RT9701
100mΩ的配电开关
Ω
概述
该RT9701是一个集成的100mΩ的电源开关
自供电和总线供电的通用串行总线
（USB）的应用程序。一个内置的电荷泵来
驱动N沟道
MOSFET是免费的寄生
体二极管，以消除在任何反转电流
该开关时，电源关闭。它的低静态电流
(23μA)
和小封装（ SOT- 23-5 ）特别
适用于电池供电的便携式设备。
多种保护功能包括软启动以限制
插件时的浪涌电流，电流限制在1.5A至
符合USB电源要求，和热关机
保护下伤害过流条件。
特点
Ω
100mΩ的典型。高边NMOSFET （ SOT- 23-5 ）
保证1.1A连续电流
1.5A电流限制
小
SOT-23-5
封装减少电路板空间
软启动
热保护
23μA的低电源电流
μ
宽输入电压范围： 2.2V至6V
UL认证 - ＃ E219878
符合RoHS标准， 100 ％无铅（Pb ） - 免费
应用
电池供电设备
主板USB电源开关
USB设备的电源开关
热插拔电源
电池充电器电路
订购信息
RT9701
套餐类型
B： SOT - 23-5
BL ： SOT - 23-5 （ L型）
工作温度范围
P：无铅与商业标准
G：绿色（无卤素与商业用
CIAL标准）
销刀豆网络gurations
（ TOP VIEW ）
VOUT
GND
VIN
1
2
3
4
EN
5
VOUT
VOUT
GND
VIN
1
2
3
4
VIN
5
VOUT
注意：
立锜无铅和绿色的产品有：
符合RoHS标准，电流要求兼容
IPC / JEDEC J- STD- 020的求。
适用于锡铅或无铅焊接工艺。
100 ％雾锡（ Sn）镀层。
SOT-23-5
SOT-23-5
（ L型）
标识信息
用于标记信息，请联系我们的销售代表
直接地或通过一个锜分配器位于你
区，否则访问我们的网站查看详细。
典型应用电路
V
IN
C
IN
1uF
RT9701CBL
VIN
VOUT
VIN
GND
VOUT
V
OUT
* C
OUT
470uF
* 470uF的低ESR电解
2007年DS9701-13三月
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1
RT9701
测试电路
V
IN
+
RT9701CBL
VIN
VOUT
VIN
GND
VOUT
I
OUT
+
V
OUT
V
IN
V
IN- SW
RT9701CBL
VIN
VOUT
+
VIN
GND
VOUT
+
V
OUT
C
IN
1uF
C
L
R
L
I
L
关闭
C
IN
1uF
C
L
R
L
测试电路1
V
IN
+
C
IN
1uF
VIN
EN
GND
V
OUT
测试电路2
RT9701CB
VOUT
VOUT
I
OUT
+
C
L
R
L
I
L
芯片使能
测试电路3
测试电路2是由大容量电容器的外部罐充电到输入然后将这个电压提供给执行
该单元的输入端。
显示所有典型工作特性曲线被称为测试电路1 ，除非指定要测试电路2
测试电路3 。
功能引脚说明
引脚名称
VIN
VOUT
GND
EN
引脚功能
电源输入电压
输出电压
地
芯片使能（高电平有效）
功能块图
EN
BIAS
当前
极限
RS
VIN
（ VIN ）
收费
泵
控制
NMOSFET
（VOUT ）
VOUT
振荡器
热
发现
GND
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2
2007年DS9701-13三月
RT9701
绝对最大额定值
电源电压--------------------------------------------------------------------------------------------------------- 7V
芯片使能-------------------------------------------------------------------------------------------------------------
0.3V至7V
功耗，P
D
@ T
A
= 25°C
SOT- 23-5 ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
0.25W
封装热阻
SOT-23-5,
θ
JA
----------------------------------------------------------------------------------------------------------- 250 ° C / W
引线温度（焊接， 10秒） ----------------------------------------- ---------------------------------- 260℃
工作结温范围---------------------------------------------- ----------------------------
20℃ 100℃
存储温度范围----------------------------------------------- -----------------------------------------
65 ℃150 ℃的
V
OUT
ESD级别
HBM （人体模式） -------------------------------------------- ---------------------------------------------- 8kV的
MM （机器模式） --------------------------------------------- -------------------------------------------------- --- 800V
电气特性
(V
IN
= 5V ，C
IN
= C
OUT
= 1μF ，T
A
= 25 ° C，除非另有规定编）
参数
输入电压范围
输出NMOSFET
DS （ ON）
静态电流
输出开启上升时间
电流限制阈值
短路折返电流
EN输入高门槛
EN输入低阈值
关断电源电流
输出漏电流
V
IN
欠压锁定
V
IN
欠压滞后
热限制
热极限滞后
RT9701CB
RT9701CB
RT9701CB
RT9701CB
RT9701CBL
RT9701CB
符号
V
IN
R
DS （ ON）
测试条件
民
2.2
典型值
--
85
87
19
23
400
1.5
1.0
--
--
0.1
0.5
1.8
100
130
20
最大
6
100
100
40
45
--
2
--
--
0.8
1
10
--
--
--
--
单位
V
mΩ
μA
μs
A
A
V
V
μA
μA
V
mV
°C
°C
I
L
= 1A
I
L
= 1A
V
IN
= 3V
V
IN
= 5V
--
--
--
--
--
1.1
--
2.0
--
T
R
I
极限
I
OS
R
L
= 10Ω ， 90 ％建立
R
L
= 2Ω
V
OUT
= 0V ，测
之前，热关断
I
关闭
UVLO
EN =“0”
--
--
1.3
--
--
--
I
泄漏
EN = “0”时，V
OUT
= 0V
T
SD
ΔT
SD
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3
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