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RU2H50Q
N沟道先进的功率MOSFET
MOSFET
特点
200V / 60A ，
R
DS （ ON）
=34
m
（类型） @ V
GS
=10V
低栅电荷
快速开关
100％的雪崩测试
175 ° C工作温度
无铅，符合RoHS标准
引脚说明
TO-247
应用
开关应用
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
符号
参数
等级
200
±25
175
-55至175
T
C
=25°C
60
①
单位
通用等级
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
V
DSS
V
GSS
T
J
T
英镑
I
S
I
DP
I
D
漏源电压
栅源电压
最高结温
存储温度范围
二极管连续正向电流
V
°C
°C
A
安装在大型散热片
300μS脉冲漏极电流测试
连续漏电流
T
C
=25°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
P
D
R
θJC
③
230
60
A
A
②
最大功率耗散
热阻，结到管壳
T
C
=25°C
T
C
=100°C
45
326
163
②
W
° C / W
0.46
漏源雪崩额定值
E
AS
雪崩能量，单脉冲
157
mJ
Copyright Ruichips半导体有限公司
修订版C-二月， 2012
www.ruichips.com
RU2H50Q
电气特性
符号
静态特性
BV
DSS
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
④
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
RU2H50Q
分钟。
典型值。
马克斯。
参数
测试条件
单位
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
= 0V时，我
DS
=250A
V
DS
= 200V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250A
V
GS
=±25V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
DS
=28A
200
1
30
2
3
4
±100
34
40
V
A
V
nA
m
二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
④
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
⑤
I
SD
= 28A ，V
GS
=0V
I
SD
= 28A ， DL
SD
/dt=100A/s
212
980
1.2
V
ns
nC
动态特性
R
G
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
⑤
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
=50V,
Frequency=1.0MHz
3.8
4550
620
155
18
70
56
45
pF
V
DD
= 100V ，R
L
=35,
I
DS
= 28A ，V
根
= 10V,
R
G
=6
ns
栅极电荷特性
Q
g
Q
gs
Q
gd
注意事项：
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
=160V, V
GS
= 10V,
I
DS
=28A
160
29
70
208
nC
脉冲宽度有限的安全工作区。
基于最大允许结温计算的连续电流。由电流限制
键合线。
限制T
JMAX
, I
AS
= 21A ，V
DD
= 60V ，R
G
= 47Ω ，起始物为
J
= 25°C.
脉冲测试;脉冲width≤300μs ，值班cycle≤2 ％ 。
通过设计保证，不受生产测试。
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修订版C-二月， 2012
2
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RU2H50Q
典型特征
功耗
漏电流
T
j
- 结温（ ° C）
I
D
- 漏电流（ A）
T
j
- 结温（ ° C）
安全工作区
P
合计
- 功率（W ）
瞬态热阻抗
V
DS
- 漏源电压（ V）
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3
标准化的有效瞬态
方波脉冲持续时间（秒）
I
D
- 漏电流（ A）
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RU2H50Q
典型特征
输出特性
漏源导通电阻
V
DS
- 漏源电压（ V）
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ MΩ）
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
漏源导通电阻
栅极阈值电压
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
归一化阈值电压
T
j
- 结温（ ° C）
4
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修订版C-二月， 2012
R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（ m ）
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RU2H50Q
典型特征
漏源导通电阻
源极 - 漏极二极管的正向
归一化导通电阻
T
j
- 结温（ ° C）
I
S
- 源电流（ A）
V
SD
- 源极 - 漏极电压（ V）
电容
栅极电荷
V
DS
- 漏源电压（ V）
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V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
- 电容（pF ）
Q
G
- 栅极电荷（ NC）
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