RU1HL13L
P沟道先进的功率MOSFET
MOSFET
特点
-100V / -13A ,
R
DS ( ON)
=160mΩ(tpy.)@V
GS
=-10V
R
DS ( ON)
=180mΩ(tpy.)@V
GS
=-4.5V
超级高密度电池设计
ESD保护
可靠,坚固耐用
100%的雪崩测试
提供无铅和绿色器件
(符合RoHS )
引脚说明
TO252
应用
电源管理
DC / DC转换器
P沟道MOSFET
绝对最大额定值
符号
参数
等级
-100
±20
175
-55至175
T
C
=25°C
-13
①
单位
通用等级
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
V
DSS
V
GSS
T
J
T
英镑
I
S
I
DP
I
D
漏源电压
栅源电压
最高结温
存储温度范围
二极管连续正向电流
V
°C
°C
A
安装在大型散热片
300μS脉冲漏极电流测试
连续漏电流
T
C
=25°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
P
D
R
θJC
②
-52
A
A
-13
-9
50
25
3
最大功率耗散
热阻,结到管壳
T
C
=25°C
T
C
=100°C
W
° C / W
漏源雪崩额定值
E
AS
雪崩能量,单脉冲
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mJ
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电气特性
符号
静态特性
BV
DSS
I
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
R
DS ( ON)
③
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
RU1HL13L
分钟。
典型值。
马克斯。
参数
测试条件
单位
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
= 0V时,我
DS
=-250A
V
DS
= -100V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=-250A
V
GS
=±16V, V
DS
=0V
V
GS
= -10V ,我
DS
=-8A
V
GS
= -4.5V ,我
DS
=-6A
-100
-1
-30
-1.5
-2
-2.7
±10
160
180
180
210
V
A
V
A
m
m
二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
③
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
④
I
SD
= -1A ,V
GS
=0V
I
SD
= -13A , DL
SD
/dt=100A/s
35
65
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
= -50V,
Frequency=1.0MHz
1.8
1840
270
140
13
V
DD
= -50V ,R
L
=3.8,
I
DS
= -13A ,V
根
=-10V,
R
G
=6
16
31
18
-1.2
V
ns
nC
pF
动态特性
R
G
栅极电阻
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
④
ns
栅极电荷特性
Q
g
Q
gs
Q
gd
注意事项:
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
脉冲宽度有限的安全工作区。
限制T
JMAX
, I
AS
= 15A ,V
DD
= -48V ,R
G
= 50Ω ,起始物为
J
= 25°C.
脉冲测试;脉冲width≤300μs ,值班cycle≤2 % 。
通过设计保证,不受生产测试。
28
V
DS
=-80V, V
GS
= -10V,
I
DS
=-13A
9
10
nC
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典型特征
功耗
漏电流
T
j
- 结温( ° C)
-I
D
- 漏电流( A)
T
j
- 结温( ° C)
安全工作区
P
合计
- 功率(W )
瞬态热阻抗
-V
DS
- 漏源电压( V)
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标准化的有效瞬态
方波脉冲持续时间(秒)
-I
D
- 漏电流( A)
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典型特征
输出特性
漏源导通电阻
-V
DS
- 漏源电压( V)
R
DS ( ON)
- 导通电阻( MΩ)
-I
D
- 漏电流( A)
-I
D
- 漏电流( A)
漏源导通电阻
栅极阈值电压
-V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
归一化阈值电压
T
j
- 结温( ° C)
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R
DS ( ON)
- 在 - 电阻( m )
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典型特征
漏源导通电阻
源极 - 漏极二极管的正向
归一化导通电阻
T
j
- 结温( ° C)
-I
S
- 源电流( A)
-V
SD
- 源极 - 漏极电压( V)
电容
栅极电荷
-V
DS
- 漏源电压( V)
-V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
- 电容(pF )
Q
G
- 栅极电荷( NC)
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