MUR1540 ， MUR1560 ， RURP1540 ， RURP1560
数据表
2000年1月
网络文件编号
2778.4
15A ， 400V - 600V超快二极管
该MUR1540 ， MUR1560 ， RURP1540和RURP1560是
超快二极管（T
rr
< 55ns ）与软恢复
的特点。它们具有低的正向电压降以及
是平面的，氮化硅钝化，离子注入，
外延建设。
这些设备旨在用作能量
转向/钳位二极管和整流器器中的各种
开关电源和其它电源开关
应用程序。它们的低存储电荷和超快恢复
具有软恢复特性减少振铃和
在许多电源开关电路的电噪声，从而
减少功率损耗在开关晶体管。
以前发育类型TA09905 。
特点
超快软恢复。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <55ns
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.175
o
C
反向电压可达。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .600V
额定雪崩能量
平面施工
应用
开关电源
电源开关电路
通用
订购信息
产品型号
MUR1540
RURP1540
MUR1560
RURP1560
包
TO-220AC
TO-220AC
TO-220AC
TO-220AC
BRAND
MUR1540
RURP1540
MUR1560
RURP1560
包装
JEDEC TO- 220AC
阳极
阴极
阴极
（法兰）
注：订货时，使用整个零件编号
符号
K
A
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
MUR1540
RURP1540
MUR1560
RURP1560
600
600
600
15
30
200
100
20
-55至175
单位
V
V
V
A
A
A
W
mJ
o
C
反向重复峰值电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
RRM
工作峰值反向电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
RWM
DC阻断电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
R
平均整流器编着的正向电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
F（ AV ）
(T
C
= 145
o
C)
重复峰值浪涌电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
FRM
（方波为20kHz ）
非重复性峰值浪涌电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
FSM
（半波1期60赫兹）
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
雪崩能量（见图7和图8 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AVL
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
英镑
, T
J
400
400
400
15
30
200
100
20
-55至175
1
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
版权
Intersil公司2000
MUR1540 ， MUR1560 ， RURP1540 ， RURP1560
电气连接特定的阳离子
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
MUR1540 ， RURP1540
符号
V
F
测试条件
I
F
= 15A
I
F
= 15A ，T
C
= 150
o
C
I
R
V
R
= 400V
V
R
= 600V
V
R
= 400V ，T
C
= 150
o
C
V
R
= 600V ，T
C
= 150
o
C
t
rr
I
F
= 1A ，二
F
/ DT = 100A / μs的
I
F
= 15A ，二
F
/ DT = 100A / μs的
t
a
t
b
R
θJC
释义
V
F
=瞬时正向电压（ PW = 300μS ， D = 2 ％） 。
I
R
=瞬时反向电流。
t
rr
=日易迪反向恢复时间
F
/ DT = 100A / μs的（见图6 ） ，求和的t
a
+ t
b
.
t
a
=时达到峰值反向电流的dI
F
/ DT = 100A / μs的（参见图6） 。
t
b
=从高峰时间我
RM
到的余投影零交叉
RM
基于从峰值I的直线
RM
经过我25 ％
RM
（参见图6）。
R
θJC
=热阻结到外壳。
PW =脉冲宽度。
D =占空比。
I
F
= 15A ，二
F
/ DT = 100A / μs的
I
F
= 15A ，二
F
/ DT = 100A / μs的
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
30
17
-
最大
1.25
1.12
100
-
500
-
55
60
-
-
1.5
MUR1560 ， RURP1560
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
30
20
-
最大
1.5
1.2
-
100
-
500
55
60
-
-
1.5
单位
V
V
A
A
A
A
ns
ns
ns
ns
o
C / W
典型性能曲线
80
I
R
，反向电流（ μA ）
500
100
I
F
，正向电流（ A）
175
o
C
10
10
175
o
C
100
o
C
25
o
C
1.0
100
o
C
0.1
0.01
25
o
C
1
0
0.5
1.0
V
F
，正向电压（ V）
1.5
2.0
0.001
0
100
200
300
400
500
600
V
R
，反向电压（V）的
图1.正向电流与正向电压
图2.反向电流与反向电压
2
MUR1540 ， MUR1560 ， RURP1540 ， RURP1560
典型性能曲线
60
50
40
T， TIME （ NS ）
30
ta
20
10
0
1
I
F
，正向电流（ A）
10
20
tb
（续）
I
F（ AV ）
，平均正向电流（ A）
16
14
DC
12
10
8
6
4
2
0
120
SQ 。 WAVE
TRR
130
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（
o
C)
图3吨
rr
, t
a
和T
b
曲线VS正向电流
图4.电流降额曲线
测试电路和波形
V
GE
振幅和
R
G
控制的dI
F
/ DT
t
1
t
2
控制I
F
L
DUT
R
G
V
GE
t
1
t
2
当前
SENSE
+
V
DD
0
I
F
dI
F
dt
ta
TRR
tb
IGBT
-
0.25 I
RM
I
RM
图5吨
rr
测试电路
I = 1A
L = 40mH
< 0.1Ω
E
AVL
= 1 / 2LI
2
[V
R（ AVL ）
/(V
R（ AVL ）
- V
DD
)]
Q
1
= IGBT （ BV
CES
> DUT V
R（ AVL ）
)
L
当前
SENSE
Q
1
V
DD
DUT
R
+
V
DD
I V
图6吨
rr
波形和定义
V
AVL
I
L
I
L
-
t
0
t
1
t
2
t
图7.雪崩能量测试电路
图8.雪崩电流和电压
波形
Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的半导体产品仅出售描述。 Intersil公司保留在任何时间与 - 进行更改电路设计和/或特定网络阳离子权
出通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅网站
