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RTQ030P02
晶体管
DC-DC转换器（ -20V ，
3.0A)
RTQ030P02
特点
1 ）低导通电阻（ 110mΩ ，在2.5V ）
2 ）高功率封装。
3 ）高速开关。
4 ）低电压驱动。 （ 2.5V ）
外形尺寸
（单位：毫米）
TSMT6
2.8
1.6
(3) (2) (1)
(4) (5) (6)
0.16
0.4
每根导线具有相同的尺寸
Abbreviatedsymbol ： TS
应用
DC-DC变换器
结构
硅P沟道
MOSFET
等效电路
(6)
(5)
(4)
包装规格
包
TYPE
CODE
基本订购单位
（件）
RTQ030P02
(1)
(2)
2
TAPING
TR
3000
1
(1)DRAIN
(2)DRAIN
(3)GATE
(4)SOURCE
(5)DRAIN
(6)DRAIN
0.85
(3)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
2.9
1/4
RTQ030P02
晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
总功耗
通道温度
储存温度范围
＆ LT ;
＆ LT ;
1 P W
=
为10μs ，占空比
=
1%
2装在一个陶瓷基板
符号
V
DSS
V
GSS
连续
脉冲
连续
脉冲
I
D
I
DP
I
S
I
SP
P
D
总胆固醇
TSTG
范围
20
±12
±3
±12
1
4
1.25
150
55~+150
单位
V
V
A
A
A
A
°C
°C
1
1
W
2
电气特性
(Ta=25°C)
参数
栅源漏
符号
I
GSS
分钟。
20
0.7
典型值。
60
65
110
800
150
100
15
27
50
20
9.0
1.6
4.6
马克斯。
±10
1
2.0
80
90
150
单位
A
V
A
V
m
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
I
D
=1.5A
V
DD
15V
V
GS
=4.5V
R
L
=10
R
GS
=10
V
DD
15V
V
GS
=4.5V
I
D
=3A
V
DS
=10V,V
GS
=0V
f=1MHz
条件
V
GS
=
±12V,
V
DS
=0V
I
D
=1
毫安，V
GS
=0V
,
V
DS
=20V,
V
GS
=0V
V
DS
=10V,
I
D
=1
mA
I
D
=3A,
V
GS
=4.5V
I
D
=3A,
V
GS
=4V
I
D
=1.5A,
V
GS
=2.5V
V
DS
=10V,
I
D
=1.5A
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
I
DSS
V
GS （ TH）
静态漏源导通状态
阻力
FOWARD转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
2.0
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Qg
QGS
QGD
体二极管的特性（源极 - 漏极特性）
正向电压
VSD
1.2
V
I
S
=1A,
V
GS
=0V
2/4
RTQ030P02
晶体管
电气特性曲线
10
漏电流：
I
D
(A)
1
Ta=125
C
75
C
25
C
25
C
静态漏源导通电阻
R
DS
（上） [毫欧]
V
DS
=10V
脉冲
1000
静态漏源导通电阻
R
DS
（上） [毫欧]
TA = 25℃
脉冲
1000
V
GS
=4.5V
脉冲
V
GS
=4V
4.5V
10V
Ta=125
75
25
25
C
C
C
C
0.1
100
100
0.01
0.001
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
栅源电压
: V
GS
[V]
漏电流
: I
D
[A]
图1典型的传输特性
图2静态漏源导通状态
阻力
VS.DRAIN CURRENT
漏电流
: I
D
[A]
图3静态漏源导通状态
阻力
VS.DRAIN CURRENT
1000
静态漏源导通电阻
R
DS
（上） [毫欧]
静态漏源导通电阻
R
DS
（上） [毫欧]
V
GS
=4V
脉冲
1000
V
GS
=2.5V
脉冲
10
反向漏电流
: I
DR
[A]
V
GS
=0V
脉冲
Ta=125
C
75
C
25
C
25
C
Ta=125
75
25
25
C
C
C
C
1
100
100
Ta=125
75
25
25
C
C
C
C
0.1
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
0.01
