t
图7.雪崩能量测试电路
图8.雪崩电流和电压波形
5-3
RURU15070 , RURU15080 , RURU15090 , RURU150100
Intersil所有半导体产品的制造,组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的半导体产品仅出售描述。 Intersil公司保留在任何时间与 - 进行更改电路设计和/或特定网络阳离子权
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5-4