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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第511页 > RTL030P02
RTL030P02
晶体管
DC-DC转换器( -20V ,
3.0A)
RTL030P02
!
特点
1)低导通电阻。 ( 80mΩ ,在2.5V )
2 )高功率封装。
3 )高速开关。
4 )低电压驱动。 ( 2.5V )
!
外形尺寸
(单位:毫米)
TUMT6
0.2
2.0±0.1
0.3
+0.1
0.05
(6)
(5)
(4)
2.1±0.1
1.7±0.1
0~0.1
(1)
(2)
(3)
!应用
DC-DC变换器
( 1 )排水
( 2 )排水
( 3 )门
( 4 )资料来源
( 5 )排水管
( 6 )排水
0.2
1PIN MARK
0.65 0.65
1.3±0.1
0.17±0.05
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号: WN
!
结构
硅P沟道
MOS FET
!
等效电路
(6)
(5)
(4)
2
!
包装规格
TYPE
RTL030P02
CODE
基本订购单位(件)
TAPING
TR
3000
(1)
(2)
(3)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
1
( 1 )排水
( 2 )排水
( 3 )门
( 4 )资料来源
( 5 )排水管
( 6 )排水
0.2MAX
0.85MAX
0.77±0.05
1/4
RTL030P02
晶体管
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
(体二极管)
总功耗
通道温度
储存温度范围
1
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
2
安装在陶瓷基板
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
I
S
I
SP
P
D
总胆固醇
TSTG
范围
20
±12
±3
±12
0.8
12
1
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
1
1
2
!
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
I
GSS
栅源漏
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
R
DS ( ON)
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
分钟。
20
0.7
2.0
典型值。
50
55
90
760
125
100
12
25
50
22
8.0
1.5
2.5
马克斯。
±10
1
2.0
70
77
125
单位
A
V
A
V
m
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=±12V, V
DS
=0V
I
D
=
1mA,
V
GS
=0V
V
DS
=
20V,
V
GS
=0V
V
DS
=
10V,
I
D
=
1mA
I
D
=
3.0A,
V
GS
=
4.5V
I
D
=
3.0A,
V
GS
=
4V
I
D
=
1.5A,
V
GS
=
2.5V
V
DS
=
10V,
I
D
=
1.5A
V
DS
=
10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
=
1.5A
V
DD
15
V
V
GS
=
4.5V
R
L
=10
R
GS
=10
V
DD
15V
R
L
5
V
GS
=
4.5V
R
GS
=10
I
D
=
3A
体二极管的特性(源极 - 漏极特性)
VSD
1.2
正向电压
V
I
S
=
0.8A,
V
GS
=0V
2/4
RTL030P02
晶体管
!
电气特性曲线
静态漏源
通态电阻:
R
DS ( ON)
(m)
V
DS
= 10V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
静态漏源
通态电阻:
R
DS ( ON)
(m)
10
1000
Ta=25°C
脉冲
1000
V
GS
= 4.5V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
漏电流:
I
D
(A)
1
0.1
100
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 4.0V
V
GS
= 4.5V
100
0.01
0.001
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
栅源电压:
V
GS
(V)
漏电流:
I
D
(A)
漏电流:
I
D
(A)
图1典型的传输特性
图2静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
图3静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
静态漏源
通态电阻:
R
DS ( ON)
(m)
静态漏源
通态电阻:
R
DS ( ON)
(m)
1000
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
反向漏电流:
I
S
(A)
V
GS
= 4V
脉冲
1000
V
GS
= 2.5V
脉冲
10
V
GS
=0V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
1
100
0.1
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
0.01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
漏电流:
I
D
(A)
漏电流:
I
D
(A)
源极 - 漏极电压:
V
SD
(V)
图4静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
图5静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
图6反向漏电流 -
源 - 漏电压
10000
栅源电压:
V
GS
(V)
切换时间: T( NS )
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
10000
电容:C (PF )
1000
1000
C
国际空间站
Ta=25°C
V
DD
= 15V
V
GS
= 4.5A
R
G
=10
脉冲
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
Ta=25°C
V
DD
= 15V
I
D
= 3A
R
G
=10
脉冲
t
f
100
t
D(关闭)
10
100
C
OSS
C
RSS
t
r
t
D(上)
10
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
6
7
8
漏源电压:
V
DS
(V)
漏电流:
I
D
(A)
总栅极电荷:的Qg ( NC )
图7典型电容
与漏源电压
图8的开关特性
图9动态输入特性
3/4
RTL030P02
晶体管
!
测量电路
脉冲宽度
V
GS
I
D
R
L
D.U.T.
R
G
V
DD
V
DS
V
GS
10%
50%
10%
90%
50%
10%
90%
V
DS
90%
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
r
图10开关时间测量电路
图11开关波形
V
G
V
GS
I
D
R
L
I
G(常量)
D.U.T.
R
G
V
DD
V
DS
Q
g
V
GS
Q
gs
Q
gd
收费
图12栅极电荷测量电路
图13栅极电荷波形
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
RTL030P02
晶体管
DC-DC转换器( -20V ,
3.0A)
RTL030P02
!
特点
1)低导通电阻。 ( 80mΩ ,在2.5V )
2 )高功率封装。
3 )高速开关。
4 )低电压驱动。 ( 2.5V )
!
外形尺寸
(单位:毫米)
TUMT6
0.2
2.0±0.1
0.3
+0.1
0.05
(6)
(5)
(4)
2.1±0.1
1.7±0.1
0~0.1
(1)
(2)
(3)
!应用
DC-DC变换器
( 1 )排水
( 2 )排水
( 3 )门
( 4 )资料来源
( 5 )排水管
( 6 )排水
0.2
1PIN MARK
0.65 0.65
1.3±0.1
0.17±0.05
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号: WN
!
