【RTQ045N03晶体管2.5V驱动N沟道MOS FETRTQ045N03结构硅N沟道MOS FET】,IC型号RTQ045N03TR,RTQ045N03TR PDF资料,RTQ045N03TR经销商,ic,电子元器件-51电子网

RTQ045N03

晶体管

2.5V驱动N沟道MOS FET

RTQ045N03

结构

硅N沟道

MOS FET

外形尺寸

（单位：毫米）

TSMT6

1.0MAX

0.85

0.7

2.9

1.9

0.95 0.95

特点

1）低导通电阻。

2 ）内置G -S保护二极管。

3 ）小型表面贴装封装（ TSMT6 ）。

(6)

(5)

(4)

1.6

2.8

0~0.1

(1)

(2)

(3)

1PIN MARK

0.4

0.16

每根导线具有相同的尺寸

缩写符号： QM

应用

电源开关， DC / DC变换器。

包装规格

包

TYPE

RTQ045N03

CODE

基本订购单位（件）

TAPING

3000

等效电路

(6)

(5)

(4)

(6)

(5)

(4)

0.3~0.6

(1)

(2)

(3)

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

源出电流

（体二极管）

总功耗

通道温度

储存温度

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

安装在陶瓷板上。

(1)

(2)

(3)

连续

脉冲

连续

脉冲

符号

DSS

GSS

总胆固醇

TSTG

范围

±4.5

±18

1.0

4.0

1.25

150

55~+150

单位

°C

ESD保护二极管

体二极管

（ 1 ）排水

（ 2 ）排水

（ 3 ）门

（ 4 ）资料来源

（ 5 ）排水管

（ 6 ）排水

保护二极管被包含在栅极和间

源端，以防止静电的二极管

电时，该产品在使用中。使用保护

当固定电压超过电路。

热阻

参数

渠道环境

安装在陶瓷板上。

符号

RTH （ CH -A ）

范围

100

单位

°C

/ W

REV.C

1/3

RTQ045N03

晶体管

电气特性

(Ta=25°C)

参数

符号

分钟。

0.5

4.5

典型值。

540

150

100

7.6

1.2

2.7

马克斯。

±10

1.5

10.7

栅源漏

GSS

漏源击穿电压

（ BR ） DSS

零栅极电压漏极电流

DSS

栅极阈值电压

GS （ TH）

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源

收费

栅极 - 漏极

收费

*脉冲

单位

条件

=±12V,

=0V

=1mA,

=0V

=30V,

=0V

=10V,

=1mA

=4.5A,

=4.5V

=4.5A,

=4V

=4.5A,

=2.5V

=4.5A,

=10V

=0V

f=1MHz

=2.25A,

15V

=4.5V

=6.67

=10

15V

=4.5V

=4.5A

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

体二极管的特性

（源极 - 漏极）（ TA = 25 ° C）

参数

正向电压

*脉冲

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

1.2

单位

条件

=4A,

=0V

REV.C

2/3

RTQ045N03

晶体管

电气特性曲线

1000

切换时间： T（ NS ）

国际空间站

电容：C （PF ）

100

D（关闭）

栅源电压： V

(V)

Ta=25°C

=15V

=4.5V

=10

脉冲

Ta=25°C

4.5 V

=15V

=4.5A

=10

3.5脉冲

2.5

1.5

0.5

100

OSS

RSS

D（上）

Ta=25°C

f=1MHz

=0V

0.01

0.1

100

0.01

0.1

漏源电压： V

(V)

漏电流：我

(A)

总栅极电荷：的Qg （ NC ）

图1典型电容

与漏源电压

图2开关特性

图3动态输入特性

=10V

脉冲

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

25°C

静态漏源

通态电阻：

DS （ ON）

(m)

100

Ta=25°C

脉冲

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

25°C

=0V

脉冲

源电流：我

(A)

漏电流：我

(A)

=2.25A

0.1

=4.5A

0.1

0.01

0.001

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

0.01

0.0

0.5

1.0

1.5

栅源电压： V

(V)

栅源电压： V

(V)

源极 - 漏极电压： V

(V)

图4典型的传输特性

图5静态漏源

通态电阻VS.

栅源电压

图6源电流和

源 - 漏电压

静态漏源

通态电阻：

DS （ ON）

(m)

静态漏源

通态电阻：

DS （ ON）

(m)

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

25°C

=4.5V

脉冲

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

25°C

=4V

脉冲

静态漏源

通态电阻：

DS （ ON）

(m)

1000

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

25°C

=2.5V

脉冲

100

0.1

漏电流：我

(A)

漏电流：我

(A)

漏电流：我

(A)

图7静态漏源

导通状态电阻

与漏电流（ Ι ）

图8静态漏源

导通状态电阻

与漏电流（ ΙΙ ）

图9静态漏源

导通状态电阻

与漏电流（ ΙΙΙ ）

REV.C

3/3

附录

笔记

本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输

指无ROHM CO 。， LTD事先许可。

本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为

本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请

该规范将单独提供。

此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子

在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境

并决定在集合中的电路常数。

任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述

仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM

股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权

第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任

凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接

在使用这样的装置的。

一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或

以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业

利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利

罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。

本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。

本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用

（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气

电器及电子玩具）。

如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平

可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，

交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等

安全设备），请务必提前与我们的销售代表咨询。

关于出口管制令日本

产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）

订单在日本。

在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）

对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。

Appendix1-Rev1.1