1.5V驱动N沟道MOSFET
RUF020N02
结构
硅N沟道MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
TUMT3
特点
1）低导通电阻。
2 ）节省空间，小型表面贴装封装（ TUMT3 ） 。
3 ）低电压驱动（ 1.5V驱动器） 。
（ 1 ）门
（ 2 ）资料来源
（ 3 ）排水
缩写符号： XK
应用
开关
内部电路
(3)
包装规格
包
TYPE
RUF020N02
CODE
基本订购单位（件）
TAPING
TL
3000
1
(2)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
(1)
2
0.2Max.
（ 1 ）门
（ 2 ）资料来源
（ 3 ）排水
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
总功耗
通道温度
储存温度范围
1
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
2
当安装在陶瓷基板
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
I
S
I
SP
1
P
D
2
总胆固醇
TSTG
范围
20
±10
±2
±6
0.6
6
0.8
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
热阻
参数
渠道环境
当安装在陶瓷基板
符号
RTH （ CH -A ）
范围
156
单位
° C / W
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2009.06 - Rev.A的
RUF020N02
反向漏电流：是[ A]
10
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
（开） [米
]
V
GS
=0V
脉冲
300
250
200
150
100
50
t
r
0
0
0.5
1
1.5
0
2
4
6
8
10
1
0.01
0.1
1
10
I
D
= 2.0A
I
D
= 1.0A
Ta=25°C
脉冲
切换时间： T [ NS ]
1000
t
d
（关闭）
t
f
100
Ta=25°C
V
DD
= 10V
V
GS
=4.5V
R
G
=10
脉冲
数据表
1
0.1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=-25°C
10
t
d
（上）
0.01
源极 - 漏极电压： V
SD
[V]
图10反向漏Current22
与水稻源极 - 漏极电压
栅源电压： V
GS
[V]
图11静态漏源导通状态
电阻与栅源电压
漏电流：I
D
[A]
图12开关特性
5
栅源电压： V
GS
[V]
1000
西塞
电容： C [ pF的]
Ta=25°C
V
DD
= 10V
4 I
D
= 2A
R
G
=10
脉冲
3
100
科斯
2
1
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
0.01
0.1
CRSS
1
10
100
漏源电压： V
DS
[V]
总栅极电荷：的Qg [ NC ]
图13动态输入特性
图14典型电容
与漏源电压
测量电路
脉冲宽度
V
GS
I
D
V
DS
V
GS
50%
10%
10%
90%
50%
10%
R
L
D.U.T.
R
G
V
DD
V
DS
90%
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
90%
t
r
图1-1开关时间测量电路
图1-2的开关波形
V
G
V
GS
I
D
V
DS
R
L
I
G（常量）。
R
G
D.U.T.
V
DD
Q
g
V
GS
Q
gs
Q
gd
收费
图2-1栅极电荷测量电路
图2-2栅极电荷波形
通告
本产品可能会造成较大的电气化环境下，芯片的老化和损坏。
请考虑设计的ESD保护电路。
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2009.06 - Rev.A的
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这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的（在下文中
"Products" ） 。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路，电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。
时非常谨慎，以确保本文档中指定的信息的准确性。
但是，如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害
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隐，任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益
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本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子
设备或装置（诸如视听设备，办公自动化设备， commu-
讯设备，电子电器，娱乐设备） 。
本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。
而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性，一
产品可能会失败或因各种原因发生故障。
请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现
对人身伤害，火灾或其它任何损害引起的事件的可能性
任何产品的故障，如降级，冗余，消防和故障安全设计。 ROHM
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范围或者没有按照使用说明书。
该产品并非设计或制造任何设备，设备使用，或
系统，该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵，其中
可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险（如医疗
仪表，交通运输设备，航空器械，核反应器，
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