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1.2V驱动N沟道MOSFET
RUE002N02
结构
硅N沟道
MOSFET
尺寸
(单位:毫米)
EMT3
应用
开关
特点
1 )开关速度快。
2 )低电压驱动( 1.2V )使这
器件理想用于便携式设备。
3 )驱动电路可以很简单。
(1)Source
(2)Gate
(3)Drain
缩写符号: QR
内部电路
(3)
包装规格
TYPE
CODE
基本订购单位
(件)
RUE002N02
1
(1)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
( 1 )资料来源
( 2 )门
( 3 )排水
TAPING
TL
(2)
2
3000
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
连续
脉冲
总功耗
通道温度
储存温度范围
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
P
D
2
总胆固醇
TSTG
范围
20
±8
±200
±400
150
150
55
to
+150
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
1
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
2
安装在一个推荐的焊盘的每个终端
热阻
参数
渠道环境
安装在一个推荐的焊盘的每个终端
符号
RTH ( CH -A )
范围
833
单位
°C
/ W
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2009.06 - Rev.A的
RUE002N02
电气特性
(Ta=25°C)
参数
栅源漏
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
符号
I
GSS
V
( BR ) DSS
I
DSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
分钟。
20
0.3
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
脉冲
数据表
典型值。
0.8
1.0
1.2
1.6
25
10
10
5
10
15
10
马克斯。
±10
1
1
1.2
1.4
2.4
4.8
单位
A
V
A
V
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
条件
V
GS
=±8V,
V
DS
=0V
I
D
=1mA,
V
GS
=0V
V
DS
=20V,
V
GS
=0V
V
DS
=10V,
I
D
=1mA
I
D
=200mA,
V
GS
=2.5V
I
D
=200mA,
V
GS
=1.8V
I
D
=40mA,
V
GS
=1.5V
I
D
=20mA,
V
GS
=1.2V
V
DS
=10V,
I
D
=200mA
V
DS
=10V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
DD
R
L
10V ,我
D
=150mA
67
V
GS
=4.0V
R
G
=10
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
200
体二极管的特性
(源极 - 漏极) ( TA = 25 ° C)
参数
正向电压
脉冲
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
S
= 100mA时V
GS
=0V
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2009.06 - Rev.A的
RUE002N02
电气特性曲线
0.5
Ta=25°C
脉冲
漏电流:我
D
[A]
V
GS
= 1.5V
0.3
V
GS
= 1.3V
0.2
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 1.8V
V
GS
= 1.2V
0.5
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 1.8V
V
GS
= 1.3V
0.3
V
GS
= 1.2V
V
GS
= 1.5V
0.1
Ta=25°C
脉冲
0
2
4
6
8
10
漏电流:我
D
(A)
1
V
DS
=10V
脉冲
0.1
数据表
漏电流:我
D
[A]
0.4
0.4
0.01
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
0.2
0.001
0.1
0.0001
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0.00001
0.0
0.5
1.0
1.5
漏源电压: V
DS
[V]
图1典型的输出特性(
)
漏源电压: V
DS
[V]
图2典型的输出特性(
)
栅源电压: V
GS
(V)
图3典型的传输特性
10000
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(开) [米
]
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(开) [米
]
1000
1000
100
0.001
0.01
0.1
1
100
0.001
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(开) [米
]
TA = 25℃
脉冲
10000
V
GS
= 1.2V
V
GS
= 1.5V
V
GS
= 1.8V
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 4.0V
V
GS
= 4.0V
脉冲
10000
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA = -25C
V
GS
= 2.5V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA = -25C
1000
0.01
0.1
1
100
0.001
0.01
0.1
1
漏电流:I
D
[A]
图4静态漏源导通状态
电阻与漏电流(
)
漏电流:I
D
[A]
图5静态漏源导通状态
电阻与漏电流(
)
漏电流:I
D
[A]
图6静态漏源导通状态
电阻与漏电流(
)
10000
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(开) [米
]
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(开) [米
]
1000
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA = -25C
100
0.001
1000
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA = -25C
100
0.001
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(开) [米
]
V
GS
= 1.8V
脉冲
10000
V
GS
= 1.5V
脉冲
10000
V
GS
= 1.2V
脉冲
1000
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA = -25C
0.01
0.1
1
0.01
0.1
1
100
0.001
0.01
0.1
1
漏电流:I
D
[A]
图7静态漏源导通状态
电阻与漏电流(
)
漏电流:I
D
[A]
图8静态漏源导通状态
电阻与漏电流(
)
漏电流:I
D
[A]
图9静态漏源导通状态
电阻与漏电流(
)
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RUE002N02
1
正向传递
导纳: | YFS | [S ]
1
数据表
