RT9605B

三通道同步整流

降压MOSFET驱动器

概述

该RT9605B是高频的，三通道

同步整流降压MOSFET驱动器专

设计驱动6个功率N - MOSFET的。的部分是

晋升为搭配立锜的多相降压PWM

控制器系列针对高密度电源

实施。 RT9605B的输出驱动器可以

高效开关电源的MOSFET的频率为300kHz

典型的。工作在更高的频率应该考虑

细心的散热。 RT9605B的每个驱动程序

能够驱动3nF的负载在30 / 40ns的上升/下降

时间很少传播延迟，从输入转移到

功率MOSFET的栅极。设备实现

只有一个外部自举在上部栅

电容器和所需的二极管。这降低回路

复杂性，并且允许使用更高的性能，成本

有效的N- MOSFET的。所有驱动程序结合自适应

击穿保护，以防止上，下

从同时进行，缩短MOSFET的

输入电源。该RT9605B还检测到故障

在初始启动之前，该多相位条件

PWM控制器会控制。其结果，在输入电源

将锁存进入关机状态。该RT9605B来

以小尺寸封装VQFN - 24L 4x4的包。

特点

开车6个N MOSFET的3相降压PWM控制

自适应贯通保护

支持高开关频率

快速输出上升/下降时间

传播延迟为40ns

三态输入的大桥关闭

上MOSFET直接短路保护

小型24引脚VQFN封装

符合RoHS标准， 100 ％无铅（Pb ） - 免费

应用

主板上的CPU核心电压供应

高频超薄型DC / DC转换器

大电流低电压DC / DC转换器

标识信息

用于标记信息，请联系我们的销售代表

直接地或通过一个锜分配器位于你

区。

销刀豆网络gurations

（ TOP VIEW ）

PHASE1

PHASE2

19

18

17

16

LGATE1

订购信息

RT9605B

套餐类型

QV ： VQFN - 24L的4×4 （ V型）

铅电镀系统

P：无铅

G：绿色（无卤素和无铅）

Z： ECO （生态元素与

无卤素和无铅）

注意：

立锜产品有：

符合RoHS标准，电流要求兼容

IPC / JEDEC J- STD- 020的求。

适用于锡铅或无铅焊接工艺。

UGATE1

BOOT1

NC

PWM1

PWM2

GND

1

2

3

4

5

6

24

23

22

21

20

LGATE2

PVCC1

PVCC2

GND

UGATE2

BOOT2

PVCC3

LGATE3

GND

GND

15

14

13

7

8

9

10

11

12

BOOT3

UGATE3

PWM3

PHASE3

VQFN - 24L 4x4的

所有的牌子或商标分别属于其所有者

DS9605B-03

2011年3月

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1

GND

VDD

RT9605B

典型应用电路

PHASE2

L1

0.5H

12V

V

IN

1H

C8

1000F

C1

33pF

可选

C2

R2

5V

SB

C4

4.7F

C9

1F

C10到C13

1500μF ×4

D1

C14

1F

R18

0

12V

Q1

C15

1F

R20

0

C24到C35

1000μF ×12

R19 2.2

C16

3.3F

Q3

Q2

17

UGATE2

R1

15k

C3

10nF

R3 3K

19

PHASE2

21

PVCC2

20

LGATE2

3

NC

Q7

PHASE3

C23

3.3nF

Q8

C21

1F

R27

2.2

R26

0

D3

C22

1F

V

IN

L2

0.5H

V

CORE

Q9

5

COMP

R4 110K

VID5

VID0

VID1

R7

VID2

VID3

VID4

R8 6.8K

R9 3.3K

R10 5.1K

R12

10k

3.3V

R13

12V

R14

3k

27k

13k

R5

R6

56k

27k

R11

1.8k

R

垂

3

FB

16

VDD

13

PWM1

16

7

15

14

10

11

可选

C5 1μF

R17

R

R17

R

C7

1F

V

CORE

R

R16

PHASE3

BOOT2

PWM3

PWM2

PWM1

BOOT1

UGATE1

PHASE1

RT9605B

LGATE3

PVCC3

14

15

R25

0

C36到C39

10μF ×4

6

PI

2 DACQ

1 DACFB

RT8800

GND

ICOMMON

PWM3

PWM2

ISP3

ISP2

ISP1

5

4

2

GND

PHASE3

11

12V

UGATE3 10

BOOT3

PVCC1

LGATE1

VDD

9

9

PGOOD

DVD

RT

4

7

R15

16k

8

12

可选

C6

1F

可选

PHASE2

C17

1F

PHASE1

D2

1

24

R21

0

22

12V

23

C18

1F

8

R23

10

R22

0

C19 1μF

5V

SB

PHASE1

L3

0.5H

430

可选

R

ICOMMON2

R

ICOMMON1

Q4

V

IN

R24

2.2

Q5

C20

3.3nF

Q6

功能引脚说明

UGATE1 （引脚1 ） ， UGATE2 （引脚17 ） ， UGATE3 （引脚10 ）

上栅极驱动输出。应连接到所述

上MOSFET栅极。

BOOT1 （ 2脚） ， BOOT2 （引脚16 ） ， BOOT3 （引脚9 ）

浮动自举电源引脚上的栅极驱动器。

连接该引脚和之间的自举电容

PHASE引脚。自举电容提供充电

打开上部MOSFET 。

NC （引脚3 ）

无连接。

PWM1 （引脚4 ） ， PWM2 （ 5脚） ， PWM3 （引脚7 ）

PWM输入控制信号。该引脚连接至PWM

输出控制器。如果PWM信号进入和

依然是关机的窗口中，都UGATE

和LGATE正在掘进低，禁用输出MOSFET 。

GND （引脚6 ， 12 ， 13 ， 18 ）

芯片电源地。

所有的牌子或商标分别属于其所有者

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2

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VDD （引脚8 ）

电源输入。连接到+ 5V待机电源。一个地方

该引脚与GND之间的旁路电容。

PHASE1 （引脚24 ） ， PHASE2 （引脚19 ） ，三期（引脚11 ）

上部驱动的回报。应连接到公共

上和下MOSFET的节点。相电压

被监测的自适应贯通保护。

LGATE1 （引脚23 ） ， LGATE2 （引脚20 ） ， LGATE3 （引脚14 ）

更低的栅极驱动输出。应连接到下

MOSFET栅极。

PVCC1 （引脚22 ） ， PVCC2 （引脚21 ） ， PVCC3 （引脚15 ）

电源输入。连接到+ 12V电源。将旁路

这个引脚和PGND之间的电容。

裸露焊盘

裸露焊盘应焊接到PCB板和

连接到GND 。

RT9605B

功能块图

BOOT1

UGATE1

总之，通过保护

PWM1

PHASE1

PVCC1

LGATE1

GND

VDD

BOOT2

UGATE2

PWM2

控制

逻辑

总之，通过保护

PHASE2

PVCC2

LGATE2

GND

VDD

BOOT3

UGATE3

总之，通过保护

PWM3

PHASE3

PVCC3

LGATE3

GND

VDD

时序图

PWM

T

的Rugate

T

PDUGATE

T

富盖特

90%

UGATE

LGATE

90%

10%

T

FLGATE

T

PDLGATE

10%

90%

10%

90%