0
0.5
1.0
1.5
2.0
漏电流
: I
D
[A]
漏电流
: I
D
[A]
源极 - 漏极电压
: V
SD
[V]
图4静态漏源导通状态
阻力
vs.Drain电流
图5静态漏源导通状态
阻力
vs.Drain电流
图6反向漏电流
与
源 - 漏电压
10000
栅源电压： -V
GS
[V]
TA = 25℃
f=1MHz
V
GS
=0V
1000
TA = 25℃
V
DD
=15V
V
GS
=4.5V
R
G
=10
脉冲
8
7
6
5
4
3
2
1
TA = 25℃
V
DD
=15V
I
D
=3.0V
R
G
=10
脉冲
电容
:
C
[ pF的]
开关时间
:
t
[ NS ]
1000
西塞
100
TD （关闭）
tf
TD （上）
100
科斯
CRSS
10
tr
10
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
0
0
2
4
6
8
10
12
漏源电压
: V
DS
[V]
漏电流
: I
D
[A]
图7典型Capactitance
vs.Drain源电压
总栅极电荷
:
QG [ NC ]
图8的开关特性
图9动态输入特性
3/4
RTQ030P02
晶体管
测量电路
V
GS
10%
50%
脉冲宽度
50%
90%
10%
10%
V
GS
I
D
D.U.T.
R
L
V
DS
V
DS
90%
90%
R
G
V
DD
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
图10开关时间测量电路
图11开关波形
V
G
Qg
V
GS
V
GS
I
G
（常量）
I
D
V
DS
QGS
R
G
D.U.T.
R
L
QGD
V
DD
收费
图12栅极电荷测量电路
图13栅极电荷波形
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
RTQ030P02
晶体管
DC-DC转换器（ -20V ，
3.0A)
RTQ030P02
特点
1 ）低导通电阻（ 110mΩ ，在2.5V ）
2 ）高功率封装。
3 ）高速开关。
4 ）低电压驱动。 （ 2.5V ）
外形尺寸
（单位：毫米）
TSMT6
2.8
1.6
(3) (2) (1)
(4) (5) (6)
0.16
0.4
每根导线具有相同的尺寸
Abbreviatedsymbol ： TS
应用
DC-DC变换器
结构
硅P沟道
MOSFET
等效电路
(6)
(5)
(4)
包装规格
包
TYPE
CODE
基本订购单位
（件）
RTQ030P02
(1)
(2)
2
TAPING
TR
3000
1
(1)DRAIN
(2)DRAIN
(3)GATE
(4)SOURCE
(5)DRAIN
(6)DRAIN
0.85
(3)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
2.9
1/4
RTQ030P02
晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
总功耗
通道温度
储存温度范围
＆ LT ;
＆ LT ;
1 P W
=
为10μs ，占空比
=
1%
2装在一个陶瓷基板
符号
V
DSS
V
GSS
连续
脉冲
连续
脉冲
I
D
I
DP
I
S
I
SP
P
D
总胆固醇
TSTG
范围
20
±12
±3
±12
1
4
1.25
150
55~+150
单位
V
V
A
A
A
A
°C
°C
1
1
W
2
电气特性
(Ta=25°C)
参数
栅源漏
符号
I
GSS
分钟。
20
0.7
典型值。
60
65
110
800
150
100
15
27
50
20
9.0
1.6
4.6
马克斯。
±10
1
2.0
80
90
150
单位
A
V
A
V
m
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
I
D
=1.5A
V
DD
15V
V
GS
=4.5V
R
L
=10
R
GS
=10
V
DD
15V
V
GS
=4.5V
I
D
=3A
V
DS
=10V,V
GS
=0V
f=1MHz
条件
V
GS
=
±12V,
V
DS
=0V
I
D
=1
毫安，V
GS
=0V
,
V
DS
=20V,
V
GS
=0V
V
DS
=10V,
I
D
=1
mA
I
D
=3A,
V
GS
=4.5V
I
D
=3A,
V
GS
=4V
I
D
=1.5A,
V
GS
=2.5V
V
DS
=10V,
I
D
=1.5A
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
I
DSS
V
GS （ TH）
静态漏源导通状态
阻力
FOWARD转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
