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RU190N10
N沟道先进的功率MOSFET
特点
引脚说明
·
100V/190A
R
DS
(上)
= 6.5mΩ (典型值) @ V
GS
=10V
·
额定雪崩
·
可靠,坚固耐用
·
无铅和绿色设备可用
应用
TO-220
TO-220F
TO-263
TO-247
·
汽车应用和一个宽
各种其它应用
·
高效率同步开关电源中
·
高速电源开关
绝对最大额定值
符号
参数
N沟道MOSFET
等级
单位
通用等级
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
V
DSS
V
GSS
T
J
T
英镑
漏源电压
栅源电压
最高结温
存储温度范围
二极管连续正向电流
T
C
=25°C
100
±25
175
-55至175
190
V
°C
°C
A
I
S
安装在大型散热片
I
DP
I
D
P
D
R
θJC
R
θJA
300μS漏电流脉冲测试
继续漏电流
最大功率耗散
热阻-Junction到案
热阻,结到环境
T
C
=25°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
700
190
A
140
400
220
0.45
62.5
W
° C / W
漏源雪崩额定值
E
AS
雪崩能量,单脉冲
存储温度范围
2000
mJ
-55到150
Copyright Ruichips半导体有限公司
版本C - 一月, 2010
www.ruichips.com
RU190N10
电气特性
符号
静态特性
BV
DSS
I
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
R
DS ( ON)
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
RU190N10
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
= 0V时,我
DS
=250A
V
DS
= 100V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250A
V
GS
=±25V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ,我
DS
=60A
100
1
30
2
3
4
±100
6.5
8.0
V
A
V
nA
m
二极管的特性
V
SD
t
rr
q
rr
二极管的正向电压
反向恢复时间
I
SD
= 60 A,V
GS
=0V
I
SD
= 60A , DL
SD
/dt=100A/s
0.8
68
130
1.3
V
ns
nC
反向恢复电荷
动态特性
R
G
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
= 30V,
Frequency=1.0MHz
1.0
6700
1000
510
23
41
70
pF
V
DD
= 35V ,R
L
=35,
I
DS
= 1A ,V
= 10V,
R
G
=6
42
120
75
ns
210
140
栅极电荷特性
Q
g
Q
gs
Q
gd
注意事项:
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
宽度由安全工作区的限制。
- 电流
受包(限制电流为75A )
*脉冲
试验;脉冲width≤300
S,值班cycle≤2 % 。
⑤Guaranteed
按照设计,不受生产测试。
155
V
DS
=30V, V
GS
= 10V,
I
DS
=60A
45
48
220
nC
Copyright Ruichips半导体有限公司
版本C - 一月, 2010
2
www.ruichips.com
RU190N10
典型特征
功耗
漏电流
I
D
- 漏电流( A)
TJ - 结温( ° C)
T
j
- 结温( ° C)
安全工作区
瞬态热阻抗
V
DS
- 漏源电压( V)
P合计 - 功率(W )
标准化的有效瞬态
方波脉冲持续时间(秒)
3
Copyright Ruichips半导体有限公司
版本C - 一月, 2010
I
D
- 漏电流( A)
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RU190N10
典型特征
输出特性
漏源导通电阻
V
DS
- 漏源电压( V)
R
DS ( ON)
- 导通电阻( MΩ)
I
D
- 漏电流( A)
I
D
- 漏电流( A)
漏源导通电阻
栅极阈值电压
RDS (ON ) - 在 - 电阻(mΩ )
VGS - 栅极 - 源极电压( V)
归一化的阈值Vlotage
TJ - 结温( ° C)
Copyright Ruichips半导体有限公司
版本C - 一月, 2010
4
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RU190N10
典型特征
漏源导通电阻
源极 - 漏极二极管的正向
归一化导通电阻
R
ON
@ T = 25℃ : 7.0mΩ
T
j
- 结温( ° C)
I
S
- 源电流( A)
V
SD
- 源极 - 漏极电压( V)
电容
栅极电荷
V
DS
- 漏源电压( V)
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
- 电容(pF )
Q
G
- 栅极电荷( NC)
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版本C - 一月, 2010
5
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