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1.5V驱动N沟道MOSFET
RUR020N02
结构
硅N沟道MOSFET
特点
1 ） 1.5V驱动
2）低导通电阻。
3 ）内置G -S保护二极管。
小型表面贴装封装（ TSMT3 ） 。
（ 1 ）门
（ 2 ）资料来源
（ 3 ）排水
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： XK
尺寸
（单位：毫米）
TSMT3
应用
开关
包装规格
包
TYPE
RUR020N02
2
(1)
内部电路
TAPING
TL
3000
(3)
CODE
基本订购单位（件）
1
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
I
S
I
SP
1
P
D
2
总胆固醇
TSTG
范围
20
±10
±2
±6
0.8
6
1.0
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
(2)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
（ 1 ）门
（ 2 ）资料来源
（ 3 ）排水
总功耗
通道温度
储存温度范围
1
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
2
安装在陶瓷基板
热阻
参数
渠道环境
安装在陶瓷基板
符号
RTH （ CH -A ）
范围
125
单位
°C
/ W
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2009年ROHM有限公司保留所有权利。
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2009.05 - Rev.A的
RUR020N02
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
I
GSS
栅源漏
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
数据表
R
DS （ ON）
分钟。
20
0.3
1.8
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
典型值。
75
95
130
170
180
45
25
6
17
30
30
2.0
0.6
0.4
马克斯。
±10
1
1.0
105
135
185
240
单位
A
V
A
V
m
m
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=±10V, V
DS
=0V
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
V
DS
= 20V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ，我
D
= 1毫安
I
D
= 2A ，V
GS
= 4.5V
I
D
= 2A ，V
GS
= 2.5V
I
D
= 1A ，V
GS
= 1.8V
I
D
= 0.4A ，V
GS
= 1.5V
V
DS
= 10V ，我
D
= 2A
V
DS
= 10V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
DD
10V ，我
D
= 1A,
V
GS
= 4.5V
R
L
10, R
G
=10
V
DD
10V ，我
D
= 2A
V
GS
= 4.5V
R
L
5, R
G
=10
体二极管的特性
（源极 - 漏极） （ TA = 25 ° C）
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
S
= 2A ，V
GS
=0V
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RUR020N02
电气特性曲线
4
Ta=25°C
脉冲
漏电流：我
D
[A]
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 1.8V
2
V
GS
= 1.5V
V
GS
= 1.3V
1
V
GS
= 1.2V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0
2
4
6
8
10
4
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 1.8V
Ta=25°C
脉冲
漏电流：我
D
[A]
10
V
DS
= 10V
脉冲
TA = 125℃
TA = 75℃
TA = 25℃
TA = - 25℃
数据表
漏电流：我
D
[A]
3
3
1
2
V
GS
= 1.5V
0.1
1
V
GS
= 1.3V
V
GS
= 1.2V
0.01
0.001
0
0.5
1
1.5
2
漏源电压： V
DS
[V]
图1典型的输出特性（
Ⅰ
)
漏源电压： V
DS
[V]
图2典型的输出特性（
Ⅱ
)
栅源电压： V
GS
[V]
图3典型的传输特性
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
（开） [米
]
1000
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA = -25C
100
100
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
（开） [米
]
V
GS
= 1.5V
V
GS
= 1.8V
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 4.5V
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
（开） [米
]
TA = 25℃
脉冲
1000
V
GS
= 4.5V
脉冲
1000
V
GS
= 2.5V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA = -25C
100
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
漏电流：I
D
[A]
图4静态漏源导通状态
电阻与漏电流（
Ⅰ
)
漏电流：I
D
[A]
图5静态漏源导通状态
电阻与漏电流（
Ⅱ
)
漏电流：I
D
[A]
图6静态漏源导通状态
电阻与漏电流（
Ⅲ
)
1000
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
（开） [米
]
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
（开） [米
]
V
GS
= 1.8V
脉冲
1000
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA = -25C
V
GS
= 1.5V
脉冲
正向传递
导纳： | YFS | [S ]
10
V
DS
= 10V
脉冲
100
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA = -25C
1
TA = -25C
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta=125°C
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
0.1
0.01
0.1
1
10
漏电流：I
D
[A]
图7静态漏源导通状态
电阻与漏电流（
Ⅳ
)
漏电流：I
D
[A]
图8静态漏源导通状态
电阻与漏电流（
Ⅴ
)
漏电流：I
D
[A]
图9正向转移导纳
与漏电流
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c
○
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RUR020N02
反向漏电流：是[ A]
10
V
GS
=0V
脉冲
300
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
（开） [米
]
250
200
150
100
50
t
r
0
0
0.5
1
1.5
0
2
4
6
8
10
1
0.01
0.1
1
10
I
D
= 2.0A
I
D
= 1.0A
TA = 25℃
脉冲
切换时间： T [ NS ]
1000
t
d
（关闭）
t
f
100
Ta=25°C
V
DD
= 10V
V
GS
=4.5V
R
G
=10
脉冲
数据表
1