www.intersil.com
3
MUR1540 ， MUR1560 ， RURP1540 ， RURP1560
数据表
2002年1月
15A ， 400V - 600V超快二极管
该MUR1540 ， MUR1560 ， RURP1540和RURP1560是
超快二极管（T
rr
< 55ns ）与软恢复
的特点。它们具有低的正向电压降以及
是平面的，氮化硅钝化，离子注入，
外延建设。
这些设备旨在用作能量
转向/钳位二极管和整流器器中的各种
开关电源和其它电源开关
应用程序。它们的低存储电荷和超快恢复
具有软恢复特性减少振铃和
在许多电源开关电路的电噪声，从而
减少功率损耗在开关晶体管。
以前发育类型TA09905 。
特点
超快软恢复。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <55ns
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.175
o
C
反向电压可达。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .600V
额定雪崩能量
平面施工
应用
开关电源
电源开关电路
通用
订购信息
产品型号
MUR1540
RURP1540
MUR1560
RURP1560
包
TO-220AC
TO-220AC
TO-220AC
TO-220AC
BRAND
MUR1540
RURP1540
MUR1560
RURP1560
包装
JEDEC TO- 220AC
阳极
阴极
阴极
（法兰）
注：订货时，使用整个零件编号
符号
K
A
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
MUR1540
RURP1540
MUR1560
RURP1560
600
600
600
15
30
200
100
20
-55至175
单位
V
V
V
A
A
A
W
mJ
o
C
反向重复峰值电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
RRM
工作峰值反向电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
RWM
DC阻断电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
R
平均整流器编着的正向电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
F（ AV ）
(T
C
= 145
o
C)
重复峰值浪涌电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
FRM
（方波为20kHz ）
非重复性峰值浪涌电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
FSM
（半波1期60赫兹）
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
雪崩能量（见图7和图8 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AVL
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
英镑
, T
J
2002仙童半导体公司
400
400
400
15
30
200
100
20
-55至175
MUR1540 ， MUR1560 ， RURP1540 ， RURP1560版本B
MUR1540 ， MUR1560 ， RURP1540 ， RURP1560
电气连接特定的阳离子
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
MUR1540 ， RURP1540
符号
V
F
测试条件
I
F
= 15A
I
F
= 15A ，T
C
= 150
o
C
I
R
V
R
= 400V
V
R
= 600V
V
R
= 400V ，T
C
= 150
o
C
V
R
= 600V ，T
C
= 150
o
C
t
rr
I
F
= 1A ，二
F
/ DT = 100A /
s
I
F
= 15A ，二
F
/ DT = 100A /
s
t
a
t
b
R
θ
JC
释义
V
F
=瞬时正向电压（ PW = 300
S，D = 2 ％）。
I
R
=瞬时反向电流。
t
rr
=日易迪反向恢复时间
F
/ DT = 100A /
S（参见图6） ，T的总和
a
+ t
b
.
t
a
=时达到峰值反向电流的dI
F
/ DT = 100A /
秒（参见图6）。
t
b
=从高峰时间我
RM
到的余投影零交叉
RM
基于从峰值I的直线
RM
经过我25 ％
RM
（参见图6）。
R
θ
JC
=热阻结到外壳。
PW =脉冲宽度。
D =占空比。
I
F
= 15A ，二
F
/ DT = 100A /
s
I
F
= 15A ，二
F
/ DT = 100A /
s
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
30
17
-
最大
1.25
1.12
100
-
500
-
55
60
-
-
1.5
MUR1560 ， RURP1560
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
30
20
-
最大
1.5
1.2
-
100
-
500
55
60
-
-
1.5
单位
V
V
A
A
A
A
ns
ns
ns
ns
o
C / W
典型性能曲线
80
I
R
，反向电流（ μA ）
500
100
I
F
，正向电流（ A）
175
o
C
10
10
175
o
C
100
o
C
25
o
C
1.0
100
o
C
0.1
0.01
25
o
C
1
0
0.5
1.0
V
F
，正向电压（ V）
1.5
2.0
0.001
0
100
200
300
400
500
600
V
R
，反向电压（V）的
图1.正向电流与正向电压
图2.反向电流与反向电压
2002仙童半导体公司
MUR1540 ， MUR1560 ， RURP1540 ， RURP1560版本B
MUR1540 ， MUR1560 ， RURP1540 ， RURP1560
典型性能曲线
60
50
40
T， TIME （ NS ）
30
ta
20
10
0
1
I
F
，正向电流（ A）
10
20
tb
（续）
I
F（ AV ）
，平均正向电流（ A）
16
14
DC
12
10
8
6
4
2
0
120
SQ 。 WAVE
TRR
130
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（
o
C)
图3吨
rr
, t
a
和T
b
曲线VS正向电流
图4.电流降额曲线
测试电路和波形
V
GE
振幅和
R
G
控制的dI
F
/ DT
t
1
t
2
控制I
F
L
DUT
R
G
V
GE
t
1
t
2
当前
SENSE
+
V
DD
0
I
F
dI
F
dt
ta
TRR
tb
IGBT
-
0.25 I
RM
I
RM
图5吨
rr
测试电路
I = 1A
L = 40mH
< 0.1Ω
E
AVL
= 1 / 2LI
2
[V
R（ AVL ）
/(V
R（ AVL ）
- V
DD
)]
Q
1
= IGBT （ BV
CES
> DUT V
R（ AVL ）
)
L
当前
SENSE
Q
1
V
DD
DUT
R
+
V
DD
I V
图6吨
rr
波形和定义
V
AVL
I
L
I
L
-
t
0
t
1
t
2
t
图7.雪崩能量测试电路
图8.雪崩电流和电压
波形
2002仙童半导体公司
MUR1540 ， MUR1560 ， RURP1540 ， RURP1560版本B
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
QQ：2881677436 复制
