【RU1HE3HN沟道先进的功率MOSFETMOSFET特点 100V / 3A ，RDS （ ON）】,IC型号RU1HE3H,RU1HE3H PDF资料,RU1HE3H经销商,ic,电子元器件-51电子网

RU1HE3H

N沟道先进的功率MOSFET

MOSFET

特点

100V / 3A ，

DS （ ON）

=135

（ TYP 。） @ V

=10V

DS （ ON）

=150

（ TYP 。） @ V

=4.5V

超级高密度电池设计

可靠，坚固耐用

ESD保护

引脚说明

SOP-8

无铅和绿色可用

应用

转换器

LED背光

绝对最大额定值

符号

参数

通用等级

= 25 ° C除非另有说明）

DSS

GSS

英镑

漏源电压

栅源电压

最高结温

存储温度范围

二极管连续正向电流

N沟道MOSFET

等级

100

±20

150

-55到150

=25°C

①

单位

°C

安装在大型散热片

300μS脉冲漏极电流测试

连续漏电流

=25°C

=70°C

θJA

②

2.4

2.5

1.6

最大功率耗散

热阻，结到环境

=25°C

=70°C

° C / W

修订版A-七月， 2011

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电气特性

符号

静态特性

DSS

GS （ TH）

GSS

DS （ ON）

③

= 25 ° C除非另有说明）

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分钟。

典型值。

马克斯。

参数

测试条件

单位

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极阈值电压

栅极漏电流

漏源导通电阻

= 0V时，我

=250A

= 100V, V

=0V

=85°C

, I

=250A

=±16V, V

=0V

= 10V ，我

=3A

= 4.5V ，我

=2A

100

1.5

2.7

±10

135

150

180

二极管的特性

③

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

④

= 2.5A ，V

=0V

= 2.5A ， DL

/dt=100A/s

=0V,V

=0V,F=1MHz

=0V,

= 50V,

Frequency=1.0MHz

0.6

950

= 50V ，R

=20,

= 2.5A ，V

根

= 10V,

1.2

动态特性

栅极电阻

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

④

栅极电荷特性

注意事项：

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

脉冲宽度有限的安全工作区。

当

安装在1平方英寸的铜电路板，T

≤10sec.

脉冲测试;脉冲width≤300μs ，值班cycle≤2 ％。

通过设计保证，不受生产测试。

=80V, V

= 10V,

=2.5A

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典型特征

功耗

漏电流

- 结温（ ° C）

- 漏电流（ A）

- 结温（ ° C）

合计

- 功率（W ）

安全工作区

瞬态热阻抗

- 漏源电压（ V）

修订版A-七月， 2011

标准化的有效瞬态

方波脉冲持续时间（秒）

- 漏电流（ A）

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典型特征

输出特性

漏源导通电阻

- 漏源电压（ V）

DS （ ON）

- 导通电阻（ MΩ）

- 漏电流（ A）

漏源导通电阻

栅极阈值电压

- 栅极 - 源极电压（ V）

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归一化阈值电压

- 结温（ ° C）

DS （ ON）

- 在 - 电阻（ m ）

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典型特征

漏源导通电阻

源极 - 漏极二极管的正向

归一化导通电阻

- 结温（ ° C）

- 源电流（ A）

- 源极 - 漏极电压（ V）

电容

栅极电荷

- 漏源电压（ V）

- 栅极 - 源极电压（ V）

- 电容（pF ）

- 栅极电荷（ NC）

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