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RT1P141X系列
特征
·内置偏置电阻( R1 =采用2.2kΩ )
·小包装,便于安装。
·高反的hFE
·小集电极到发射极饱和电压。
VCE(sat)=10mV(TYP.)(@IC=10mA/IB=0.5mA)
·低导通电阻
Ron=0.70Ω(TYP.)(@VI=5V)
晶体管,电阻器
静音应用
硅NPN外延型
外形绘图
RTAN230T2 (初步)
RTAN230M
2.1
0.2
0.8
0.2
0.425
1.25
单位:mm
0.425
0.25
0.4
应用
噪声抑制电路,开关电路
1.2
0.8
0.65
2.0
1.3
0.4
0.9
0.65
等效电路
C
(下)
0.7
R1
B
(中)
JEITA , JEDEC : -
谏早: T- USM
端子连接器
内部BASE
② :辐射源
--Collector
RTAN230U
1.6
0.4
0.8
0.4
JEITA:SC-70
JEDEC : -
端子连接器
内部BASE
② :辐射源
--Collector
RTAN230C
2.5
0.5
1.5
0.5
E
(GND)的
0.3
0½0.1
0.15
0½0.1
0.16
0.4
0.5
2.9
1.90
1.6
1.0
0.7
0.55
0.15
1.1
JEITA:SC-75A
JEDEC : -
端子连接器
内部BASE
② :辐射源
--Collector
0½0.1
JEITA:SC-59
JEDEC :类似TO- 236
端子连接器
内部BASE
② :辐射源
--Collector
谏早电子股份有限公司
0.8
0.95
0.5
0.95
0.5
0.3
RT1P141X系列
晶体管,电阻器
静音应用
硅NPN外延型
MAXIMUM RATING(T½=25℃)
符号
CBO
EBO
CEO
T½
T½½½
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
集热器
dissipation(Ta=25℃)
结温
储存温度
RTAN230T2
等级
RTAN230U
RTAN230M
40
40
20
400
150
+150
-55½+150
极限
典型值
200
RTAN230C
单位
V
V
V
mA
mW
125(※)
+125
-55½+125
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T½=25℃)
符号
(BR)CBO
( BR ) EBO
( BR ) CEO
CBO
EBO
½
FE
CE(½½½)
½
R
ON
参数
C到B击穿电压
E至B击穿电压
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
正向直流电流增益
到E饱和电压
输入阻抗
增益带宽积
输出“ ON”性
※包装在9毫米× 19毫米× 1毫米玻璃环氧基板。
测试条件
I
C
=50μA,I
E
=0mA
I
E
=50μA,I
C
=0mA
I
C
=1mA,R
BE
=∞
V
CB
=40V,I
E
=0mA
V
EB
=40V,I
C
=0mA
V
CE
=5V,I
C
=10mA
I
C
=10mA,I
B
=0.5mA
V
CE
=10V,I
E
=-10mA,f=100MHz
V
I
=5V,R
L
=1kΩ
40
40
20
最大
单位
V
V
V
μA
μA
mV
兆赫
Ω
820
1.54
10
2.2
40
0.70
0.5
0.5
2500
2.86
典型特征
输入电压
与集电极电流
100
Ta=25℃
VCE=0.2V
输入电压VI (ON ) (V )
集电极电流
VS.输入电压OFF
1000
Ta=25℃
VCE=5V
10
集电极电流IC ( μA )
100
1
10
0.1
0.1
1
10
集电极电流Ic ( mA)的
100
1000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
输入OFF电压Vi ( OFF) (V )
谏早电子股份有限公司
正向直流电流增益
与集电极电流
10000
10000
采用直流反接电流增益
与集电极电流
正向直流电流增益hFE
1000
采用直流反接电流增益hFER
1000
100
Ta=25℃
VCE=5V
10
100
Ta=25℃
VEC=5V
10
1
0.1
1
10
100
1000
集电极电流Ic ( mA)的
1
0.1
1
10
100
1000
集电极电流Ic ( mA)的
集电极到发射极饱和电压
与集电极电流
100
1000
集电极到发射极饱和电压
VCE ( SAT ) (MV )
Ta=25℃
IC/IB=20
导通电阻RON( Ω )
100
导通电阻与输入电压
10
10
1
Ta=25℃
1
0.1
0.1
1
10
集电极电流Ic ( mA)的
100
1000
0.1
0.1
1
10
100
输入电压Vi ( V)
谏早电子股份有限公司
市场营销事业部,营销策划部
6-41筑波,谏早,长崎, 854-0065日本
保持安全第一在你的电路设计!
·
谏早电子公司把最大精力投入到制造半导体产品的质量和可靠性,但
总是有麻烦可能与他们发生的可能性。麻烦半导体可能会导致人身伤害,火灾或
财产损失。记得让你的电路设计时,充分考虑到安全性给予,用适当的措施
如(1)放置替代的,辅助的,(2)使用非可耕种材料或(3)防止对任何故障或
硬伤。
对于这些材料的注意事项
·
这些材料的目的是作为参考,客户在谏早的产品的选择最适合的
客户的应用;不传达任何许可下的任何知识产权,或任何其他权利,属于
谏早或第三方。
·
谏早电子公司不承担任何损害任何第三方的权利,或侵犯任何责任,
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·
包含在这些资料,包括产品数据,图形和图表的所有信息,代表了产品信息
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由于产品改进或其他原因。因此,建议客户联系谏早电子
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在本文中。
·
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考虑到产品的所包含的任何特定目的使用时,谏早授权产品分销商,
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·
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如果这些产品或技术受日本出口管制的限制,他们必须在一个出口
日本政府许可,不能导入超过核定目的地之外的国家。任何
转移或再出口反而对TE出口管制法律和日本的法规和/或目的国是
h
禁止的。
·
请联系谏早电子公司或其授权的谏早的产品分销商对这些进一步的细节
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Nov.2006
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    RTAN230C
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