RT1P141X系列
特征
·内置偏置电阻（ R1 = 10kΩ的）
·小包装，便于安装。
·高反的hFE
·小集电极到发射极饱和电压。
VCE(sat)=10mV(TYP.)（@IC=10mA/IB=0.5mA）
·低导通电阻
Ron=0.94Ω(TYP.)（@VI=7V）
晶体管，电阻器
静音应用
硅NPN外延型
外形绘图
RTAN140T2 （初步）
RTAN140M
2.1
0.2
0.8
0.2
0.425
1.25
单位：mm
0.425
0.25
0.4
应用
噪声抑制电路，开关电路
1.2
0.8
0.65
①
②
③
①
②
③
2.0
1.3
0.4
0.9
0.65
等效电路
C
（下）
0.7
R1
B
（中）
JEITA ， JEDEC ： -
谏早： T- USM
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
RTAN140U
1.6
0.4
0.8
0.4
JEITA：SC-70
JEDEC ： -
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
RTAN140C
2.5
0.5
1.5
0.5
E
（GND）的
0.3
0½0.1
0.15
①
②
③
0½0.1
0.16
0.4
0.5
①
②
③
2.9
1.90
1.6
1.0
0.7
0.55
0.15
1.1
JEITA：SC-75A
JEDEC ： -
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
0½0.1
JEITA：SC-59
JEDEC ：类似TO- 236
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
谏早电子股份有限公司
0.8
0.95
0.5
0.95
0.5
0.3
RT1P141X系列
MAXIMUM RATING（Ｔ½＝２５℃）
符号
Ｖ
ＣＢＯ
Ｖ
ＥＢＯ
Ｖ
ＣＥＯ
Ｉ
Ｃ
Ｐ
Ｃ
Ｔ½
Ｔ½½½
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
集热器
dissipation(Ta=25℃)
结温
储存温度
RTAN140T2
等级
RTAN140U
RTAN140M
40
40
20
400
150
+150
-55½+150
200
晶体管，电阻器
静音应用
硅NPN外延型
RTAN140C
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
125（※）
+125
-55½+125
ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ｔ½＝２５℃）
符号
Ｖ
（ＢＲ）ＣBＯ
Ｖ
（ BR ） EBO
Ｖ
（ BR ） CEO
Ｉ
ＣＢＯ
Ｉ
EＢＯ
½
ＦＥ
Ｖ
ＣＥ（½½½）
Ｒ
１
½
Ｔ
R
ON
参数
C到B击穿电压
E至B击穿电压
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
正向直流电流增益
到E饱和电压
输入阻抗
增益带宽积
输出“ ON”性
※包装在9毫米× 19毫米× 1毫米玻璃环氧基板。
测试条件
I
C
=50μA，I
E
=0mA
I
E
=50μA，I
C
=0mA
I
C
=1mA，R
BE
=∞
V
CB
=40V，I
E
=0mA
V
EB
=40V，I
C
=0mA
V
CE
=5V，I
C
=10mA
I
C
=10mA，I
B
=0.5mA
V
CE
=10V，I
E
=-10mA，f=100MHz
V
I
=7V，R
L
=1kΩ
民
40
40
20
极限
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
－
mV
kΩ
兆赫
Ω
820
7
10
10
35
0.94
0.5
0.5
2500
13
典型特征
输入电压
与集电极电流
100
VCE=0.2V
输入电压VI （ON ） （V ）
集电极电流Ic （微安）
1000
VCE=5V
集电极电流
VS.输入电压OFF
10
Ta=-40℃
25℃
75℃
100
Ta=-40℃
25℃
75℃
1
0.1
0.1
1
10
100
1000
集电极电流Ic （ mA）的
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
输入OFF电压Vi （ OFF） （V ）
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·
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Jun.2008
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