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RU4099
N沟道先进的功率MOSFET
特点
引脚说明
·
40V/200A
R
DS
（上）
= 2.8毫欧（典型值） @ V
GS
=10V
·
额定雪崩
·
可靠，坚固耐用
·
无铅和绿色设备可用
应用
TO-220
TO-220F
TO-263
TO-247
·
汽车应用和一个宽
各种其它应用
·
高效率同步开关电源中
·
高速电源开关
绝对最大额定值
符号
参数
N沟道MOSFET
等级
单位
通用等级
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
V
DSS
V
GSS
T
J
T
英镑
漏源电压
栅源电压
最高结温
存储温度范围
二极管连续正向电流
T
C
=25°C
40
±25
175
-55至175
200
①
V
°C
°C
A
I
S
安装在大型散热片
I
DP
I
D
P
D
R
θJC
R
θJA
300μS漏电流脉冲测试
继续漏电流
最大功率耗散
热阻-Junction到案
热阻，结到环境
T
C
=25°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
800
200
140
400
230
②
A
W
0.45
62.5
° C / W
漏源雪崩额定值
E
AS
雪崩能量，单脉冲
存储温度范围
1400
mJ
-55到150
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版本B -JUN ，2010
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RU4099
电气特性
参数
静态特性
BV
DSS
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
RU4099
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
DS
=250A
V
DS
= 40V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
40
1
30
2
3
4
±100
2.8
3.5
V
A
V
nA
m
符号
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
③
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250A
V
GS
=±25V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
DS
=40A
二极管的特性
V
SD
t
rr
q
rr
③
二极管的正向电压
反向恢复时间
I
SD
= 40 A，V
GS
=0V
I
SD
= 40A ， DL
SD
/dt=100A/s
0.77
74
148
1.2
V
ns
nC
反向恢复电荷
④
动态特性
R
G
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
④
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
= 30V,
Frequency=1.0MHz
1.4
5750
1400
480
21
40
69
pF
V
DD
= 35V ，R
L
=35,
I
DS
= 1A ，V
根
= 10V,
R
G
=6
37
75
115
ns
136
208
栅极电荷特性
Q
g
Q
gs
Q
gd
注意事项：
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
宽度由安全工作区的限制。
- 电流
受包（限制电流为75A ）
*脉冲
试验;脉冲width≤300
S，值班cycle≤2 ％ 。
⑤Guaranteed
按照设计，不受生产测试。
154
V
DS
=30V, V
GS
= 10V,
I
DS
=40A
44
47
218
nC
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RU4099
典型特征
功耗
漏电流
I
D
- 漏电流（ A）
TJ - 结温（ ° C）
T
j
- 结温（ ° C）
安全工作区
瞬态热阻抗
V
DS
- 漏源电压（ V）
P合计 - 功率（W ）
标准化的有效瞬态
方波脉冲持续时间（秒）
3
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I
D
- 漏电流（ A）
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典型特征
输出特性
漏源导通电阻
V
DS
- 漏源电压（ V）
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ MΩ）
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
漏源导通电阻
栅极阈值电压
RDS （ON ） - 在 - 电阻（ MR）
VGS - 栅极 - 源极电压（ V）
归一化的阈值Vlotage
TJ - 结温（ ° C）
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典型特征
漏源导通电阻
源极 - 漏极二极管的正向
归一化导通电阻
R
ON
@ T = 25℃ ： 2.8mΩ
T
j
- 结温（ ° C）
I
S
- 源电流（ A）
V
SD
- 源极 - 漏极电压（ V）
电容
栅极电荷
V
DS
- 漏源电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
- 电容（pF ）
Q
G
- 栅极电荷（ NC）
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