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(接通) 〔
]
V
GS
=0V
脉冲
源电流:我
S
(A)
V
DS
= 10V
脉冲
2.5
I
D
= 0.2A
2
Ta=25°C
脉冲
TA = -25C
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta=125°C
0.1
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
1.5
1
0.5
I
D
= 0.02A
0.1
0.01
0.1
漏电流:I
D
[A]
图10正向转移导纳
与漏电流
1
0.01
0.0
0.5
1
1.5
0
0
2
4
6
8
10
源极 - 漏极电压: V
SD
(V)
图11电源电流与
源 - 漏电压
栅源电压: V
GS
[V]
图12静态漏源导通状态
电阻与栅源电压
1000
具有结构转换的时间: T( NS )
100
电容: C [ pF的]
Ta
=25°C
V
DD
=10V
V
GS
=4V
R
G
=10
脉冲
100
西塞
10
10
t
D(关闭)
t
f
t
D(上)
t
r
CRSS
科斯
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
漏电流:我
D
(A)
1
1
漏源电压: V
DS
[V]
图13开关特性
图14典型电容
与漏源电压
测量电路
脉冲宽度
V
GS
I
D
V
DS
D.U.T.
R
G
R
L
V
GS
V
DS
50%
10%
10%
90%
50%
V
DD
10%
90%
90%
t
D(关闭)
t
f
t
关闭
t
D(上)
t
on
t
r
图1-1开关时间测量电路
图1-2的开关波形
通告
本产品可能会造成较大的电气化环境下,芯片的老化和损坏。
请考虑设计的ESD保护电路
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通告
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此规定的内容如有变更,恕不另行通知。
这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的(在下文中
"Products" ) 。如果你希望使用任何此类产品,请务必参阅规格,
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路,电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时,必须考虑到。
时非常谨慎,以确保本文档中指定的信息的准确性。
但是,如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害
信息, ROHM ,应当承担此类损害概不负责。
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为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你,或明或
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其他各方。 ROHM应当承担不承担任何责任从产生的任何纠纷
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设备或装置(诸如视听设备,办公自动化设备, commu-
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而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性,一
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仪表,交通运输设备,航空器械,核反应器,
燃料控制器或其他安全装置) 。 ROHM应承担的任何方式使用任何责任
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如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    RUE002N02
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-23996734
联系人:李先生
地址:深圳市福田区华航社区中航路4号都会100大厦A座11C
RUE002N02
ROHM
20+
150000
原装现货假一赔十★品惠特价热卖
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电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
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15+
150000
SMDDIP
全新原装15818663367
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
RUE002N02
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2443+
23000
EMT3
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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9634
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全新原装现货,原厂代理。
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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ROHM
12+
5280
原装正品,支持实单
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电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
RUE002N02
ROHM/罗姆
24+
5000
SOT-523
100%原装正品,可长期订货
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联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
RUE002N02
HAMOS/汉姆
24+
22000
SOT-423
原装正品假一赔百!
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电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2(本公司为一般纳税人,可开增票)
RUE002N02
ROHM
25+
4500
SOT423
全新原装现货特价销售!
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联系人:赵小姐
地址:深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
RUE002N02
ROHM/罗姆
22+
33000
百分百进口正品原装现货 支持实单!
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电话:755-83210909 / 83616256
联系人:夏先生
地址:深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室(亚太地区XILINX(赛灵思)、ALTERA(阿特拉)专业分销商!)
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33000
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