10%

T

RLGATE

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3

RT9605B

绝对最大额定值

（注1 ）

驱动器电源电压， PVCC --------------------------------------------- -------------------------

0.3V至15V

内核电源电压（VDD） --------------------------------------------- ----------------------------

0.3V至7V

引导到相----------------------------------------------- --------------------------------------

0.3V至15V

相对于GND

DC --------------------------------------------------------------------------------------------------------

5V至15V

< 20ns的------------------------------------------------ -------------------------------------------------- -

10V至30V

LGATE

DC -------------------------------------------------------------------------------------------------------- （ GND

0.3V ）至（v

PVCC

+ 0.3V)

< 20ns的------------------------------------------------ -------------------------------------------------- -

2V

到（Ⅴ

PVCC

+ 0.3V)

UGATE

DC -------------------------------------------------------------------------------------------------------- （V

相

0.3V ）至（v

BOOT

+ 0.3V)

< 20ns的------------------------------------------------ -------------------------------------------------- - （V

相

2V）至（Ⅴ

BOOT

+ 0.3V)

PWM输入电压----------------------------------------------- ----------------------------------- （ GND

0.3V ）至7V

封装热阻（注2 ）

VQFN - 24L 4x4的，

θ

JA

-------------------------------------------------- -------------------------------- 67 ° C / W

结温------------------------------------------------ -------------------------------- 150℃

引线温度（焊接， 10秒） ----------------------------------------- ----------------- 260℃

存储温度范围----------------------------------------------- ------------------------

65 ℃150 ℃的

ESD易感性（注3 ）

HBM （人体模式） -------------------------------------------- ----------------------------- 2kV的

MM （机器模式） --------------------------------------------- ------------------------------------ 150V

推荐工作条件

（注4 ）

驱动器电源电压， PVCC --------------------------------------------- ------------------------- 12V

±10%

内核电源电压（VDD） --------------------------------------------- ---------------------------- 5V

±10%

结温范围----------------------------------------------- ------------------------

40°C

至125℃

环境温度范围----------------------------------------------- ------------------------

40°C

至85℃

电气特性

（推荐工作条件，T

A

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

VDD电源电流

工作电流

上电复位

PVCC POR阈值

PVCC滞后

VDD阈值

PWM输入

输入电流

浮动电压

符号

I

VDD

测试条件

频率= 250kHz的

V

PVCC

升起

V

DD

升起

V

PWM

_

IN

= 0V

V

PWM

_

IN

= 5V

民

--

7.2

--

3.7

500

200

1.4

典型值

--

8

1.1

4

600

350

1.8

最大

10

8.8

--

4.3

700

500

2.2

单位

mA

V

V

V

I

PWM

V

PWMfl

μA

V

待续

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4

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RT9605B

参数

PWM阈值

产量

UGATE上升时间

UGATE下降时间

LGATE上升时间

LGATE下降时间

UGATE关断传播延迟

LGATE关断传播延迟

关闭窗口

t

的Rugate

t

富盖特

t

RLGATE

t

FLGATE

t

PDUGATE

t

PDLGATE

PV

CC

= 12V， 3nF的负载

PV

CC

= 12V， 3nF的负载

PV

CC

= 12V， 3nF的负载

PV

CC

= 12V， 3nF的负载

PV

CC

= 12V， 3nF的负载

PV

CC

= 12V， 3nF的负载

--

--

--

--

--

--

0.8

80

40

40

25

30

25

--

--

--

--

--

--

--

3.5

ns

ns

ns

ns

ns

ns

V

符号

V

PWMrth

V

PWMfth

测试条件

PWM_IN上升

PWM_IN下降

民

2.7

0.8

典型值

3.1

1

最大

3.5

1.3

单位

V

V

注： 1 。

列为上述应力

“绝对

最大额定值“，可能对器件造成永久性损坏。这些是

压力等级。该设备在这些或超出任何其他条件的功能操作所指示的

规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作

期间可能仍然可能影响器件的可靠性。

注2 。

θ

JA

是在T测定在自然对流

A

= 25℃上的一个低的有效热导率测试板

JEDEC 51-3的热测量标准。

注3 。

设备是ESD敏感。处理防范建议。

注4 。

该设备是不能保证超出其工作条件下运行。

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