0.1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=-25°C
10
t
d
（上）
0.01
源极 - 漏极电压： V
SD
[V]
图10反向漏电流
与水稻源极 - 漏极电压
栅源电压： V
GS
[V]
图11静态漏源导通状态
电阻与栅源电压
漏电流：I
D
[A]
图12开关特性
5
栅源电压： V
GS
[V]
电容： C [ pF的]
1000
西塞
4
3
100
科斯
2
Ta=25°C
V
DD
= 10V
I
D
= 2A
R
G
=10
脉冲
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
1
0
10
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
0.01
0.1
CRSS
1
10
100
总栅极电荷：的Qg [ NC ]
图13动态输入特性
漏源电压： V
DS
[V]
图14典型电容
与漏源电压
测量电路
脉冲宽度
V
GS
I
D
V
DS
V
GS
50%
10%
10%
90%
50%
10%
R
L
D.U.T.
R
G
V
DD
V
DS
90%
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
90%
t
r
图1-1开关时间测量电路
图1-2的开关波形
V
G
V
GS
I
D
V
DS
R
L
I
G（常量）。
R
G
D.U.T.
V
DD
Q
g
V
GS
Q
gs
Q
gd
收费
图2-1栅极电荷测量电路
图2-2栅极电荷波形
通告
本产品可能会造成较大的电气化环境下，芯片的老化和损坏。
请考虑设计的ESD保护电路。
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2009.05 - Rev.A的
通告
笔记
没有拷贝或复制该文件的部分或全部，则允许不
ROHM有限公司的同意。
此规定的内容如有变更，恕不另行通知。
这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的（在下文中
"Products" ） 。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路，电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。
时非常谨慎，以确保本文档中指定的信息的准确性。
但是，如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害
信息， ROHM ，应当承担此类损害概不负责。
本文中规定的技术信息仅是为了表明的典型功能和
为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你，或明或
隐，任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益
其他各方。 ROHM应当承担不承担任何责任从产生的任何纠纷
使用这样的技术信息。
本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子
设备或装置（诸如视听设备，办公自动化设备， commu-
讯设备，电子电器，娱乐设备） 。
本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。
而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性，一
产品可能会失败或因各种原因发生故障。
请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现
对人身伤害，火灾或其它任何损害引起的事件的可能性
任何产品的故障，如降级，冗余，消防和故障安全设计。 ROHM
不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外
范围或者没有按照使用说明书。
该产品并非设计或制造任何设备，设备使用，或
系统，该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵，其中
可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险（如医疗
仪表，交通运输设备，航空器械，核反应器，
燃料控制器或其他安全装置） 。 ROHM应承担的任何方式使用任何责任
任何产品的上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何
这种特殊用途，请购买前联系ROHM销售代表。
如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可
根据外汇及对外贸易法来控制，你会被要求
获得许可或根据法律允许。
感谢您的访问，以ROHM的产品信息。
更详细的产品信息和目录都可以，请与我们联系。
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R0252W00
RCD12WL
RC6432J100BS
R1223N542E
RQ5RW22A
R3136
R1LP0108ESF-7SRB0
RWR84S1001F
REZ-0924SH
RTD14024
RD38F2010W0ZDQ0
RT9172N-20CT
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    RUR020N02
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
RUR020N02
ROHM
2443+
23000
SOT-346T
一级代理专营，原装现货，价格优势
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地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
RUR020N02
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5000
SOT23
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联系人：销售部
地址：深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
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22000
SOT-346T
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电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
RUR020N02
ROHM
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4500
SOT23
全新原装现货特价销售！
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电话：755-83252273
联系人：郑
地址：中航路新亚洲二期N3D039
RUR020N02
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18+
16238
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电话：0755-23914006/18318877587
联系人：陈佳隆
地址：深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
RUR020N02
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21000
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地址：深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室（亚太地区XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿特拉）专业分销商！)
RUR020N02
ROHM
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33000
TSMT3
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联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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