结构
硅P沟道
MOS FET
!
等效电路
(6)
(5)
(4)
2
!
包装规格
TYPE
RTL030P02
CODE
基本订购单位(件)
TAPING
TR
3000
(1)
(2)
(3)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
1
( 1 )排水
( 2 )排水
( 3 )门
( 4 )资料来源
( 5 )排水管
( 6 )排水
0.2MAX
0.85MAX
0.77±0.05
1/4
RTL030P02
晶体管
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
(体二极管)
总功耗
通道温度
储存温度范围
1
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
2
安装在陶瓷基板
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
I
S
I
SP
P
D
总胆固醇
TSTG
范围
20
±12
±3
±12
0.8
12
1
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
1
1
2
!
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
I
GSS
栅源漏
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
R
DS ( ON)
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
分钟。
20
0.7
2.0
典型值。
50
55
90
760
125
100
12
25
50
22
8.0
1.5
2.5
马克斯。
±10
1
2.0
70
77
125
单位
A
V
A
V
m
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=±12V, V
DS
=0V
I
D
=
1mA,
V
GS
=0V
V
DS
=
20V,
V
GS
=0V
V
DS
=
10V,
I
D
=
1mA
I
D
=
3.0A,
V
GS
=
4.5V
I
D
=
3.0A,
V
GS
=
4V
I
D
=
1.5A,
V
GS
=
2.5V
V
DS
=
10V,
I
D
=
1.5A
V
DS
=
10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
=
1.5A
V
DD
15
V
V
GS
=
4.5V
R
L
=10
R
GS
=10
V
DD
15V
R
L
5
V
GS
=
4.5V
R
GS
=10
I
D
=
3A
体二极管的特性(源极 - 漏极特性)
VSD
1.2
正向电压
V
I
S
=
0.8A,
V
GS
=0V
2/4
RTL030P02
晶体管
!
电气特性曲线
静态漏源
通态电阻:
R
DS ( ON)
(m)
V
DS
= 10V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
静态漏源
通态电阻:
R
DS ( ON)
(m)
10
1000
Ta=25°C
脉冲
1000
V
GS
= 4.5V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
漏电流:
I
D
(A)
1
0.1
100
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 4.0V
V
GS
= 4.5V
100
0.01
0.001
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
栅源电压:
V
GS
(V)
漏电流:
I
D
(A)
漏电流:
I
D
(A)
图1典型的传输特性
图2静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
图3静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
静态漏源
通态电阻:
R
DS ( ON)
(m)
静态漏源
通态电阻:
R
DS ( ON)
(m)
1000
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
反向漏电流:
I
S
(A)
V
GS
= 4V
脉冲
1000
V
GS
= 2.5V
脉冲
10
V
GS
=0V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
1
100
0.1
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
0.01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
漏电流:
I
D
(A)
漏电流:
I
D
(A)
源极 - 漏极电压:
V
SD
(V)
图4静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
图5静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
图6反向漏电流 -
源 - 漏电压
10000
栅源电压:
V
GS
(V)
切换时间: T( NS )
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
10000
电容:C (PF )
1000
1000
C
国际空间站
Ta=25°C
V
DD
= 15V
V
GS
= 4.5A
R
G
=10
脉冲
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
Ta=25°C
V
DD
= 15V
I
D
= 3A
R
G
=10
脉冲
t
f
100
t
D(关闭)
10
100
C
OSS
C
RSS
t
r
t
D(上)
10
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
6
7
8
漏源电压:
V
DS
(V)
漏电流:
I
D
(A)
总栅极电荷:的Qg ( NC )
图7典型电容
与漏源电压
图8的开关特性
图9动态输入特性
3/4
RTL030P02
晶体管
!
测量电路
脉冲宽度
V
GS
I
D
R
L
D.U.T.
R
G
V
DD
V
DS
V
GS
10%
50%
10%
90%
50%
10%
90%
V
DS
90%
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
r
图10开关时间测量电路
图11开关波形
V
G
V
GS
I
D
R
L
I
G(常量)
D.U.T.
R
G
V
DD
V
DS
Q
g
V
GS
Q
gs
Q
gd
收费
图12栅极电荷测量电路
图13栅极电荷波形
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    RTL030P02
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    终端采购配单精选

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电话:0512-67241533
联系人:王
地址:虎丘区龙湖中心1302室
RTL030P02
ROHM/罗姆
2220+
3456
sot-153
一级代理,全新原装正品,公司现货!
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电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
RTL030P02
ROHM
2019
36000
363
原装正品 钻石品质 假一赔十
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电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
RTL030P02
ROHM
2019
79600
TUMT6
原装正品 钻石品质 假一赔十
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电话:0755-83209630 82519391
联系人:许小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
RTL030P02
ROHM
24+
11880
SOT323
优势现货,只做原装正品
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电话:0755- 82519391 0755-83209630
联系人:李林
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
RTL030P02
ROHM/罗姆
24+
11584
SOT-363
全新原装正品现货低价
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
RTL030P02
ROHM/罗姆
2443+
23000
TUMT6
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
RTL030P02
ROHM
24+
27200
TUMT6
全新原装现货,原厂代理。
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电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
RTL030P02
ROHM
25+23+
36500
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绝对原装进口渠道优势商!全新原包原盒现货!
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电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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ROHM
21+22+
27000
TUMT6
原装正品
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联系人:高小姐/李先生
地址:深圳市福田区华强北路上步工业区鹏基上步工业厂房102栋西620
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ROHM
2025+
3365
SOT-26
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