RT9706
80mΩ ， 500毫安高侧电源开关与国旗
Ω
概述
该RT9706是一个高性价比，低电压，单
N沟道MOSFET高侧电源开关，优化
对于自供电和总线供电的通用串行总线
（USB）的应用程序。装备有电荷的RT9706
泵电路来驱动内部MOSFET开关;该
交换机的低R
DS （ ON）
80mΩ ，符合USB电压降
要求;和一个标志输出是可用的，以指示
故障条件到本地USB控制器。
其它特点包括软启动限制浪涌电流
插件时，热关断，以防止灾难性的
由高电流负载开关故障，欠压
锁定（UVLO ），以确保该设备仍处于关闭状态
除非有一个有效输入电压的情况下，低
静态电流为25μA使该器件非常适用于
便携式电池供电设备。
该RT9706可在SOT- 23-5封装要求
最小的电路板空间和最小的部件。
特点
符合USB规范
内置（通常80mΩ ） N沟道MOSFET
Ω
可以输出比输入被强制高（关闭状态）
低电源电流：
25μA典型的开关打开状态
μ
μ
0.1μA典型的开关关闭状态
确保500mA的连续负载电流
宽输入电压范围： 2V到5.5V
漏极开路故障指示输出
热插拔应用（软启动）
1.7V典型的欠压锁定（ UVLO ）
限流保护
热关断保护
反向电流阻断（无体二极管）
最少
SOT-23-5
封装减少电路板空间
UL认证
E219878
符合RoHS标准， 100 ％无铅（Pb ） - 免费
订购信息
RT9706
套餐类型
B： SOT - 23-5
工作温度范围
P：无铅与商业标准
G：绿色（无卤素与商业用
CIAL标准）
应用
USB总线/自供电集线器
USB外设
ACPI电源分配
PC卡热插拔
笔记本电脑，电脑主板
电池供电设备
热插拔电源
电池充电器电路
注意：
立锜无铅和格力的产品有：
符合RoHS标准，电流要求兼容
IPC / JEDEC J- STD- 020的求。
适用于锡铅或无铅焊接工艺。
100 ％雾锡（ Sn）镀层。
销刀豆网络gurations
（ TOP VIEW ）
EN
1
2
3
4
VIN
5
VOUT
标识信息
用于标记信息，请联系我们的销售代表
直接地或通过一个锜分配器位于你
区，否则访问我们的网站查看详细。
GND
FLG
SOT-23-5
2007年DS9706-02三月
www.richtek.com
1
RT9706
典型应用电路
上拉电阻（ 10K到100K ）
USB控制器
电源电压5V
VIN
1uF
关闭
ON
FLG
RT9706
VOUT
GND
10uF
150uF
V
公共汽车
D+
D-
GND
铁素体
Beades
在当前版
EN
注意：
VOUT和GND之间的低ESR的150μF的铝电解电容或钽电容，强烈建议，以满足
在轮毂伏330mV最大下垂要求
公共汽车
。 （参见应用信息部分作进一步的详细信息）
+
数据
功能引脚说明
引脚名称
VIN
VOUT
GND
EN
FLG
引脚功能
电源输入电压
输出电压
地
芯片使能（低电平有效）
漏极开路故障指示输出
功能块图
VIN
EN
BIAS
UVLO
当前
限制
门
控制
输出电压
发现
振荡器
收费
泵
热
保护
VOUT
FLG
延迟
GND
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2
2007年DS9706-02三月
RT9706
测试电路
1
R
FG
I
供应
VIN
FLG
V
FLG
I
泄漏年龄
2
V
IN
C
IN
关闭
VIN
FLG
V
FLG
S1
I
OUT
V
OUT
+
A
+
RT9706
VOUT
GND
V
IN
C
IN
关闭
ON
ON
+
RT9706
VOUT
GND
EN
A
C
OUT
EN
A
R
L
R
L
I
L
3
V
RDS （ ON）
4
R
FG
V
I
OUT
+
VIN
VOUT
VIN
FLG
V
FLG
V
OUT
+
+
V
IN
C
IN
关闭
ON
RT9706
FLG
GND
C
OUT
V
IN
C
IN
RT9706
VOUT
GND
C
OUT
EN
EN
V
CE
+
R
L
I
L
5
R
FG
S2
VIN
FLG
+
V
FLG
I
OUT
V
OUT
V
IN
C
IN
关闭
ON
RT9706
VOUT
GND
C
OUT
EN
A
S3
R
L
I
L
注意：
上面的测试电路反映“典型工作特性”中显示的图如下所示：
1
开启瑞星&下降时间与温度的关系，开启&关响应，响应旗
与温度的关系
3
导通电阻与输入电压&温度
4
EN
阈值电压与输入电压&温度，旗延迟时间与输入电压&温度， UVLO
阈值与温度的关系，在UVLO瑞星&下降
5
电流限制与输入电压/温度，短路电流响应，短路电流与温度的关系，
浪涌电流响应，软启动响应，积分给负载响应，电流限制瞬态响应，热
SHUTDOWN响应
2007年DS9706-02三月
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3
2
电源电流与输入电压&温度，关闭电源电流与温度的关系，关断漏电流
+
RT9706
绝对最大额定值
（注1 ）
电源电压--------------------------------------------------------------------------------------------------------- 6.5V
芯片使能输入电压---------------------------------------------- ---------------------------------------------
0.3V至6.5V
