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RU1HC2H
互补的先进的功率MOSFET
MOSFET
特点
N沟道
100V/3.5A,
R
DS （ ON）
=75
m
（类型） @ V
GS
=10V
R
DS （ ON）
=80
m
（类型） @ V
GS
=4.5V
P沟道
-100V/-2.5A,
R
DS （ ON）
=155
m
（类型） @ V
GS
=-10V
R
DS （ ON）
=175
m
（类型） @ V
GS
=-4.5V
可靠，坚固耐用
ESD保护
无铅和绿色可用
引脚说明
SOP-8
应用
在笔记本电脑的电源管理
计算机。
互补MOSFET
绝对最大额定值
符号
参数
N沟道
100
±20
150
-55到150
3.5
①
P沟道
-100
±20
150
-55到150
-2.5
①
单位
通用等级
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
V
DSS
V
GSS
T
J
T
英镑
I
S
漏源电压
栅源电压
最高结温
存储温度范围
二极管连续正向电流T
C
=25°C
V
°C
°C
A
安装在大型散热片
I
DP
I
D
300μS脉冲漏极电流测试牛逼
C
=25°C
连续漏电流
T
C
=25°C
T
C
=70°C
P
D
R
θJA
②
14
-10
A
A
3.5
2.9
2
1.3
62.5
-2.5
-2
最大功率耗散
T
C
=25°C
T
C
=70°C
W
° C / W
热阻，结到环境
Copyright Ruichips半导体有限公司
启B-三月2011
www.ruichips.com
RU1HC2H
电气特性
符号
静态特性
BV
DSS
V
GS
=0V,I
DS
=250A
漏源击穿电压
V
GS
=0V,I
DS
=-250A
V
DS
=100V, V
GS
=0V
I
DSS
零栅极电压漏极电流
T
J
=85°C
V
DS
=-100V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
GS （ TH）
I
GSS
栅极阈值电压
V
DS
=V
GS
,I
DS
=250A
V
DS
=V
GS
,I
DS
=-250A
栅极漏电流
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
DS
=2A
N
R
DS （ ON）
③
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
RU1HC2H
分钟。
典型值。
马克斯。
参数
测试条件
单位
N
P
N
P
N
P
N
P
100
-100
1
30
-1
-30
1.5
-1.5
2
-2
2.7
-2.7
±10
±10
75
80
155
85
95
V
A
V
A
A
V
GS
= 4.5V ，我
DS
=1.5A
漏源导通电阻
V
GS
= -10V ，我
DS
=-2A
P
V
GS
= -4.5V ，我
DS
=-1.5A
m
170
195
175
二极管的特性
V
SD
③
I
SD
= 1A ，V
GS
=0V
二极管的正向电压
I
SD
= -1A ，V
GS
=0V
N沟道
I
SD
=3.5A,
dl
SD
/dt=100A/s
P沟道
I
SD
=-2.5A,
dl
SD
/dt=100A/s
N
P
N
P
N
P
42
1.2
-1.2
V
V
t
rr
反向恢复时间
ns
52
43
nC
75
Q
rr
反向恢复电荷
Copyright Ruichips半导体有限公司
启B-三月2011
2
www.ruichips.com
RU1HC2H
电气特性
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
④
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
④
N沟道
V
GS
=0V,
V
DS
=50V,
Frequency=1.0MHz
P沟道
V
GS
=0V,
V
DS
=-50V,
Frequency=1.0MHz
N沟道
V
DD
= 50V ，R
L
=30,
I
DS
= 3.5A ，V
根
= 10V,
R
G
=6
P沟道
V
DD
= -50V ，R
L
=30,
I
DS
= -2.5A ，V
根
= -10V,
R
G
=6
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
1520
1630
134
191
62
83
12
16
24
28
34
45
18
24
ns
pF
栅极电荷特性
Q
g
Q
gs
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
N沟道
V
DS
=80V, V
GS
= 10V,
I
DS
=3.5A
P沟道
V
DS
=-80V, V
GS
= -10V,
I
DS
=-2.5A
N
P
N
P
N
P
18
23
4
7
5
6
nC
Q
gd
栅极 - 漏极电荷
注意事项：
脉冲宽度有限的安全工作区。
当
安装在1平方英寸的铜电路板，T
≤10sec.
脉冲测试;脉冲width≤300μs ，值班cycle≤2 ％ 。
通过设计保证，不受生产测试。
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3
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RU1HC2H
典型特性（ N沟道）
功耗
漏电流
T
j
- 结温（ ° C）
I
D
- 漏电流（ A）
T
j
- 结温（ ° C）
P
合计
- 功率（W ）
安全工作区
瞬态热阻抗
V
DS
- 漏源电压（ V）
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4
标准化的有效瞬态
方波脉冲持续时间（秒）
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I
D
- 漏电流（ A）
RU1HC2H
典型特性（ N沟道）
输出特性
漏源导通电阻
V
DS
- 漏源电压（ V）
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ MΩ）
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
漏源导通电阻
栅极阈值电压
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
归一化阈值电压
T
j
- 结温（ ° C）
5
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R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（ m ）
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RC28F640J3A-150
RE5RE22AC
R5F2L367CDFP
RPT86FS
RX3034B70W
R5F3650NNFA
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供货商
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