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RU1HE4D
N沟道先进的功率MOSFET
MOSFET
特点
100V / 4A ，
R
DS （ ON）
=
72m
（典型值）。
@
V
GS
=10V
R
DS （ ON）
=
80m
（典型值）。
@
V
GS
=4.5V
ESD保护
可靠，坚固耐用
超低导通电阻
无铅和绿色可用
引脚说明
SOT-223
应用
DC-DC变换器
电机驱动
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
符号
参数
等级
100
±20
150
-55到150
T
A
=25°C
T
A
=25°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
3
16
4
3.4
2.5
1.6
50
W
° C / W
①
单位
通用等级
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
V
DSS
V
GSS
T
J
T
英镑
I
S
漏源电压
栅源电压
最高结温
存储温度范围
二极管连续正向电流
V
°C
°C
A
A
A
安装在大型散热片
I
DP
300μS脉冲漏极电流测试
I
D
P
D
R
θJA
②
连续漏电流
最大功率耗散
热阻，结到环境
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版本A - 四月， 2011
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RU1HE4D
电气特性
符号
静态特性
BV
DSS
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
③
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
RU1HE4D
分钟。
典型值。
马克斯。
参数
测试条件
单位
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
= 0V时，我
DS
=250A
V
DS
= 100V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250A
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
DS
=3.7A
V
GS
= 4.5V ，我
DS
=2A
100
1
30
1.5
2.0
2.7
±10
72
80
80
95
V
A
V
uA
m
m
二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
③
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
④
I
SD
= 2.5A ，V
GS
=0V
I
SD
= 2.5A ， DL
SD
/dt=100A/s
40
75
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
= 50V,
Frequency=1.0MHz
0.7
465
46
25
5
V
DD
= 50V ，R
L
=20,
I
DS
= 2.5A ，V
根
= 10V,
R
G
=25
7
11
6
1.1
V
ns
nC
pF
动态特性
R
G
栅极电阻
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
④
ns
栅极电荷特性
Q
g
Q
gs
Q
gd
注意事项：
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
- 电流
受最高结温。
当
安装在1平方英寸的铜电路板，T
≤10sec.
*脉冲
试验;脉冲width≤300
S，值班cycle≤2 ％ 。
⑤Guaranteed
按照设计，不受生产测试。
18
V
DS
=80V, V
GS
= 10V,
I
DS
=2.5A
5
6
22
nC
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2
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RU1HE4D
典型特征
功耗
漏电流
T
j
- 结温（ ° C）
I
D
- 漏电流（ A）
T
j
- 结温（ ° C）
P
合计
- 功率（W ）
安全工作区
瞬态热阻抗
V
DS
- 漏源电压（ V）
标准化的有效瞬态
方波脉冲持续时间（秒）
3
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I
D
- 漏电流（ A）
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RU1HE4D
典型特征
输出特性
漏源导通电阻
V
DS
- 漏源电压（ V）
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ MΩ）
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
栅极阈值电压
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
归一化阈值电压
T
j
- 结温（ ° C）
4
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R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（ m ）
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RU1HE4D
典型特征
漏源导通电阻
源极 - 漏极二极管的正向
归一化导通电阻
T
j
- 结温（ ° C）
I
S
- 源电流（ A）
V
SD
- 源极 - 漏极电压（ V）
电容
栅极电荷
V
DS
- 漏源电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
- 电容（pF ）
Q
G
- 栅极电荷（ NC）
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