国旗电压------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 6.5V
功耗，P
D
@ T
A
= 25°C
SOT- 23-5 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 0.4W
封装热阻（注4 ）
SOT-23-5,
θ
JA
---------------------------------------------------------------------------------------------------------- 250 ° C / W
结温------------------------------------------------ ------------------------------------------------- 150 ℃，
引线温度（焊接， 10秒） ----------------------------------------- ---------------------------------- 260℃
存储温度范围----------------------------------------------- -----------------------------------------
65 ℃150 ℃的
ESD易感性（注2 ）
HBM （人体模式） -------------------------------------------- ---------------------------------------------- 2kV的
MM （机器模式） --------------------------------------------- -------------------------------------------------- --- 200V
推荐工作条件
（注3）
电源输入电压----------------------------------------------- -------------------------------------------------- - 2V至5.5V
芯片使能输入电压---------------------------------------------- --------------------------------------------- 0V至5.5V
结温范围----------------------------------------------- -----------------------------------------
40 ° C至125°C
环境温度范围----------------------------------------------- -----------------------------------------
40 ° C至85°C
电气特性
(V
IN
= 5V ，C
IN
= C
OUT
= 1μF ，T
A
= 25 ° C，除非另有规定编）
参数
开关导通电阻
电源电流
逻辑低电压
EN阈值
EN输入电流
输出漏电流
输出导通上升时间
电流限制
标志输出电阻
标志OFF电流
FLAG延迟时间（注5 ）
欠压锁定
欠压滞后
符号
R
DS （ ON）
I
SW_ON
I
SW_OFF
V
IL
测试条件
I
OUT
= 500毫安
开关， V
OUT
=打开
关闭，V
OUT
=打开
V
IN
= 2V至5.5V ，关掉
V
IN
= 2V至5.5V ，开机
V
EN
= 0V至5.5V
民
--
--
--
--
2.0
--
--
--
0.5
--
--
5
1.3
--
典型值
100
25
0.1
--
--
0.01
0.5
400
0.8
20
0.01
12
1.7
0.1
最大
130
45
1
0.8
--
--
10
--
1.25
400
1
20
--
--
单位
mΩ
μA
V
V
μA
μA
μs
A
Ω
μA
ms
V
V
逻辑高电压V
IH
I
EN
I
泄漏
V
EN
= 5V ，R
负载
= 0Ω
T
ON_RISE
10％至90 ％的V
OUT
升起
I
LIM
R
FLG
I
FLG_OFF
t
D
V
UVLO
ΔV
UVLO
R
负载
=1Ω
I
SINK
= 1毫安
V
FLG
= 5V
从故障状态到FLG
断言
V
IN
升起
待续
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4
2007年DS9706-02三月
RT9706
参数
热关断保护
热关断迟滞
符号
T
SD
ΔT
SD
测试条件
民
--
--
典型值
130
20
最大
--
--
单位
°C
°C
注： 1 。
列入上述"Absolute最大Ratings"强调可能会造成永久性损坏设备。这些是
压力等级。该设备在这些或超出任何其他条件的功能操作所指示的
规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能仍然可能影响器件的可靠性。
注2 。
设备是ESD敏感。处理防范建议。
注3 。
该设备是不能保证超出其工作条件下运行。
注4 。
θ
JA
是在T测定在自然对流
A
= 25 ℃，在低有效单个层的热导率测试的板
JEDEC 51-3的热测量标准。
注5 。
旗延迟时间是输入电压有关，请参见“典型工作特性”图作进一步的详细信息。
2007年DS9706-02三月
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