2.0
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Qg
QGS
QGD
体二极管的特性（源极 - 漏极特性）
正向电压
VSD
1.2
V
I
S
=1A,
V
GS
=0V
2/4
RTQ030P02
晶体管
电气特性曲线
10
漏电流：
I
D
(A)
1
Ta=125
C
75
C
25
C
25
C
静态漏源导通电阻
R
DS
（上） [毫欧]
V
DS
=10V
脉冲
1000
静态漏源导通电阻
R
DS
（上） [毫欧]
TA = 25℃
脉冲
1000
V
GS
=4.5V
脉冲
V
GS
=4V
4.5V
10V
Ta=125
75
25
25
C
C
C
C
0.1
100
100
0.01
0.001
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
栅源电压
: V
GS
[V]
漏电流
: I
D
[A]
图1典型的传输特性
图2静态漏源导通状态
阻力
VS.DRAIN CURRENT
漏电流
: I
D
[A]
图3静态漏源导通状态
阻力
VS.DRAIN CURRENT
1000
静态漏源导通电阻
R
DS
（上） [毫欧]
静态漏源导通电阻
R
DS
（上） [毫欧]
V
GS
=4V
脉冲
1000
V
GS
=2.5V
脉冲
10
反向漏电流
: I
DR
[A]
V
GS
=0V
脉冲
Ta=125
C
75
C
25
C
25
C
Ta=125
75
25
25
C
C
C
C
1
100
100
Ta=125
75
25
25
C
C
C
C
0.1
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
0.01
0
0.5
1.0
1.5
2.0
漏电流
: I
D
[A]
漏电流
: I
D
[A]
源极 - 漏极电压
: V
SD
[V]
图4静态漏源导通状态
阻力
vs.Drain电流
图5静态漏源导通状态
阻力
vs.Drain电流
图6反向漏电流
与
源 - 漏电压
10000
栅源电压： -V
GS
[V]
TA = 25℃
f=1MHz
V
GS
=0V
1000
TA = 25℃
V
DD
=15V
V
GS
=4.5V
R
G
=10
脉冲
8
7
6
5
4
3
2
1
TA = 25℃
V
DD
=15V
I
D
=3.0V
R
G
=10
脉冲
电容
:
C
[ pF的]
开关时间
:
t
[ NS ]
1000
西塞
100
TD （关闭）
tf
TD （上）
100
科斯
CRSS
10
tr
10
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
0
0
2
4
6
8
10
12
漏源电压
: V
DS
[V]
漏电流
: I
D
[A]
图7典型Capactitance
vs.Drain源电压
总栅极电荷
:
QG [ NC ]
图8的开关特性
图9动态输入特性
3/4
RTQ030P02
晶体管
测量电路
V
GS
10%
50%
脉冲宽度
50%
90%
10%
10%
V
GS
I
D
D.U.T.
R
L
V
DS
V
DS
90%
90%
R
G
V
DD
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
图10开关时间测量电路
图11开关波形
V
G
Qg
V
GS
V
GS
I
G
（常量）
I
D
V
DS
QGS
R
G
D.U.T.
R
L
QGD
V
DD
收费
图12栅极电荷测量电路
图13栅极电荷波形
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
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推荐型号
RK1171110-F15-C1-B203
RURG80100
RT9011-MMGQW
RC55C-2K15DI
RN73C2A4K99BTDF
RN73C2A15K8BTG
RN5VS39AC-TL
R36120
RP-21020
RJ-0924DHP
RN5VL27A-TL
RP40-1205SE
RD10EB7
RF-XX12D
REC20-2412SRWBZH
RN1901
RN5VS21CC
RSZ-1014
RD3V6EB2
REC7.5-4815DRWH3AM
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    RTQ030P02TR
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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