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RTF015N03
N沟道30V 1.5A功率MOSFET
lOutline
数据表
V
DSS
R
DS （ ON）
（ MAX 。 ）
I
D
P
D
lFeatures
1 ）低导 - 性。
2 ）内置G -S保护二极管。
30V
240mW
1.5A
0.8W
TUMT3
(3)
(1)
(2)
lInner
电路
（ 1 ）门
（ 2 ）资料来源
（ 3 ）排水
*1
ESD保护二极管
*2
体二极管
3 ）小型表面贴装封装（ TUMT3 ） 。
4）无铅镀铅;符合RoHS标准
lPackaging
特定网络阳离子
包装
lApplication
DC / DC转换器
TYPE
卷尺寸（mm ）
胶带宽度（mm）
基本订购单位（个）
大坪码
记号
lAbsolute
最大额定值（T
a
= 25°C)
参数
漏 - 源极电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
功耗
结温
储存温度范围
符号
V
DSS
I
D *1
I
D，脉冲
V
GSS
P
D *3
P
D *4
T
j
T
英镑
*2
TAPING
180
8
3,000
TL
PP
价值
30
1.5
6.0
12
0.8
0.32
150
-55
to
+150
单位
V
A
A
V
W
W
°C
°C
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2013.02 - Rev.B的
RTF015N03
lThermal
阻力
参数
符号
R
thJA * 3
R
thJA * 4
值
分钟。
-
-
典型值。
-
-
数据表
马克斯。
156
391
单位
° C / W
° C / W
热阻，结 - 环境
lElectrical
特性（T
a
= 25°C)
参数
漏极 - 源极击穿
电压
击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
门 - 源极漏电流
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
符号
条件
值
分钟。
30
典型值。
-
马克斯。
-
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS
= 0V时，我
D
= 1毫安
V
ΔV
（ BR ） DSS
I
D
=1mA
ΔT
j
参考25 ℃下
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
ΔV
（ GS ）个
ΔT
j
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
GS
= 12V, V
DS
= 0V
V
DS
= 10V ，我
D
= 1毫安
I
D
=1mA
参考25 ℃下
V
GS
= 4.5V ，我
D
=1.5A
-
-
-
0.5
-
-
-
-
-
-
1.5
30
-
-
-
-2.3
170
180
240
270
17
2.6
-
1
10
1.5
-
240
250
340
380
-
-
毫伏/°C的
mA
mA
V
毫伏/°C的
静态漏 - 源
上 - 通电阻
R
DS （ ON）
*5
V
GS
= 4V ，我
D
=1.5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=1.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 1.5A ，T
j
=125°C
mW
门输入resistannce
跨
R
G
g
FS * 5
F = 1MHz时，漏极开路
V
DS
= 10V ，我
D
=1.5A
W
S
* 1仅受最高温度允许的。
* 2 P W
为10ms ，占空比
1%
* 3装在一个seramic板（30 ×30× 0.8毫米）
* 4安装在FR4 （ 15 × 20 × 0.8毫米）
* 5脉冲
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RTF015N03
lElectrical
特性（T
a
= 25°C)
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开 - 延迟时间
上升时间
打开 - 关闭延迟时间
下降时间
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上） * 5
t
r *5
t
D（关闭）
t
f *5
*5
数据表
条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 10V
F = 1MHz的
V
DD
15V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 0.75A
R
L
= 20W
R
G
= 10W
值
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
80
14
12
7
9
15
6
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
单位
pF
ns
LGATE
充电特性（T
a
= 25°C)
参数
总栅极电荷
栅 - 源费
门 - 漏极电荷
符号
Q
g *5
Q
GS * 5
Q
gd
*5
条件
值
分钟。
-
-
-
典型值。
1.6
0.5
0.3
马克斯。
-
-
-
单位
V
DD
15V ，我
D
=1.5A
V
GS
= 4.5V
nC
lBody
二极管的电气特性
（源极 - 漏极） （T
a
= 25°C)
参数
逆二极管连续的，
正向电流
正向电压
符号
条件
值
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
0.6
1.2
单位
I
S *1
V
SD * 5
T
a
= 25°C
V
GS
= 0V时，我
s
= 0.6A
A
V
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2013.02 - Rev.B的
RTF015N03
lElectrical
特性曲线
数据表
图1耗散功率降额曲线
120
图2最大安全工作区
100
在这一领域
由R有限公司
DS
（上）
( V
GS
= 10V )
P
W
为1ms
P
W
= 100毫秒
功耗： P
D
/P
D
最大。 [％]
100
10
漏电流：我
D
[A]
80
60
40
20
0
1
P
W
= 10ms的
直流操作
0.1
T
a
=25C
单脉冲
安装在陶瓷板上。
(30mm
×
30mm
×
0.8mm)
0
50
100
150
200
0.01
0.1
1
10
100
结温： TJ [° C]
漏 - 源极电压： V
DS
[V]
图3归瞬态热
电阻与脉冲宽度
归瞬态热电阻值：R
(t)
10
T
a
=25C
单脉冲
1
D=1
D=0.5
D=0.1
D=0.05
D=0.01
底部劲儿
Rth(ch-a)=156C/W
第r （ CH-A ）（吨）= R（ t）的×的Rth （声道-a）的
安装在陶瓷板上
(30mm
×
30mm
×
0.8mm)
顶部
图4单脉冲最大完全电源
耗散
1000
T
a
=25C
单脉冲
瞬态峰值功率： P（ W）
100
0.1
10
0.01
0.001
0.0001
0.01
1
100
1
0.0001
0.01
1
100
脉冲宽度：P
W
[s]
脉冲宽度：P
W
[s]
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RTF015N03
lElectrical
特性曲线
数据表
图5典型的输出特性（ I）
1.4
1.2
T
a
=25C
脉冲
图6典型的输出特性（ II ）
1.4
1.2
V
GS
=4.5V
V
GS
=2.5V
V
GS
=2.0V
T
a
=25C
脉冲
漏电流：我
D
[A]
0.8
0.6
0.4
0.2
0
V
GS
=2.5V
V
GS
=2.0V
漏电流：我
D
[A]
1
V
GS
=4.5V
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
V
GS
=1.5V
V
GS
=1.5V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
2
4
6
8
10
漏 - 源极电压： V
DS
[V]
漏 - 源极电压： V
DS
[V]
图7击穿电压
- 结温
漏 - 源极击穿电压： V
（ BR ） DSS
[V]
60
V
GS
= 0V
I
D
= 1毫安
脉冲
图8典型的传输特性
20
0
-50
0
50
100
150
结温：T已
j
[
°C
]
漏电流：我
D
[A]
40
的栅 - 源电压： V
GS
[V]
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RCH895NP-150K
RHEF1300-AP
RAC05-24SA
RJ-2415SH
RC55C-3K16DI
RF1S50N06SM
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RL-1505D
R10-E1Z6-V15K
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