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RTR020N05
晶体管
2.5V驱动N沟道MOS FET
RTR020N05
结构
硅N沟道MOS FET
外形尺寸
（单位：毫米）
í
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特点
1）低导通电阻。
2 ）节省空间的小型表面贴装封装（ TSMT3 ） 。
3 ）低电压驱动（ 2.5V驱动器） 。
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应用
开关
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内部电路
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绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ）
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RTR020N05
晶体管
电气特性
（ TA = 25℃ ）
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（源极 - 漏极） （TA = 25℃ ）
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附录
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Appendix1-Rev1.1
RTR020N05
晶体管
2.5V驱动N沟道MOS FET
RTR020N05
结构
硅N沟道MOS FET
外形尺寸
（单位：毫米）
í
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特点
1）低导通电阻。
2 ）节省空间的小型表面贴装封装（ TSMT3 ） 。
3 ）低电压驱动（ 2.5V驱动器） 。
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应用
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RTR020N05
晶体管
电气特性
（ TA = 25℃ ）
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Appendix1-Rev1.1
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